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对产品线
Diodes公司
ZXTD617MC
双路15V NPN低饱和晶体管
特点和优点
BV
首席执行官
> 15V
I
C
= 4.5A的连续集电极电流
低饱和电压（最大值为100mV @ 1A）
R
SAT
= 45毫欧的低等效导通电阻
h
FE
指定高达12A的高电流增益保持
双NPN节省占板面积和元件数量
薄型0.8mm厚的封装薄应用
R
θJA
高效，比SOT26低40 ％
2
6毫米足迹，比TSOP6和SOT26小50 ％
无铅，符合RoHS （注1 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： DFN3020B - 8
表壳材质：模压塑料。 “绿色”模塑料。
终端：预镀镍钯金引线框架
防火等级94V- 0
标称封装高度： 0.8毫米
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
重量： 0.013克（近似值）
应用
DC- DC转换器
充电电路
电机控制
电源开关
便携式应用
DFN3020B-8
C2
C1
C2
C2
C1
C1
B2
B1
E2
C2
C1
E2
顶视图
底部视图
NPN晶体管
等效电路
E1
NPN晶体管
B2
E1
B1
销1
底部视图
引脚输出
订购信息
产品
ZXTD617MCTA
注意事项：
记号
DAA
卷尺寸（英寸）
7
胶带宽度（mm）
8
QUANTITY每卷
3000
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com
标识信息
DAA
DAA =产品型号标识代码
俯视图，点表示引脚1
ZXTD617MC
文件编号DS31930修订版3 - 2
1 7
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2010年12月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
ZXTD617MC
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
（注3 & 6 ）
（注4 & 6 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
价值
40
15
7
15
4.5
5
1
单位
V
A
热特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
（注3 & 6 ）
功耗
线性降额因子
（注4 & 6 ）
P
D
（注5 & 6 ）
（注5 & 7 ）
（注3 & 6 ）
（注4 & 6 ）
（注5 & 6 ）
（注5 & 7 ）
（注6 & 8 ）
符号
价值
1.5
12
2.45
19.6
1.13
8
1.7
13.6
83.3
51.0
111
73.5
17.1
-55到+150
单位
W
毫瓦/°C的
热阻，结到环境
热阻，结领导
工作和存储温度范围
注意事项：
R
θ
JA
R
θ
JL
T
J
, T
英镑
° C / W
°C
3.对于双通道器件表面安装在28毫米X 28毫米（ 8厘米
2
） FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司纯铜，在静止空气条件;该装置是
在稳态条件下测量的操作时。散热片被分割为一半与连接到每个半露出集电极焊盘。
4.同注（3 ），除了该装置测得的在t <5秒。
5.同注（3 ），除了该装置是表面安装在31毫米X 31毫米（10厘米
2
） FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜。
6.对于一个有源芯片双通道器件。
7.对于在同等功率2有源芯片上运行双通道器件。
从结点到焊接点8，热敏电阻（在集电极引线的端部） 。
ZXTD617MC
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Diodes公司
对产品线
Diodes公司
ZXTD617MC
热特性
2.0
I
C
集电极电流（ A）
10
有限
最大功耗（ W）
V
CE （ SAT ）
10sqcm 1盎司铜
两个有源芯片
1.5
1
DC
1s
100ms
10ms
8sqcm 2盎司铜
一个活动模
单脉冲，T
AMB
=25°C
8sqcm 2盎司铜
一个活动模
10sqcm 1盎司铜
一个活动模
1.0
0.1
1ms
100us
0.5
0.01
0.1
0.0
0
25
50
75
100
125
150
1
10
V
CE
集电极 - 发射极电压（ V）
温度（℃）
安全工作区
225
80
60
D=0.5
8sqcm 2盎司铜
一个活动模
降额曲线
热阻（ ° C / W）
热阻（ ° C / W）
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0.1
1
2盎司铜
一个活动模
1盎司铜
一个活动模
1盎司铜
两个有源芯片
40
20
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
2盎司铜
两个有源芯片
0
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
10
100
脉冲宽度（S ）
董事会铜区（ sqcm ）
瞬态热阻抗
3.5
T
AMB
=25°C
T
j max的情况
=150°C
连续
2盎司铜
一个活动模
2盎司铜
两个有源芯片
热电阻V电路板面积
P
D
耗散（W）的
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0.1
1盎司铜
两个有源芯片
1盎司铜
一个活动模
1
10
100
董事会铜区（ sqcm ）
功耗V电路板面积
ZXTD617MC
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对产品线
Diodes公司
ZXTD617MC
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压（注9 ）
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极发射极Cuto FF电流
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
民
40
15
7
-
-
-
200
300
200
150
-
-
-
-
-
-
-
-
-
80
-
-
典型值
70
18
8.2
-
-
-
415
450
320
240
80
8
70
165
240
200
0.88
0.94
30
120
120
160
最大
-
-
-
100
100
100
-
-
-
-
-
14
100
200
310
-
0.96
1.05
40
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
nA
-
-
-
-
-
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
pF
兆赫
ns
ns
测试条件
I
C
= 100A
I
C
= 10毫安
I
E
= 100A
V
CB
= 30V
V
EB
= 6V
V
CES
= 12V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 2V
I
C
=的200mA， V
CE
= 2V
I
C
= 3A ，V
CE
= 2V
I
C
= 5A ，V
CE
= 2V
I
C
= 12A ，V
CE
= 2V
I
C
= 0.1A ，我
B
= 10毫安
I
C
= 1A ，我
B
= 10毫安
I
C
= 3A ，我
B
= 50毫安
I
C
= 4.5A ，我
B
= 50毫安
I
C
= 4.5A ，我
B
= 100毫安
I
C
= 4.5A ，V
CE
= 2V
I
C
= 4.5A ，我
B
= 50毫安
V
CB
= 10V 。 F = 1MHz的
V
CE
= 10V ，我
C
= 50mA时
F = 100MHz的
V
CC
= 10V ，我
C
= 1A
I
B1
= I
B2
= 10毫安
静态正向电流传输比（注9 ）
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压（注9 ）
V
CE （ SAT ）
基射极导通电压（注9 ）
基射极饱和电压（注9 ）
输出电容
跃迁频率
开启时间
打开-O FF时间
注意事项：
V
BE（上）
V
BE （ SAT ）
C
敖包
f
T
t
on
t
关闭
脉冲条件下9.进行测定。脉冲宽度
≤
300微秒。占空比
≤
2%
ZXTD617MC
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对产品线
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ZXTD617MC
典型电气特性
1
Tamb=25°C
0.25
I
C
/I
B
=50
0.20
V
CE （ SAT ）
(V)
V
CE （ SAT ）
(V)
100m
I
C
/I
B
=100
0.15
0.10
0.05
0.00
1m
100°C
25°C
-55°C
10m
I
C
/I
B
=50
I
C
/I
B
=10
1m
1m
10m
100m
1
10
10m
100m
1
10
I
C
集电极电流（ A）
I
C
集电极电流（ A）
V
CE （ SAT ）
V I
C
630
1.2
V
CE
=2V
100°C
V
CE （ SAT ）
V I
C
540
450
1.0
I
C
/I
B
=50
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1m
10m
100m
1
10
-55°C
25°C
典型增益（H
FE
)
归一化增益
360
270
180
90
0
V
BE （ SAT ）
(V)
0.8
-55°C
0.6
25°C
100°C
0.4
1m
10m
100m
1
10
I
C
集电极电流（ A）
I
C
集电极电流（ A）
h
FE
V I
C
V
BE （ SAT ）
V I
C
1.0
0.8
V
CE
=2V
V
BE（上）
(V)
-55°C
0.6
25°C
0.4
0.2
1m
100°C
10m
100m
1
10
I
C
集电极电流（ A）
V
BE（上）
V I
C
ZXTD617MC
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ZA2030
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ZS4752A
ZMC82
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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