ZXT4M322
MPPS
TM
微型封装电源解决方案
70V PNP低饱和晶体管
摘要
PNP- V
首席执行官
= -70V ;
SAT
=
117米;我
C
= -2.5A
描述
封装在新的创新采用2mm x 2mm MLP （微型引线封装）的轮廓，
这个新的第四代低饱和PNP晶体管提供极低的导通状态
亏损使得它非常适用于DC-DC电路和各种驱动和电源使用
管理功能。
此外，用户获得其他几个
主要优点：
性能相当于大得多的封装能力
提高了电路效率和放大器;功率级
PCB面积和器件布局储蓄
较低的封装高度（ 0.9毫米NOM ）
减少元件数量
MLP322
特点
低等效导通电阻
超低饱和电压
（ -220mV最大@ 1A）
h
FE
指定高达3A
I
C
= 2.5A的连续集电极电流
采用2mm x 2mm MLP
应用
直流 - 直流转换器
直流 - 直流模块
电源开关
电机控制
订购信息
设备
ZXTD4M322TA
ZXTD4M322TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000
10000
器件标识
S4
第1期 - 2003年6月
1
仰视图
半导体
ZXT4M322
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
(a)
(a)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
T
j
极限
-70
-70
-7.5
-3
-2.5
-1000
1.5
12
2.45
19.6
1
8
3
24
-55到+150
150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
毫瓦/ C
W
毫瓦/ C
W
毫瓦/ C
W
毫瓦/ C
C
C
在TA功耗= 25°C
(b)
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
(d)
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
(e)
线性降额因子
工作&存储温度范围
结温
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(d)
结到环境
(e)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
价值
83
51
125
42
单位
C / W
C / W
C / W
C / W
笔记
（ a）对于一个单一的器件表面安装在
10
在FR4 PCB ，平方厘米的1盎司铜皮在静止空气条件
所有外露焊盘连接。
（ b）对于单个器件表面安装在
10
在t 5秒测量FR4 PCB ，平方厘米的1盎司铜皮在静止空气条件
所有外露焊盘
连接。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。参考瞬态热阻抗曲线。
（ d）对于安装在10平方厘米的1盎司镀铜FR4 PCB ，在静止空气条件下单个器件表面
只有很少的引线连接。
（ e）对于安装在65平方厘米2盎司覆铜的FR4印刷电路板，在静止空气条件下的单个设备表面
所有外露焊盘连接。
（六）所需的，用于安装的最小铜尺寸不超过该装置的基座上的暴露的金属焊盘更小，如图
包装尺寸数据。用1盎司的重量和最小铜安装在1.5mm厚的FR4电路板的器件的热阻
1mm宽的轨道是的Rth = 300 ° C / W给予的额定功率P合计= 420MW
第1期 - 2003年6月
半导体
2
ZXT4M322
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
-35
-135
-140
-175
-0.94
-0.78
300
300
175
40
150
470
450
275
60
10
180
14
40
700
20
分钟。
-70
-70
-7.5
典型值。
-150
-125
-8.5
-25
-25
-25
-50
-200
-220
-260
-1.05
-1.00
MAX 。单位条件
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
V
V
I
C
=-100 A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100 A
V
CB
=-55V
V
EB
=-6V
V
CE
=-55V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-10mA*
I
C
= -0.5A ，我
B
=-20mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA*
I
C
= -1.5A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -1.5A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -1.5A ，V
CE
=-5V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -100mA ，V
CE
=-5V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-5V*
I
C
= -1.5A ，V
CE
=-5V*
I
C
= -3A ，V
CE
=-5V*
兆赫我
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
f=100MHz
pF
ns
ns
V
CB
= -10A ， F = 1MHz的
V
CC
= -50V ，我
C
=-1A
I
B1
=I
B2
=-50mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300秒。占空比
2%
第1期 - 2003年6月
半导体
4
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