对产品线
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ZXTD2090E6
DUA L 50V PN硅低饱和度SW痒ING TRAN体管
特点
BV
首席执行官
= 50V
R
SAT
= 160mV的
I
C
= 1A的连续集电极电流
低等效导通电阻
低饱和电压
SOT23-6封装
铅，卤素及锑，符合RoHS标准
（注1 ）
“绿色”设备（注2 ）
机械数据
案例： SOT23-6
表壳材质：模压塑料。 “绿色”模塑料。
防火等级94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端：雾锡完成
重量： 0.018克（近似值）
应用
LCD背光逆变器电路
在DC-DC变换器升压功能
SOT-223
顶视图
设备符号
引脚配置
订购信息
产品
ZXTD2090E6TA
注意事项：
记号
2090
卷尺寸（英寸）
7
胶带宽度（mm）
8
QUANTITY每卷
3000
1.没有故意添加铅。卤素和无锑。
2.二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站http://www.diodes.com找到。
标识信息
2090 =产品型号标识代码
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最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
价值
50
50
5
1
200
2
单位
V
V
V
A
mA
A
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流（注5 ）
基极电流
峰值脉冲电流
热特性
特征
在T功耗
A
= 25 ° C（注3 & 6 ）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（注3 & 7 ）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（注4 & 6 ）
线性降额因子
热阻，结到环境（注3 & 6 ）
热阻，结到环境（注4 & 6 ）
热阻，结到环境（注3 & 7 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
P
D
P
D
R
θ
JA
R
θ
JA
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
0.90
7.2
1.1
8.8
1.7
13.6
139
73
113
-55到+150
单位
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
° C / W
°C
3.对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB与高覆盖单面的1盎司铜皮，在静止空气条件
4，对于设备的表面安装在FR4 PCB测量< 5秒
5.重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线图
6.对于与主动裸芯片器件
7.对于有两个设备在模具等功率运行
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电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压（注8）
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射Cuto FF电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
民
50
50
5
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
测试条件
I
C
= 100A
I
C
= 10毫安
I
E
= 100A
V
CB
= 40V
V
CES
= 40V
V
EB
= 4V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 2V
I
C
= 100mA时V
CE
= 2V
I
C
= 500毫安，V
CE
= 2V
I
C
= 1A ，V
CE
= 2V
I
C
= 1.5A ，V
CE
= 2V
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
I
C
= 250毫安，我
B
= 10毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 10毫安
I
C
= 1A ，我
B
= 50毫安
I
C
= 1A ，我
B
= 50毫安
I
C
= 1A ，V
CE
= 2V
V
CB
= 10V 。 F = 1MHz的
V
CE
= 10V ，我
C
= 50毫安
F = 100MHz的
V
CC
= 10V ，我
C
= 1A
I
B1
= -I
B2
= 100毫安
10
10
10
200
300
200
75
20
420
450
350
130
60
24
60
120
160
940
850
10
215
150
425
35
80
200
270
1100
1100
直流电流增益（注8 ）
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压（注8 ）
基射极饱和电压（注8 ）
基射极导通电压（注8）
输出电容
电流增益带宽积
开启时间
打开-O FF时间
注意事项：
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
C
敖包
f
T
t
on
t
关闭
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
兆赫
ns
ns
脉冲条件下8.测定。脉冲宽度
≤
300微秒。占空比
≤
2%
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典型特征
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包装外形尺寸
拟议的焊盘布局
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