ZXTD1M832
MPPS 微型封装电源解决方案
双路12V PNP低饱和开关晶体管
摘要
V
首席执行官
= -12V ;
SAT
= 60米;我
C
= -4A
描述
包装创新采用3mm x 2毫米MLP （微型引线封装）
大纲，这些新的4
th
代低饱和度的双晶体管报价
极低的导通损耗使其非常适用于DC-DC电路中使用
和各种驱动和电源管理功能。
此外，用户获得其他几个
主要优点：
性能相当于大得多的封装能力
提高了电路效率和放大器;功率级
PCB面积和器件布局储蓄
较低的封装高度（ NOM 0.9毫米）
减少元件数量
采用3mm x 2毫米（双裸片） MLP
C2
C1
特点
低等效导通电阻
超低饱和电压
（ -140mV @ -1A ）
特点的hFE高达-10A
IC = -4A连续集电极电流
采用3mm x 2毫米MLP
B2
B1
E2
E1
应用
直流 - 直流转换器（ FET驱动器）
充电电路
电源开关
电机控制
引脚
订购信息
设备
ZXTD1M832TA
ZXTD1M832TC
REEL
7
13
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000
10000
采用3mm x 2毫米MLP
仰视图
器件标识
D11
第1期 - 2002年6月
1
ZXTD1M832
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
连续集电极电流（B ）
基极电流
在TA功耗= 25° C（一） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ C） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （D ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ D） （G ）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（ E） （G ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
C
I
B
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
极限
-20
-12
-7.5
-12
-4
-4.4
-1000
1.5
12
2.45
19.6
1
8
1.13
9
1.7
13.6
3
24
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一） （F ）
结到环境（B ） （F ）
结到环境（ C） （F ）
结到环境（D ） （F ）
结到环境（D ） （G ）
结到环境（ E） （G ）
笔记
（ a）为安装在8平方厘米单面2盎司在FR4印刷电路板，铜在静止空气条件下的双器件表面
所有外露焊盘连接。
该
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（二）测量在t小于5秒用于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露
垫连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ c）对于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
只有很少的引线连接。
（ d）对于双通道器件表面安装在10平方厘米单面1盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件
附带所有暴露垫
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ e）对于双通道器件表面安装在85平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件
附带所有暴露垫
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（六）对于具有一个活性模具的双设备。
（七）对于双通道器件具有在同等功率2有源芯片上运行。
（八）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线。
（ⅰ）需要安装的最小铜尺寸不超过该装置的基座上的暴露的金属焊盘小，如图中的
封装尺寸数据。对于双通道器件安装在1.5mm厚的FR4电路板用最低的铜1盎司重量， 1毫米热阻
宽轨道和一半的设备活跃的是的Rth = 250℃ / W给人的Ptot = 500mW的功率额定值。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
83.3
51
125
111
73.5
41.7
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
第1期 - 2002年6月
2
ZXTD1M832
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
-10
-100
-100
-195
-240
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
300
300
180
60
45
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
100
-0.97
-0.87
475
450
275
100
70
110
21
70
130
30
兆赫
pF
ns
ns
分钟。
-20
-12
-7.5
典型值。
-35
-25
8.5
-25
-25
-25
-17
-140
-150
-300
-300
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
条件。
I
C
=-100 A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100 A
V
CB
=-16V
V
EB
=-6V
V
CES
=-10V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-10mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-10mA*
I
C
= -1.5A ，我
B
=-50mA*
I
C
= -3A ，我
B
=-50mA*
I
C
= -4A ，我
B
=-150mA*
I
C
= -4A ，我
B
=150mA*
I
C
= -4A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -0.1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -2.5A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -8A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= -6V ，我
C
=-2A
I
B1
=I
B2
=-50mA
-1.050 V
-0.950 V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第1期 - 2002年6月
4
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