对产品线
Diodes公司
ZXTC6719MC
双50V NPN & 40V PNP低饱和晶体管组合
特点
NPN晶体管
V
首席执行官
= 50V
R
SAT
= 68 m
I
C
= 4A
PNP晶体管
V
首席执行官
= -40V
R
SAT
= 104 m
I
C
= -3A
I
C
= 4A的连续集电极电流
低饱和电压（最大值为100mV @ 1A - NPN ）
h
FE
特点高达6A
铅，卤素和无锑/符合RoHS （注1 ）
“绿色”设备（注2 ）
机械数据
案例： DFN3020B - 8
终端：预镀镍钯金引线框架
标称封装高度： 0.8毫米
防火等级94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
每MIL -STD- 202方法208
重量： 0.013克（近似值）
应用
直流 - 直流转换器
充电电路
电源开关
电机控制
CCFL背光电路
DFN3020B-8
顶视图
设备符号
引脚配置
订购信息
产品
ZXTC6719MCTA
注意事项：
状态
活跃
记号
DC3
卷尺寸（英寸）
7
胶带宽度（mm）
8
QUANTITY每卷
3000
1.没有故意添加铅。卤素和无锑。
2.二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com
标识信息
DC3 =产品型号标识代码
圆点表示1脚
ZXTC6719MC
文件编号： DS31928修订版2 - 2
1 9
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2010年1月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
ZXTC6719MC
最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流（A ） （F ）
基极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
NPN
100
50
7.5
6
4
1
PNP
-50
-40
-7.5
-4
-3
单位
V
V
V
A
A
A
热特性
特征
在T功耗
A
= 25 ° C（一） （F ）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（ B） （F ）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（ C） （F ）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（ D） （F ）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（ D） （G ）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（ E） （G ）
线性降额因子
结到环境（一） （F ）
结到环境（B ） （F ）
结到环境（ C） （F ）
结到环境（D ） （F ）
结到环境（D ） （G ）
结到环境（ E） （G ）
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
R
θ
JA
R
θ
JA
R
θ
JA
R
θ
JA
R
θ
JA
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
1.5
12
2.45
19.6
1
8
1.13
9
1.7
13.6
3
24
83.3
51
125
111
73.5
41.7
-55到+150
单位
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
一。对于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露焊盘连接。
铜
区域被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
B 。测量在t <5秒为安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露焊盘
连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
。对于安装在8平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
只有很少的引线连接。
。对于安装在10平方厘米单面1盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露焊盘连接。
该
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
。对于安装在85平方厘米单面2盎司在FR4 PCB ，铜在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露焊盘连接。
该
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
F。用于与一个主动裸芯片的双设备。
克。对于在同等功率2有源芯片上运行双通道器件。
ZXTC6719MC
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