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对产品线
Diodes公司
ZXTC2063E6
40V ， SOT23-6 ，互补中功率晶体管
摘要
BV
首席执行官
> 40 （ -40 ）V
BV
ECO
> 6 （ -3 ）V
I
C（ CONT ）
= 3.5 (-3)A
V
CE （ SAT ）
< 60 （ -90 ）毫伏@ 1A
R
CE （ SAT ）
= 38 (58)m
P
D
= 1.1W
描述
先进过程能力已被用于实现
这种高性能的设备。结合NPN和PNP
在SOT23-6封装的晶体管提供了一个紧凑的
溶液于特定的应用程序。
C1
C2
B1
B2
特点
NPN - PNP组合
极低的饱和电压
高增益
SOT23-6封装
E1
E2
C1
B1
C2
顶视图
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
E1
B2
E2
应用
MOSFET和IGBT栅极驱动
电机驱动
订购信息
设备
ZXTC2063E6TA
带尺寸
（英寸）
7
器件标识
2063
第2期 - 2008年10月
Diodes公司2008
1
www.zetex.com
www.diodes.com
ZXTC2063E6
绝对最高和热额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
（ C） （F ）
峰值脉冲电流
基极电流
功率耗散@ T
AMB
= 25°C
（一）（六）
线性降额因子
功率耗散@ T
AMB
= 25°C
（B ） （F ）
线性降额因子
功率耗散@ T
AMB
= 25°C
（ B） （G ）
线性降额因子
功率耗散@ T
AMB
= 25°C
（ C） （F ）
线性降额因子
功率耗散@ T
AMB
= 25°C
（D ） （F ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻结到环境
（一）（六）
热阻结到环境
（B ） （F ）
热阻结到环境
（ B） （G ）
热阻结到环境
（ C） （F ）
热阻结到环境
（D ） （F ）
P
D
T
j
, T
英镑
R
JC
R
JA
R
JC
R
JC
R
JA
P
D
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
极限
130(-45)
40(-40)
6(-3)
7(-7)
3.5(-3)
9(-9)
1(-1)
0.7
5.6
0.9
7.2
1.1
8.8
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
179
139
113
113
73
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）对于器件表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（三）对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，以
静止空气条件。
（ d）由于上述测定t<5秒。
（五）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗
图。
（六）为设备与一个主动裸芯片，都收集器连接到一个共同的接收器。
（七）对于设备有两个活跃的骰子运行在相同的功率，分流沉50 ％，至每个收集器。
第2期 - 2008年10月
Diodes公司2008
2
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ZXTC2063E6
热特性
第2期 - 2008年10月
Diodes公司2008
3
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www.diodes.com
ZXTC2063E6
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
（基地开）
发射极 - 基
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 集电极
击穿电压
（基地开）
集电极 - 基极截止
当前
发射极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
分钟。
典型值。
马克斯。
单位条件
V
V
I
C
= (-)100 A
I
C
= （ - ） 10毫安
(*)
*
130(-45) 170(-80)
(-)40
63(-65)
BV
EBO
BV
ECX
(-)7
(-)6
(-)8.3
(-)7.4
V
V
I
E
= (-)100 A
I
E
= （ - ） 100 A，R
BC
< 1K
0.25V > V
BC
> -0.25V
（ 0.25V < V
BC
< -0.25V ）
I
E
= (-)100 A
or
BV
ECO
6(-3)
7.4(-8.7)
V
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
<1
<1
50(-70)
150
(-175)
135
(-)50
(-)20
(-)50
60(-90)
220
(-260)
195
(-1000)
1050
(-950)
950
( )900
nA
A
nA
V
CB
=100(-36)V
V
CB
= 100 （ -36 ） V，T
AMB
= 100°C
V
EB
= (-)5.6V
我毫伏
C
= （ - ）1A，我
B
= （ - ）百毫安*
我毫伏
C
= （ - ）1A，我
B
= （ - ） * 20毫安
我毫伏
C
= 2A ，我
B
= 40毫安*
MV（我
C
= -3A ，我
B
= -300mA * ）
我毫伏
C
= 3.5A ，我
B
= 350毫安*
MV（我
C
= -3A ，我
B
= -300mA * ）
我毫伏
C
= 3.5A ，我
B
= 350毫安*
MV（我
C
= -3A ，V
CE
= -2V *)
我毫伏
C
= 3.5A ，V
CE
= 2V *
I
C
= （ - ） 10毫安，V
CE
= (-)2V *
I
C
= （ - ） 1A ，V
CE
= (-)2V *
(I
C
= -3A ，V
CE
= -2V *)
I
C
= 3.5A ，V
CE
= 2V *
兆赫我
C
= （ - ） 50毫安，V
CE
= (-)10V
F = 100MHz的
85(-195) 110(-290)
基射极饱和V
BE （ SAT ）
电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE（上）
h
FE
( )300
(20)
40
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
(-935)
960
(-855)
860
( )450
(50)
60
190
(270)
12(17)
64(57)
108(69)
428(154)
130(60)
280(200) 400(280)
20(25)
pF
ns
ns
ns
ns
V
CB
= （ - ） 10V ， F = 1MHz的*
V
CC
= （ - ） 10V。我
C
= （ - ）1A，我
B1
= I
B2
= （ - ） 10毫安。
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
（ ）= PNP
300秒;占空比
2%
第2期 - 2008年10月
Diodes公司2008
4
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ZXTC2063E6
NPN特性
第2期 - 2008年10月
Diodes公司2008
5
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ZXTC2063E6
40V ， SOT23-6 ，互补中功率晶体管
摘要
BV
首席执行官
> 40 （ -40 ）V
BV
ECO
> 6 （ -3 ）V
I
C（ CONT ）
= 3.5 (-3)A
V
CE （ SAT ）
< 60 （ -90 ）毫伏@ 1A
R
CE （ SAT ）
= 38 (58)m
P
D
= 1.1W
描述
先进过程能力已被用于实现
这种高性能的设备。结合NPN和PNP
在SOT23-6封装的晶体管提供了一个紧凑的
溶液于特定的应用程序。
C1
C2
B1
B2
特点
NPN - PNP组合
极低的饱和电压
高增益
SOT23-6封装
E1
E2
C1
B1
C2
顶视图
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
E1
B2
E2
应用
MOSFET和IGBT栅极驱动
电机驱动
订购信息
设备
ZXTC2063E6TA
带尺寸
（英寸）
7
器件标识
2063
第1期 - 2007年10月
捷特科PLC 2007
1
www.zetex.com
ZXTC2063E6
绝对最高和热额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
（ C） （F ）
峰值脉冲电流
基极电流
功率耗散@ T
AMB
= 25°C
（一）（六）
线性降额因子
功率耗散@ T
AMB
= 25°C
（B ） （F ）
线性降额因子
功率耗散@ T
AMB
= 25°C
（ B） （G ）
线性降额因子
功率耗散@ T
AMB
= 25°C
（ C） （F ）
线性降额因子
功率耗散@ T
AMB
= 25°C
（D ） （F ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻结到环境
（一）（六）
热阻结到环境
（B ） （F ）
热阻结到环境
（ B） （G ）
热阻结到环境
（ C） （F ）
热阻结到环境
（D ） （F ）
P
D
T
j
, T
英镑
R
JC
R
JA
R
JC
R
JC
R
JA
P
D
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
极限
130(-45)
40(-40)
6(-3)
7(-7)
3.5(-3)
9(-9)
1(-1)
0.7
5.6
0.9
7.2
1.1
8.8
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
179
139
113
113
73
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）对于器件表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（三）对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，以
静止空气条件。
（ d）由于上述测定t<5秒。
（五）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗
图。
（六）为设备与一个主动裸芯片，都收集器连接到一个共同的接收器。
（七）对于设备有两个活跃的骰子运行在相同的功率，分流沉50 ％，至每个收集器。
第1期 - 2007年10月
捷特科PLC 2007
2
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ZXTC2063E6
热特性
第1期 - 2007年10月
捷特科PLC 2007
3
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ZXTC2063E6
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
（基地开）
发射极 - 基
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 集电极
击穿电压
（基地开）
集电极 - 基极截止
当前
发射极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
分钟。
典型值。
马克斯。
单位条件
V
V
I
C
= (-)100 A
I
C
= （ - ） 10毫安
(*)
*
130(-45) 170(-80)
(-)40
63(-65)
BV
EBO
BV
ECX
(-)7
(-)6
(-)8.3
(-)7.4
V
V
I
E
= (-)100 A
I
E
= （ - ） 100 A，R
BC
< 1K
0.25V > V
BC
> -0.25V
（ 0.25V < V
BC
< -0.25V ）
I
E
= (-)100 A
or
BV
ECO
6(-3)
7.4(-8.7)
V
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
<1
<1
50(-70)
150
(-175)
135
(-)50
(-)20
(-)50
60(-90)
220
(-260)
195
(-1000)
1050
(-950)
950
( )900
nA
A
nA
V
CB
=100(-36)V
V
CB
= 100 （ -36 ） V，T
AMB
= 100°C
V
EB
= (-)5.6V
我毫伏
C
= （ - ）1A，我
B
= （ - ）百毫安*
我毫伏
C
= （ - ）1A，我
B
= （ - ） * 20毫安
我毫伏
C
= 2A ，我
B
= 40毫安*
MV（我
C
= -3A ，我
B
= -300mA * ）
我毫伏
C
= 3.5A ，我
B
= 350毫安*
MV（我
C
= -3A ，我
B
= -300mA * ）
我毫伏
C
= 3.5A ，我
B
= 350毫安*
MV（我
C
= -3A ，V
CE
= -2V *)
我毫伏
C
= 3.5A ，V
CE
= 2V *
I
C
= （ - ） 10毫安，V
CE
= (-)2V *
I
C
= （ - ） 1A ，V
CE
= (-)2V *
(I
C
= -3A ，V
CE
= -2V *)
I
C
= 3.5A ，V
CE
= 2V *
兆赫我
C
= （ - ） 50毫安，V
CE
= (-)10V
F = 100MHz的
85(-195) 110(-290)
基射极饱和V
BE （ SAT ）
电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE（上）
h
FE
( )300
(20)
40
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
(-935)
960
(-855)
860
( )450
(50)
60
190
(270)
12(17)
64(57)
108(69)
428(154)
130(60)
280(200) 400(280)
20(25)
pF
ns
ns
ns
ns
V
CB
= （ - ） 10V ， F = 1MHz的*
V
CC
= （ - ） 10V。我
C
= （ - ）1A，我
B1
= I
B2
= （ - ） 10毫安。
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
（ ）= PNP
300秒;占空比
2%
第1期 - 2007年10月
捷特科PLC 2007
4
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NPN特性
第1期 - 2007年10月
捷特科PLC 2007
5
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40V ， SOT23-6 ，互补中功率晶体管
摘要
BV
首席执行官
> 40 （ -40 ）V
BV
ECO
> 6 （ -3 ）V
I
C（ CONT ）
= 3.5 (-3)A
V
CE （ SAT ）
< 60 （ -90 ）毫伏@ 1A
R
CE （ SAT ）
= 38 (58)m
P
D
= 1.1W
描述
先进过程能力已被用于实现
这种高性能的设备。结合NPN和PNP
在SOT23-6封装的晶体管提供了一个紧凑的
溶液于特定的应用程序。
C1
C2
B1
B2
特点
NPN - PNP组合
极低的饱和电压
高增益
SOT23-6封装
E1
E2
C1
B1
C2
顶视图
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY
每卷
3000
E1
B2
E2
应用
MOSFET和IGBT栅极驱动
电机驱动
订购信息
设备
ZXTC2063E6TA
带尺寸
（英寸）
7
器件标识
2063
第1期 - 2007年10月
捷特科PLC 2007
1
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ZXTC2063E6
绝对最高和热额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压（反向阻断）
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
（ C） （F ）
峰值脉冲电流
基极电流
功率耗散@ T
AMB
= 25°C
（一）（六）
线性降额因子
功率耗散@ T
AMB
= 25°C
（B ） （F ）
线性降额因子
功率耗散@ T
AMB
= 25°C
（ B） （G ）
线性降额因子
功率耗散@ T
AMB
= 25°C
（ C） （F ）
线性降额因子
功率耗散@ T
AMB
= 25°C
（D ） （F ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻结到环境
（一）（六）
热阻结到环境
（B ） （F ）
热阻结到环境
（ B） （G ）
热阻结到环境
（ C） （F ）
热阻结到环境
（D ） （F ）
P
D
T
j
, T
英镑
R
JC
R
JA
R
JC
R
JC
R
JA
P
D
P
D
P
D
P
D
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
ECO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
极限
130(-45)
40(-40)
6(-3)
7(-7)
3.5(-3)
9(-9)
1(-1)
0.7
5.6
0.9
7.2
1.1
8.8
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
179
139
113
113
73
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（二）对于器件表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
（三）对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，以
静止空气条件。
（ d）由于上述测定t<5秒。
（五）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗
图。
（六）为设备与一个主动裸芯片，都收集器连接到一个共同的接收器。
（七）对于设备有两个活跃的骰子运行在相同的功率，分流沉50 ％，至每个收集器。
第1期 - 2007年10月
捷特科PLC 2007
2
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热特性
第1期 - 2007年10月
捷特科PLC 2007
3
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ZXTC2063E6
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
（基地开）
发射极 - 基
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
（反向阻断）
发射极 - 集电极
击穿电压
（基地开）
集电极 - 基极截止
当前
发射极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
分钟。
典型值。
马克斯。
单位条件
V
V
I
C
= (-)100 A
I
C
= （ - ） 10毫安
(*)
*
130(-45) 170(-80)
(-)40
63(-65)
BV
EBO
BV
ECX
(-)7
(-)6
(-)8.3
(-)7.4
V
V
I
E
= (-)100 A
I
E
= （ - ） 100 A，R
BC
< 1K
0.25V > V
BC
> -0.25V
（ 0.25V < V
BC
< -0.25V ）
I
E
= (-)100 A
or
BV
ECO
6(-3)
7.4(-8.7)
V
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
<1
<1
50(-70)
150
(-175)
135
(-)50
(-)20
(-)50
60(-90)
220
(-260)
195
(-1000)
1050
(-950)
950
( )900
nA
A
nA
V
CB
=100(-36)V
V
CB
= 100 （ -36 ） V，T
AMB
= 100°C
V
EB
= (-)5.6V
我毫伏
C
= （ - ）1A，我
B
= （ - ）百毫安*
我毫伏
C
= （ - ）1A，我
B
= （ - ） * 20毫安
我毫伏
C
= 2A ，我
B
= 40毫安*
MV（我
C
= -3A ，我
B
= -300mA * ）
我毫伏
C
= 3.5A ，我
B
= 350毫安*
MV（我
C
= -3A ，我
B
= -300mA * ）
我毫伏
C
= 3.5A ，我
B
= 350毫安*
MV（我
C
= -3A ，V
CE
= -2V *)
我毫伏
C
= 3.5A ，V
CE
= 2V *
I
C
= （ - ） 10毫安，V
CE
= (-)2V *
I
C
= （ - ） 1A ，V
CE
= (-)2V *
(I
C
= -3A ，V
CE
= -2V *)
I
C
= 3.5A ，V
CE
= 2V *
兆赫我
C
= （ - ） 50毫安，V
CE
= (-)10V
F = 100MHz的
85(-195) 110(-290)
基射极饱和V
BE （ SAT ）
电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
V
BE（上）
h
FE
( )300
(20)
40
跃迁频率
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
(-935)
960
(-855)
860
( )450
(50)
60
190
(270)
12(17)
64(57)
108(69)
428(154)
130(60)
280(200) 400(280)
20(25)
pF
ns
ns
ns
ns
V
CB
= （ - ） 10V ， F = 1MHz的*
V
CC
= （ - ） 10V。我
C
= （ - ）1A，我
B1
= I
B2
= （ - ） 10毫安。
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
（ ）= PNP
300秒;占空比
2%
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