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对产品线
Diodes公司
ZXT690BK
45V NPN型中功率高增益晶体管
产品概述
BV
首席执行官
R
SAT
I
C
45V
77m
3A
特点和优点
3安培连续电流
截至6安培峰值电流
低饱和电压
高增益
铅,卤素和无锑,符合RoHS (注1 )
"Green"设备(注2 )
说明与应用
在TO252-3L / DPAK封装的外形这种高增益45V NPN
晶体管提供低导通损耗,非常适合在DC- DC应用
电路和各种驱动和电源管理功能。
直流 - 直流转换器
MOSFET栅极驱动器
充电电路
电源开关
海妖司机
机械数据
案例: TO252-3L / DPAK
C
C
B
C
E
顶视图
等效电路
B
封装引脚
CON组fi guration
E
订购信息
产品
ZXT690BKTC
注意事项:
记号
ZXT690B
带尺寸
13英寸
胶带宽度
16毫米浮雕
QUANTITY每卷
2500台
1.没有故意添加铅。卤素和无锑。
2.二极管Inc.`s “绿色”政策,可以在我们的网站上找到的http://www.diodes.com
标识信息
ZXT
ZXT690B =产品型号标识代码
690B
ZXT690BK
文件编号: DS31996修订版2 - 2
1 7
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2009年10月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
ZXT690BK
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
基极电流
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
I
B
价值
60
45
5
3
6
0.5
单位
V
V
V
A
A
A
特征
热特性
特征
功率耗散(注3 ) @ T
A
= 25°C
线性降额因子
热阻,结到环境(注1 )
功率耗散(注4 ) @ T
A
= 25°C
线性降额因子
热阻,结到环境(注2 )
功率耗散(注5 ) @ T
A
= 25°C
线性降额因子
热阻,结到环境(注3 )
工作和存储温度范围
注意事项:
符号
P
D
R
θ
JA
P
D
R
θ
JA
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
2.1
16.85
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
59
3.0
24.4
41
3.9
30.9
32
-55到+150
3.对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的FR4 PCB ,在静止空气条件。
4,对于设备的表面安装在50毫米×50毫米的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜在静止空气条件。
5.对于设备的表面安装在50毫米×50毫米的FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜在静止空气条件。
ZXT690BK
文件编号: DS31996修订版2 - 2
2 7
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对产品线
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ZXT690BK
典型特征
ZXT690BK
文件编号: DS31996修订版2 - 2
3 7
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对产品线
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ZXT690BK
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
60
45
5
典型值
145
65
8.2
<1
<1
<1
50
240
210
230
1.0
0.9
最大
20
20
20
85
360
320
350
1.2
1.1
mV
mV
mV
单位
V
V
V
nA
nA
nA
测试条件
I
C
= 100μA
I
C
= 10毫安
I
E
= 100μA
V
CB
= 35V
V
CB
= 35V
V
EB
= 4V
I
C
= 0.1A ,我
B
- 0.5毫安
I
C
= 1A ,我
B
= 5毫安
I
C
= 2A ,我
B
= 40毫安
I
C
= 3A ,我
B
= 150毫安
I
C
= 3A ,我
B
= 150毫安
I
C
= 3A ,V
CE
= 2V
I
C
= 100mA时V
CE
= 2V
I
C
= 1A ,V
CE
= 2V
I
C
= 2A ,V
CE
= 2V
I
C
= 3A ,V
CE
= 2V
16
33
1300
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= 50mA时V
CE
= 5V , F =
50MHz
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
I
C
= 500毫安,V
CC
= 10V,
I
B1
= I
B2
= 50毫安
集电极 - 发射极击穿电压(注6 )
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压(注6 )
V
CE ( SAT )
基射极饱和电压(注6 )
基射极导通电压(注6 )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
500
400
150
60
直流电流增益(注6 )
h
FE
电流增益带宽积
输出电容(注6 )
开启时间
打开-O FF时间
注意事项:
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
脉冲条件下测得6 。脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
ZXT690BK
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对产品线
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ZXT690BK
典型特征
ZXT690BK
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ZXT690BK
45V NPN型中功率高增益晶体管的D- PAK
摘要
BV
首席执行官
= 45V ,R
SAT
= 77米;我
C
= 3A
描述
打包在D-朴大纲这个高增益45V NPN晶体管提供低导通状态
亏损使得它非常适用于DC-DC电路和各种驱动和电源使用
管理功能。
特点
3安培连续电流
截至6安培峰值电流
低饱和电压
高增益
DPAK
应用
直流 - 直流转换器
MOSFET栅极驱动器
充电电路
电源开关
海妖司机
订购信息
设备
ZXT690BKTC
REEL
SIZE
13"
胶带宽度
16毫米浮雕
QUANTITY每卷
2500台
引脚
器件标识
ZXT690B
第1期 - 2003年6月
1
半导体
ZXT690BK
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
基极电流
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
(a)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
极限
60
45
5
3
6
0.5
2.1
16.8
59
单位
V
V
V
A
A
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
热阻结到环境
(b)
P
D
3.0
24.4
41
热阻结到环境
(c)
P
D
3.9
30.9
32
热阻结到环境
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
-55到+150
笔记
(一)对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
(二)对于器件表面安装在50毫米×50毫米的FR4 PCB板依然在高覆盖率的单面盎司镀铜
空气状况。
(三)对于设备的表面安装在50毫米×50毫米的FR4 PCB板依然在高覆盖率的单面2盎司覆铜
空气状况。
第1期 - 2003年6月
半导体
2
ZXT690BK
典型特征
第1期 - 2003年6月
3
半导体
ZXT690BK
电气特性
(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
V
CE ( SAT )
分钟。
60
45
5
典型值。
145
65
8.2
<1
<1
<1
50
240
210
230
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
500
400
150
60
跃迁频率
输出电容
开关时间
f
T
C
敖包
t
ON
t
关闭
笔记
(1)
脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
150
16
33
1300
300秒;占空比
2%.
1.0
0.9
20
20
20
85
360
320
350
1.2
1.1
MAX 。单位条件
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
= 100 A
I
C
= 10毫安
(1)
I
E
= 100 A
V
CB
= 35V
V
CB
= 35V
V
EB
= 4V
I
C
= 0.1A ,我
B
- 0.5毫安
(1)
I
C
= 1A ,我
B
= 5毫安
(1)
I
C
= 2A ,我
B
= 40毫安
(1)
I
C
= 3A ,我
B
= 150毫安
I
C
= 3A ,我
B
= 150毫安
(1)
I
C
= 3A ,V
CE
= 2V
(1)
I
C
= 100mA时V
CE
= 2V
(1)
I
C
= 1A ,V
CE
= 2V
(1)
I
C
= 2A ,V
CE
= 2V
(1)
I
C
= 3A ,V
CE
= 2V
(1)
兆赫我
C
= 50mA时V
CE
= 5V
F = 50MHz的
pF
ns
ns
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
(1)
I
C
= 500毫安,V
CC
= 10V,
I
B1
= I
B2
= 50毫安
第1期 - 2003年6月
半导体
4
ZXT690BK
典型特征
第1期 - 2003年6月
5
半导体
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封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ZXT690BKTC
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1977615742 复制 点击这里给我发消息 QQ:2276916927 复制

电话:18929336553
联系人:陈先生\陈小姐
地址:深圳市龙华区大浪街道龙平社区腾龙路淘金地电子商务孵化基地展滔商业广场E座512
ZXT690BKTC
DIODES
21+
16000
TO-252
只做原装正品,深圳现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
ZXT690BKTC
Diodes
22+
8923
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
ZXT690BKTC
DIODES美台
21+
40000
TO-252-2(
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
ZXT690BKTC
ZETEX
2024
20000
TO-252
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
ZXT690BKTC
ZETEX
2024
20000
TO-252
原装现货上海库存,欢迎咨询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885658492 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885637848 复制
电话:0755-84502810
联系人:甘先生
地址:深圳市龙岗区布澜路76号东久创新科技园7栋A1306室/香港九龙观塘成业街19-21号成业工业大厦8/F14室
ZXT690BKTC
DIODES
24+
25000
原装原封
百分百原装正品假一罚十!技术支持!代理
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电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
ZXT690BKTC
DIODES
1922+
9825
TO252
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:657995889 复制

电话:0755*83682918
联系人:林小姐
地址:深圳市福田区华强花园A座30E
ZXT690BKTC
DIODES/美台
22+
18000
SOT-252
原装现货,欢迎查询!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1076493713 复制 点击这里给我发消息 QQ:173779730 复制
电话:0755-82170267
联系人:李经理
地址:深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
ZXT690BKTC
DIODES/美台
22+
48129
DIP-16
有挂就有货 支持订货.备货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ:1484215649 复制

电话:021-51875986/51872153
联系人:陈小姐 张先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
ZXT690BKTC
ZETEX
21+
29000
TO252
全新原装,欢迎订购!
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