ZXT12P12DX
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在TA功耗= 25° C（一） （四）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（一） （五）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ） （D ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
极限
-20
-12
-7.5
-15
-3
-500
0.87
6.9
1.04
8.3
1.25
10
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境（一）， （四）
结到环境（B ） （D ）
结到环境（一）， （五）
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
143
100
120
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。参见瞬态热
阻抗曲线图。
（ d）对于设备与一个有源裸片。
（五）对于设备在与同等功率两个活动模运行。
第1期 - 2000年3月
2
ZXT12P12DX
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
-8
-65
-195
-140
-0.88
-0.84
300
300
200
20
450
450
300
40
85
75
100
1710
分钟。
-20
-12
-7.5
典型值。
-35
-28
-8.5
-100
-100
-100
-11
-85
-270
-190
-0.95
-0.90
900
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=-100 A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100 A
V
CB
=-16V
V
EB
=-6V
V
CES
=-16V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-10mA*
I
C
= -1A ，我
B
=20mA*
I
C
= -3A ，我
B
=-30mA*
I
C
= -3A ，我
B
=-150mA*
I
C
= -3A ，我
B
=-30mA*
I
C
= -3A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -3A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -12A ，V
CE
=-2V*
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
f=-50MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
V
CC
= -10V ，我
C
=-3A
I
B1
=I
B2
=-60mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
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4
ZXT12P12DX
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在TA功耗= 25° C（一） （四）
线性降额因子
在TA功耗= 25° C（一） （五）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ） （D ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
极限
-20
-12
-7.5
-15
-3
-500
0.87
6.9
1.04
8.3
1.25
10
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境（一）， （四）
结到环境（B ） （D ）
结到环境（一）， （五）
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
143
100
120
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。参见瞬态热
阻抗曲线图。
（ d）对于设备与一个有源裸片。
（五）对于设备在与同等功率两个活动模运行。
第1期 - 2000年3月
2
ZXT12P12DX
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
-8
-65
-195
-140
-0.88
-0.84
300
300
200
20
450
450
300
40
85
75
100
1710
分钟。
-20
-12
-7.5
典型值。
-35
-28
-8.5
-100
-100
-100
-11
-85
-270
-190
-0.95
-0.90
900
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=-100 A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100 A
V
CB
=-16V
V
EB
=-6V
V
CES
=-16V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-10mA*
I
C
= -1A ，我
B
=20mA*
I
C
= -3A ，我
B
=-30mA*
I
C
= -3A ，我
B
=-150mA*
I
C
= -3A ，我
B
=-30mA*
I
C
= -3A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -3A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -12A ，V
CE
=-2V*
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
f=-50MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
V
CC
= -10V ，我
C
=-3A
I
B1
=I
B2
=-60mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第1期 - 2000年3月
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