ZXT11N20DF
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在TA功耗= 25° C（一）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
极限
40
20
7.5
5
2.5
500
625
5
806
6.4
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
200
155
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
第1期 - 1999年12月
2
ZXT11N20DF
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
7
65
40
90
0.9
0.85
200
300
250
150
100
160
20
122
295
分钟。
40
20
7.5
100
100
100
12
100
60
130
1.0
1.0
900
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=100 A
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=32V
V
EB
=6V
V
CES
=32V
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=100mA*
I
C
= 2.5A ，我
B
=250mA*
I
C
= 2.5A ，我
B
=250mA*
I
C
= 2.5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 100mA时V
CE
=2V*
I
C
= 1A ，V
CE
=2V*
I
C
= 3A ，V
CE
=2V*
I
C
= 5A ，V
CE
=2V*
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=50MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 10V ，我
C
=2A
I
B1
=I
B2
=20mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第1期 - 1999年12月
4
ZXT11N20DF
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在TA功耗= 25° C（一）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
极限
40
20
7.5
5
2.5
500
625
5
806
6.4
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
200
155
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
第1期 - 1999年12月
2
ZXT11N20DF
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
7
65
40
90
0.9
0.85
200
300
250
150
100
160
20
122
295
分钟。
40
20
7.5
100
100
100
12
100
60
130
1.0
1.0
900
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=100 A
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=32V
V
EB
=6V
V
CES
=32V
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=100mA*
I
C
= 2.5A ，我
B
=250mA*
I
C
= 2.5A ，我
B
=250mA*
I
C
= 2.5A ，V
CE
=2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 100mA时V
CE
=2V*
I
C
= 1A ，V
CE
=2V*
I
C
= 3A ，V
CE
=2V*
I
C
= 5A ，V
CE
=2V*
兆赫
pF
ns
ns
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=50MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 10V ，我
C
=2A
I
B1
=I
B2
=20mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第1期 - 1999年12月
4
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