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ZXT10N50DE6
SuperSOT
50V NPN硅低饱和开关晶体管
摘要
V
首席执行官
= 50V ;
SAT
= 75米;我
C
= 3A
描述
这个新的第四代超低饱和晶体管采用Zetex的
矩阵结构，结合先进的装配技术给
极低的导通损耗。这使得它非常适用于高效率，低
电压开关应用。
特点
低等效导通电阻
超低饱和电压
h
FE
特征值最高达12A
I
C
= 3A连续集电极电流
SOT23-6封装
SOT23-6
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
电源开关
电机控制
订购信息
设备
ZXT10N50DE6TA
ZXT10N50DE6TC
器件标识
619
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度
(mm)
8毫米浮雕
8毫米浮雕
QUANTITY
每卷
3000台
C
C
B
顶视图
C
C
E
10000台
第1期 - 2000年9月
1
ZXT10N50DE6
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在TA功耗= 25° C（一）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
极限
50
50
5
6
3
500
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
73
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
第1期 - 2000年9月
2
ZXT10N50DE6
典型特征
第1期 - 2000年9月
3
ZXT10N50DE6
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
14
145
115
225
0.93
0.88
200
300
200
100
100
400
450
400
225
40
165
12
170
750
20
兆赫
pF
ns
ns
分钟。
50
50
5
典型值。
190
65
8.3
100
100
100
20
200
200
300
1.0
0.95
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=100 A
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=40V
V
EB
=4V
V
CES
=40V
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 2A ，我
B
=50mA*
I
C
= 3A ，我
B
=100mA*
I
C
= 3A ，我
B
=100mA*
I
C
= 3A ，V
CE
=2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 0.2A ，V
CE
=2V*
I
C
= 1A ，V
CE
=2V*
I
C
= 2A ，V
CE
=2V*
I
C
= 6A ，V
CE
=2V*
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 10V ，我
C
=1A
I
B1
=I
B2
=10mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第1期 - 2000年9月
4
ZXT10N50DE6
典型特征
第1期 - 2000年9月
5
ZXT10N50DE6
SuperSOT
50V NPN硅低饱和开关晶体管
摘要
V
首席执行官
= 50V ;
SAT
= 75米;我
C
= 3A
描述
这个新的第四代超低饱和晶体管采用Zetex的
矩阵结构，结合先进的装配技术给
极低的导通损耗。这使得它非常适用于高效率，低
电压开关应用。
特点
低等效导通电阻
超低饱和电压
h
FE
特征值最高达12A
I
C
= 3A连续集电极电流
SOT23-6封装
SOT23-6
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
电源开关
电机控制
订购信息
设备
ZXT10N50DE6TA
ZXT10N50DE6TC
器件标识
619
带尺寸
（英寸）
7
13
胶带宽度
(mm)
8毫米浮雕
8毫米浮雕
QUANTITY
每卷
3000台
C
C
B
顶视图
C
C
E
10000台
第1期 - 2000年9月
1
ZXT10N50DE6
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在TA功耗= 25° C（一）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
极限
50
50
5
6
3
500
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
P
D
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
73
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
第1期 - 2000年9月
2
ZXT10N50DE6
典型特征
第1期 - 2000年9月
3
ZXT10N50DE6
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
14
145
115
225
0.93
0.88
200
300
200
100
100
400
450
400
225
40
165
12
170
750
20
兆赫
pF
ns
ns
分钟。
50
50
5
典型值。
190
65
8.3
100
100
100
20
200
200
300
1.0
0.95
马克斯。
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
V
V
条件。
I
C
=100 A
I
C
=10mA*
I
E
=100 A
V
CB
=40V
V
EB
=4V
V
CES
=40V
I
C
= 0.1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 1A ，我
B
=10mA*
I
C
= 2A ，我
B
=50mA*
I
C
= 3A ，我
B
=100mA*
I
C
= 3A ，我
B
=100mA*
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C
= 3A ，V
CE
=2V*
I
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= 10毫安，V
CE
=2V*
I
C
= 0.2A ，V
CE
=2V*
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= 1A ，V
CE
=2V*
I
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= 2A ，V
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=2V*
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= 6A ，V
CE
=2V*
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= 50mA时V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 10V ，我
C
=1A
I
B1
=I
B2
=10mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输
比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%
第1期 - 2000年9月
4
ZXT10N50DE6
典型特征
第1期 - 2000年9月
5
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