【ZXT1053AK75V NPN低饱和中功率晶体管D- PAK摘要BV首席执行官= 75V ，RSA】,IC型号ZXT1053AK,ZXT1053AK PDF资料,ZXT1053AK经销商,ic,电子元器件-51电子网

ZXT1053AK

75V NPN低饱和中功率晶体管D- PAK

摘要

BV

首席执行官

= 75V ，R

SAT

= 70m

描述

打包在D-朴外形高电流高增益75V NPN晶体管

提供低导通损耗，非常适合在DC-DC电路和各种使用

驱动和电源管理功能。

典型;我

C

= 5A

特点

5安培连续电流

高达10安培的峰值电流

低等效导通电阻

低饱和电压

高

FE

（ 300分@ 1A）

DPAK

应用

直流 - 直流转换器

直流 - 直流模块

电源开关

电机控制

汽车电路

逆变器电路

引脚

订购信息

设备

ZXT1053AKTC

REEL

SIZE

13”

TAPE

宽度

16mm

单位数量

REEL

2500台

器件标识

ZXT1053A

顶视图

第2期 - 2003年12月

1

半导体

ZXT1053AK

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

(b)

峰值脉冲电流

在T功耗

A

=25°C

(a)

线性降额因子

在T功耗

A

=25°C

线性降额因子

在T功耗

A

=25°C

线性降额因子

(c)

(b)

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

C

I

CM

P

D

P

D

P

D

T

j

, T

英镑

极限

150

75

7

5

10

2.1

16.8

3.4

27.4

4.4

9.3

-55到+150

单位

V

A

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

°C

工作和存储温度范围

热阻

参数

结到环境

(a)

结到环境

(b)

结到环境

(c)

符号

R

JA

R

JA

R

JA

价值

59

36

28

单位

° C / W

笔记

（一）（对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜在静止空气条件。

（二）对于器件表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜在静止空气条件。

（三）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜在静止空气条件。

第2期 - 2003年12月

半导体

2

ZXT1053AK

典型特征

第2期 - 2003年12月

3

半导体

ZXT1053AK

电气特性

（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

符号

BV

CBO

BV

CES

BV

首席执行官

BV

CEV

BV

EBO

I

CBO

I

CES

I

EBO

V

CE （ SAT ）

分钟。

150

75

150

7

典型值。

240

90

240

8.7

1

19

70

120

140

350

基射极饱和电压

基射极导通电压

静态正向电流传输比

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

H

FE

260

300

50

10

跃迁频率

输出电容

开关时间

f

T

C

敖包

t

ON

t

关闭

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度

1.0

0.925

375

450

75

25

140

21

162

900

300秒;占空比

2%.

30

1200

10

30

95

160

190

460

1.1

1.05

MAX 。单位条件

V

nA

mV

I

C

=100 A

I

C

=100 A

I

C

=10mA*

I

C

-1 A，V

EB

=1V

I

E

=100 A

V

CB

=120V

V

CES

=120V

V

EB

=6V

I

C

= 0.2A ，我

B

=20mA*

I

C

= 1A ，我

B

=100mA*

I

C

= 1A ，我

B

=10mA*

I

C

= 2A ，我

B

=100mA*

I

C

= 5A ，我

B

=200mA*

I

C

= 5A ，我

B

=200mA*

I

C

= 5A ，V

CE

=2V*

I

C

= 10毫安，V

CE

=2V*

I

C

= 1A ，V

CE

=2V*

I

C

= 5A ，V

CE

=2V*

I

C

= 10A ，V

CE

=2V*

兆赫我

C

= 50mA时V

CE

=10V

f=100MHz

pF

nS

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的*

I

C

= 2A ，V

CC

=50V,

I

B1

=I

B2

=20mA

第2期 - 2003年12月

半导体

4

ZXT1053AK

典型特征

第2期 - 2003年12月

5

半导体

ZXT1053AK

75V NPN低饱和中功率晶体管D- PAK

摘要

BV

首席执行官

= 75V ，R

SAT

= 70m

描述

打包在D-朴外形高电流高增益75V NPN晶体管

提供低导通损耗，非常适合在DC-DC电路和各种使用

驱动和电源管理功能。

典型;我

C

= 5A

特点

5安培连续电流

高达10安培的峰值电流

低等效导通电阻

低饱和电压

高

FE

（ 300分@ 1A）

DPAK

应用

直流 - 直流转换器

直流 - 直流模块

电源开关

电机控制

汽车电路

逆变器电路

引脚

订购信息

设备

ZXT1053AKTC

REEL

SIZE

13”

TAPE

宽度

16mm

单位数量

REEL

2500台

器件标识

ZXT1053A

顶视图

第2期 - 2003年12月

1

半导体

ZXT1053AK

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

(b)

峰值脉冲电流

在T功耗

A

=25°C

(a)

线性降额因子

在T功耗

A

=25°C

线性降额因子

在T功耗

A

=25°C

线性降额因子

(c)

(b)

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

C

I

CM

P

D

P

D

P

D

T

j

, T

英镑

极限

150

75

7

5

10

2.1

16.8

3.4

27.4

4.4

9.3

-55到+150

单位

V

A

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

°C

工作和存储温度范围

热阻

参数

结到环境

(a)

结到环境

(b)

结到环境

(c)

符号

R

JA

R

JA

R

JA

价值

59

36

28

单位

° C / W

笔记

（一）（对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜在静止空气条件。

（二）对于器件表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜在静止空气条件。

（三）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜在静止空气条件。

第2期 - 2003年12月

半导体

2

ZXT1053AK

典型特征

第2期 - 2003年12月

3

半导体

ZXT1053AK

电气特性

（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

符号

BV

CBO

BV

CES

BV

首席执行官

BV

CEV

BV

EBO

I

CBO

I

CES

I

EBO

V

CE （ SAT ）

分钟。

150

75

150

7

典型值。

240

90

240

8.7

1

19

70

120

140

350

基射极饱和电压

基射极导通电压

静态正向电流传输比

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

H

FE

260

300

50

10

跃迁频率

输出电容

开关时间

f

T

C

敖包

t

ON

t

关闭

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度

1.0

0.925

375

450

75

25

140

21

162

900

300秒;占空比

2%.

30

1200

10

30

95

160

190

460

1.1

1.05

MAX 。单位条件

V

nA

mV

I

C

=100 A

I

C

=100 A

I

C

=10mA*

I

C

-1 A，V

EB

=1V

I

E

=100 A

V

CB

=120V

V

CES

=120V

V

EB

=6V

I

C

= 0.2A ，我

B

=20mA*

I

C

= 1A ，我

B

=100mA*

I

C

= 1A ，我

B

=10mA*

I

C

= 2A ，我

B

=100mA*

I

C

= 5A ，我

B

=200mA*

I

C

= 5A ，我

B

=200mA*

I

C

= 5A ，V

CE

=2V*

I

C

= 10毫安，V

CE

=2V*

I

C

= 1A ，V

CE

=2V*

I

C

= 5A ，V

CE

=2V*

I

C

= 10A ，V

CE

=2V*

兆赫我

C

= 50mA时V

CE

=10V

f=100MHz

pF

nS

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的*

I

C

= 2A ，V

CC

=50V,

I

B1

=I

B2

=20mA

第2期 - 2003年12月

半导体

4

ZXT1053AK

典型特征

第2期 - 2003年12月

5

半导体

ZXT1053AK

75V NPN低饱和中功率晶体管D- PAK

摘要

BV

首席执行官

= 75V ，R

SAT

= 70m

描述

打包在D-朴外形高电流高增益75V NPN晶体管

提供低导通损耗，非常适合在DC-DC电路和各种使用

驱动和电源管理功能。

典型;我

C

= 5A

特点

5安培连续电流

高达10安培的峰值电流

低等效导通电阻

低饱和电压

高

FE

（ 300分@ 1A）

DPAK

应用

直流 - 直流转换器

直流 - 直流模块

电源开关

电机控制

汽车电路

逆变器电路

引脚

订购信息

设备

ZXT1053AKTC

REEL

SIZE

13”

TAPE

宽度

16mm

单位数量

REEL

2500台

器件标识

ZXT1053A

顶视图

第2期 - 2003年12月

1

半导体

ZXT1053AK

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

(b)

峰值脉冲电流

在T功耗

A

=25°C

(a)

线性降额因子

在T功耗

A

=25°C

线性降额因子

在T功耗

A

=25°C

线性降额因子

(c)

(b)

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

C

I

CM

P

D

P

D

P

D

T

j

, T

英镑

极限

150

75

7

5

10

2.1

16.8

3.4

27.4

4.4

9.3

-55到+150

单位

V

A

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

°C

工作和存储温度范围

热阻

参数

结到环境

(a)

结到环境

(b)

结到环境

(c)

符号

R

JA

R

JA

R

JA

价值

59

36

28

单位

° C / W

笔记

（一）（对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜在静止空气条件。

（二）对于器件表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜在静止空气条件。

（三）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜在静止空气条件。

第2期 - 2003年12月

半导体

2

ZXT1053AK

典型特征

第2期 - 2003年12月

3

半导体

ZXT1053AK

电气特性

（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

符号

BV

CBO

BV

CES

BV

首席执行官

BV

CEV

BV

EBO

I

CBO

I

CES

I

EBO

V

CE （ SAT ）

分钟。

150

75

150

7

典型值。

240

90

240

8.7

1

19

70

120

140

350

基射极饱和电压

基射极导通电压

静态正向电流传输比

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

H

FE

260

300

50

10

跃迁频率

输出电容

开关时间

f

T

C

敖包

t

ON

t

关闭

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度

1.0

0.925

375

450

75

25

140

21

162

900

300秒;占空比

2%.

30

1200

10

30

95

160

190

460

1.1

1.05

MAX 。单位条件

V

nA

mV

I

C

=100 A

I

C

=100 A

I

C

=10mA*

I

C

-1 A，V

EB

=1V

I

E

=100 A

V

CB

=120V

V

CES

=120V

V

EB

=6V

I

C

= 0.2A ，我

B

=20mA*

I

C

= 1A ，我

B

=100mA*

I

C

= 1A ，我

B

=10mA*

I

C

= 2A ，我

B

=100mA*

I

C

= 5A ，我

B

=200mA*

I

C

= 5A ，我

B

=200mA*

I

C

= 5A ，V

CE

=2V*

I

C

= 10毫安，V

CE

=2V*

I

C

= 1A ，V

CE

=2V*

I

C

= 5A ，V

CE

=2V*

I

C

= 10A ，V

CE

=2V*

兆赫我

C

= 50mA时V

CE

=10V

f=100MHz

pF

nS

V

CB

= 10V ， F = 1MHz的*

I

C

= 2A ，V

CC

=50V,

I

B1

=I

B2

=20mA

第2期 - 2003年12月

半导体

4

ZXT1053AK

典型特征

第2期 - 2003年12月

5

半导体