ZXSC440
绝对最大额定值
参数
V
CC
DRIVE
准备
收费
V
FB
， SENSE
工作温度
储存温度
在25℃时的功耗
极限
-0.3至+10
-0.3到V
CC
+ 0.3
-0.3到V
CC
+ 0.3
-0.3至（ 5.0 ）或下部（Ⅴ
CC
+0.3)
-0.3至（ 5.0 ）或下部（Ⅴ
CC
+0.3)
-40至+85
-55到+150
450
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
mW
电气特性
（测试条件V
CC
= 3V ，T = 25° C除非另有说明）
符号
V
CC
Iq
(1)
参数
V
CC
范围
静态电流
关断电流
效率
参考宽容
参考温度有限公司
放电脉冲宽度
工作频率
条件
分钟。
1.8
典型值。
马克斯。
8
220
单位
V
A
A
%
%
%/°C
s
V
CC
=8V
4.5
85
1.8V ＆ LT ; V
CC
＆ LT ; 8V
1.8V ＆ LT ; V
CC
＆ LT ; 8V
-3.0
0.005
1.7
I
STDN
EFF
(2)
加
REF
TCO
REF
T
DRV
F
OSC
输入参数
V
SENSE
I
SENSE
V
FB
I
FB
VIL
dV
LN
输出参数
I
DRIVE
V
DRIVE
C
DRIVE
VOH
准备
VOL
准备
T
准备
dI
LD
(2)
(3)
3.0
200
千赫
检测电压
检测输入电流
反馈电压
反馈输入电流
关断阈值
关断阈值
线路电压调整
V
FB
=0V;V
SENSE
=0V
V
FB
=0V;V
SENSE
=0V
22
-1
291
-1.2
1.5
0
28
-7
300
34
-15
309
-4.5
V
CC
0.55
mV
A
mV
A
V
V
%/V
VIH
0.5
晶体管的驱动电流
晶体管的电压驱动
MOSFET栅极驱动cpbty
Ready标志输出高电平
Ready标志输出低电平
V
DRIVE
= 0.7V
2
0
3.4
5
V
CC
-0.4
mA
V
pF
300
I
EOR
= -300nA ，T
A
=25°C
I
EOR
= 1毫安，T
A
=25°C
T
A
=25°C
2.5
0
195
0.01
V
CC
1
V
V
s
％ / mA的
负载电流调节
笔记
（ 1）不包括栅极/基极驱动电流。
（ 2 ）售后不退是典型的一半是在3V 。
（ 3 ）关断引脚电压不得超过（ VCC + 0.3V ）或5V ，以较低者为准。
草案本期 - 2004年5月
半导体
2
ZXSC440
绝对最大额定值
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
DRIVE
V
FB
SENSE
N / C
收费
准备
GND
V
CC
启动照相闪光灯电容充电
信号微处理器时照相闪光灯电容充电
地
电源电压， 1.8V至8V
描述
驱动器输出的外部开关晶体管。连接到基座外部或门
开关晶体管
基准电压。内部阈值设置为300mV的。连接外部电阻
网络设置输出电压
电感电流检测输入。内部阈值电压设置为28MV 。连
外部检测电阻器
框图
草案本期 - 2004年5月
3
半导体
ZXSC440
设备描述
带隙基准
所有的阈值电压和内部电流衍生
从温度补偿带隙基准
电路与标称1.22V的参考电压。如果
REF端子被用作外部基准
设备，最大负荷不应超过± 2 A.
动态驱动器输出
根据不同的输入信号，输出是任
"LOW"或"HIGH" 。在高速状态下的电流3.4毫安
源（最大驱动电压= V
CC
-0.4V ）驱动的基础
或外部晶体管的栅极。为了操作的
在最佳效率外部开关晶体管，
两个输出状态与一个短瞬时启动
电流以快速放电碱或
开关晶体管的栅极。
开关电路
该开关电路包括两个比较器，
器Comp1和器Comp2 ，一个门U1 ，一个单稳态和
驱动输出。一般情况下，变频器的输出是"HIGH" ;该
外部开关晶体管导通。当前
倾斜上升在电感器，开关晶体管和
外部电流检测电阻。这个电压是
感测到比较器，器Comp2 ，在输入感。一旦
跨越感测电阻器的电流检测电压
超过28MV ，比较器Comp2 ，通过门U1 ，
触发再触发的单稳态和关闭
输出驱动级为1.7秒。电感放电
入储电容器。经过1.7秒的新收费
周期的开始，因此斜坡的输出电压。当
输出电压达到标称值和V
FB
得到超过300mV的输入电压，则
单稳态是从器Comp1被迫"on"通过门
U1，直到反馈电压低于300mV的。该
上述动作继续保持监管与
对反馈的阈值略有滞后。
READY探测器
就绪电路是一个再触发的195 s
单稳态，其被重新触发由每向下
调节比较器Comp1的动作。只要
调控发生时，输出READY是"HIGH" （高
阻抗100K到V
CC
） 。输出的短暂降
小于195 S间电压将被忽略。如果输出
电压低于标称值以上
195 S，输出READY变为"LOW" 。这可以用于
信号给该闪光单元具有照相机控制器
完全充电并准备使用。
草案本期 - 2004年5月
半导体
4
ZXSC440
绝对最大额定值
参数
V
CC
DRIVE
准备
收费
V
FB
， SENSE
工作温度
储存温度
在25℃时的功耗
极限
-0.3至+10
-0.3到V
CC
+ 0.3
-0.3到V
CC
+ 0.3
-0.3至（ 5.0 ）或下部（Ⅴ
CC
+0.3)
-0.3至（ 5.0 ）或下部（Ⅴ
CC
+0.3)
-40至+85
-55到+150
450
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
mW
电气特性
（测试条件V
CC
= 3V ，T = 25° C除非另有说明）
符号
V
CC
Iq
(1)
参数
V
CC
范围
静态电流
关断电流
效率
参考宽容
参考温度有限公司
放电脉冲宽度
工作频率
条件
分钟。
1.8
典型值。
马克斯。
8
220
单位
V
A
A
%
%
%/°C
s
V
CC
=8V
4.5
85
1.8V ＆ LT ; V
CC
＆ LT ; 8V
1.8V ＆ LT ; V
CC
＆ LT ; 8V
-3.0
0.005
1.7
I
STDN
EFF
(2)
加
REF
TCO
REF
T
DRV
F
OSC
输入参数
V
SENSE
I
SENSE
V
FB
I
FB
VIL
dV
LN
输出参数
I
DRIVE
V
DRIVE
C
DRIVE
VOH
准备
VOL
准备
T
准备
dI
LD
(2)
(3)
3.0
200
千赫
检测电压
检测输入电流
反馈电压
反馈输入电流
关断阈值
关断阈值
线路电压调整
V
FB
=0V;V
SENSE
=0V
V
FB
=0V;V
SENSE
=0V
22
-1
291
-1.2
1.5
0
28
-7
300
34
-15
309
-4.5
V
CC
0.55
mV
A
mV
A
V
V
%/V
VIH
0.5
晶体管的驱动电流
晶体管的电压驱动
MOSFET栅极驱动cpbty
Ready标志输出高电平
Ready标志输出低电平
V
DRIVE
= 0.7V
2
0
3.4
5
V
CC
-0.4
mA
V
pF
300
I
EOR
= -300nA ，T
A
=25°C
I
EOR
= 1毫安，T
A
=25°C
T
A
=25°C
2.5
0
195
0.01
V
CC
1
V
V
s
％ / mA的
负载电流调节
笔记
（ 1）不包括栅极/基极驱动电流。
（ 2 ）售后不退是典型的一半是在3V 。
（ 3 ）关断引脚电压不得超过（ VCC + 0.3V ）或5V ，以较低者为准。
第1期 - 2005年1月
半导体
2
ZXSC440
绝对最大额定值
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
DRIVE
V
FB
SENSE
N / C
收费
准备
GND
V
CC
启动照相闪光灯电容充电
信号微处理器时照相闪光灯电容充电
地
电源电压， 1.8V至8V
描述
驱动器输出的外部开关晶体管。连接到基座外部或门
开关晶体管
基准电压。内部阈值设置为300mV的。连接外部电阻
网络设置输出电压
电感电流检测输入。内部阈值电压设置为28MV 。连
外部检测电阻器
框图
第1期 - 2005年1月
3
半导体
ZXSC440
设备描述
带隙基准
所有的阈值电压和内部电流衍生
从温度补偿带隙基准
电路与标称1.22V的参考电压。如果
REF端子被用作外部基准
设备，最大负荷不应超过± 2 A.
动态驱动器输出
根据不同的输入信号，输出是任
"LOW"或"HIGH" 。在高速状态下的电流3.4毫安
源（最大驱动电压= V
CC
-0.4V ）驱动的基础
或外部晶体管的栅极。为了操作的
在最佳效率外部开关晶体管，
两个输出状态与一个短瞬时启动
电流以快速放电碱或
开关晶体管的栅极。
开关电路
该开关电路包括两个比较器，
器Comp1和器Comp2 ，一个门U1 ，一个单稳态和
驱动输出。一般情况下，变频器的输出是"HIGH" ;该
外部开关晶体管导通。当前
倾斜上升在电感器，开关晶体管和
外部电流检测电阻。这个电压是
感测到比较器，器Comp2 ，在输入感。一旦
跨越感测电阻器的电流检测电压
超过28MV ，比较器Comp2 ，通过门U1 ，
触发再触发的单稳态和关闭
输出驱动级为1.7秒。电感放电
入储电容器。经过1.7秒的新收费
周期的开始，因此斜坡的输出电压。当
输出电压达到标称值和V
FB
得到超过300mV的输入电压，则
单稳态是从器Comp1被迫"on"通过门
U1，直到反馈电压低于300mV的。该
上述动作继续保持监管与
对反馈的阈值略有滞后。
READY探测器
就绪电路是一个再触发的195 s
单稳态，其被重新触发由每向下
调节比较器Comp1的动作。只要
调控发生时，输出READY是"HIGH" （高
阻抗100K到V
CC
） 。输出的短暂降
小于195 S间电压将被忽略。如果输出
电压低于标称值以上
195 S，输出READY变为"LOW" 。这可以用于
信号给该闪光单元具有照相机控制器
完全充电并准备使用。
第1期 - 2005年1月
半导体
4
ZXSC440
绝对最大额定值
参数
V
CC
DRIVE
准备
收费
V
FB
， SENSE
工作温度
储存温度
在25℃时的功耗
极限
-0.3至+10
-0.3到V
CC
+ 0.3
-0.3到V
CC
+ 0.3
-0.3至（ 5.0 ）或下部（Ⅴ
CC
+0.3)
-0.3至（ 5.0 ）或下部（Ⅴ
CC
+0.3)
-40至+85
-55到+150
450
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
mW
电气特性
（测试条件V
CC
= 3V ，T = 25° C除非另有说明）
符号
V
CC
Iq
(1)
参数
V
CC
范围
静态电流
关断电流
效率
参考宽容
参考温度有限公司
放电脉冲宽度
工作频率
条件
分钟。
1.8
典型值。
马克斯。
8
220
单位
V
A
A
%
%
%/°C
s
V
CC
=8V
4.5
85
1.8V ＆ LT ; V
CC
＆ LT ; 8V
1.8V ＆ LT ; V
CC
＆ LT ; 8V
-3.0
0.005
1.7
I
STDN
EFF
(2)
加
REF
TCO
REF
T
DRV
F
OSC
输入参数
V
SENSE
I
SENSE
V
FB
I
FB
VIL
dV
LN
输出参数
I
DRIVE
V
DRIVE
C
DRIVE
VOH
准备
VOL
准备
T
准备
dI
LD
(2)
(3)
3.0
200
千赫
检测电压
检测输入电流
反馈电压
反馈输入电流
关断阈值
关断阈值
线路电压调整
V
FB
=0V;V
SENSE
=0V
V
FB
=0V;V
SENSE
=0V
22
-1
291
-1.2
1.5
0
28
-7
300
34
-15
309
-4.5
V
CC
0.55
mV
A
mV
A
V
V
%/V
VIH
0.5
晶体管的驱动电流
晶体管的电压驱动
MOSFET栅极驱动cpbty
Ready标志输出高电平
Ready标志输出低电平
V
DRIVE
= 0.7V
2
0
3.4
5
V
CC
-0.4
mA
V
pF
300
I
EOR
= -300nA ，T
A
=25°C
I
EOR
= 1毫安，T
A
=25°C
T
A
=25°C
2.5
0
195
0.01
V
CC
1
V
V
s
％ / mA的
负载电流调节
笔记
（ 1）不包括栅极/基极驱动电流。
（ 2 ）售后不退是典型的一半是在3V 。
（ 3 ）关断引脚电压不得超过（ VCC + 0.3V ）或5V ，以较低者为准。
草案本期 - 2004年5月
半导体
2
ZXSC440
绝对最大额定值
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
DRIVE
V
FB
SENSE
N / C
收费
准备
GND
V
CC
启动照相闪光灯电容充电
信号微处理器时照相闪光灯电容充电
地
电源电压， 1.8V至8V
描述
驱动器输出的外部开关晶体管。连接到基座外部或门
开关晶体管
基准电压。内部阈值设置为300mV的。连接外部电阻
网络设置输出电压
电感电流检测输入。内部阈值电压设置为28MV 。连
外部检测电阻器
框图
草案本期 - 2004年5月
3
半导体
ZXSC440
设备描述
带隙基准
所有的阈值电压和内部电流衍生
从温度补偿带隙基准
电路与标称1.22V的参考电压。如果
REF端子被用作外部基准
设备，最大负荷不应超过± 2 A.
动态驱动器输出
根据不同的输入信号，输出是任
"LOW"或"HIGH" 。在高速状态下的电流3.4毫安
源（最大驱动电压= V
CC
-0.4V ）驱动的基础
或外部晶体管的栅极。为了操作的
在最佳效率外部开关晶体管，
两个输出状态与一个短瞬时启动
电流以快速放电碱或
开关晶体管的栅极。
开关电路
该开关电路包括两个比较器，
器Comp1和器Comp2 ，一个门U1 ，一个单稳态和
驱动输出。一般情况下，变频器的输出是"HIGH" ;该
外部开关晶体管导通。当前
倾斜上升在电感器，开关晶体管和
外部电流检测电阻。这个电压是
感测到比较器，器Comp2 ，在输入感。一旦
跨越感测电阻器的电流检测电压
超过28MV ，比较器Comp2 ，通过门U1 ，
触发再触发的单稳态和关闭
输出驱动级为1.7秒。电感放电
入储电容器。经过1.7秒的新收费
周期的开始，因此斜坡的输出电压。当
输出电压达到标称值和V
FB
得到超过300mV的输入电压，则
单稳态是从器Comp1被迫"on"通过门
U1，直到反馈电压低于300mV的。该
上述动作继续保持监管与
对反馈的阈值略有滞后。
READY探测器
就绪电路是一个再触发的195 s
单稳态，其被重新触发由每向下
调节比较器Comp1的动作。只要
调控发生时，输出READY是"HIGH" （高
阻抗100K到V
CC
） 。输出的短暂降
小于195 S间电压将被忽略。如果输出
电压低于标称值以上
195 S，输出READY变为"LOW" 。这可以用于
信号给该闪光单元具有照相机控制器
完全充电并准备使用。
草案本期 - 2004年5月
半导体
4
ZXSC440
绝对最大额定值
参数
V
CC
DRIVE
准备
收费
V
FB
， SENSE
工作温度
储存温度
在25℃时的功耗
极限
-0.3至+10
-0.3到V
CC
+ 0.3
-0.3到V
CC
+ 0.3
-0.3至（ 5.0 ）或下部（Ⅴ
CC
+0.3)
-0.3至（ 5.0 ）或下部（Ⅴ
CC
+0.3)
-40至+85
-55到+150
450
单位
V
V
V
V
V
°C
°C
mW
电气特性
（测试条件V
CC
= 3V ，T = 25° C除非另有说明）
符号
V
CC
Iq
(1)
参数
V
CC
范围
静态电流
关断电流
效率
参考宽容
参考温度有限公司
放电脉冲宽度
工作频率
条件
分钟。
1.8
典型值。
马克斯。
8
220
单位
V
A
A
%
V
CC
=8V
4.5
85
1.8V ＆ LT ; V
CC
＆ LT ; 8V
1.8V ＆ LT ; V
CC
＆ LT ; 8V
-3.0
0.005
1.7
I
STDN
EFF
(2)
加
REF
TCO
REF
T
DRV
F
OSC
输入参数
V
SENSE
I
SENSE
V
FB
I
FB
VIL
dV
LN
输出参数
I
DRIVE
V
DRIVE
C
DRIVE
VOH
准备
VOL
准备
T
准备
dI
LD
(2)
(3)
3.0
%
%/°C
s
200
千赫
检测电压
检测输入电流
反馈电压
反馈输入电流
关断阈值
关断阈值
线路电压调整
V
FB
=0V;V
SENSE
=0V
V
FB
=0V;V
SENSE
=0V
22
-1
291
-1.2
1.5
0
28
-7
300
34
-15
309
-4.5
V
CC
0.55
mV
A
mV
A
V
V
%/V
VIH
0.5
晶体管的驱动电流
晶体管的电压驱动
MOSFET栅极驱动cpbty
Ready标志输出高电平
Ready标志输出低电平
V
DRIVE
= 0.7V
2
0
3.4
5
V
CC
-0.4
mA
V
pF
300
I
EOR
= -300nA ，T
A
=25°C
I
EOR
= 1毫安，T
A
=25°C
T
A
=25°C
2.5
0
195
0.01
V
CC
1
V
V
s
％ / mA的
负载电流调节
笔记
（ 1）不包括栅极/基极驱动电流。
（ 2 ）售后不退是典型的一半是在3V 。
（ 3 ）关断引脚电压不得超过（ VCC + 0.3V ）或5V ，以较低者为准。
第1期 - 2005年1月
半导体
2
ZXSC440
绝对最大额定值
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
名字
DRIVE
V
FB
SENSE
N / C
收费
准备
GND
V
CC
启动照相闪光灯电容充电
信号微处理器时照相闪光灯电容充电
地
电源电压， 1.8V至8V
描述
驱动器输出的外部开关晶体管。连接到基座外部或门
开关晶体管
基准电压。内部阈值设置为300mV的。连接外部电阻
网络设置输出电压
电感电流检测输入。内部阈值电压设置为28MV 。连
外部检测电阻器
框图
第1期 - 2005年1月
3
半导体
ZXSC440
设备描述
带隙基准
所有的阈值电压和内部电流衍生
从温度补偿带隙基准
电路与标称1.22V的参考电压。如果
REF端子被用作外部基准
设备，最大负荷不应超过± 2 A.
动态驱动器输出
根据不同的输入信号，输出是任
"LOW"或"HIGH" 。在高速状态下的电流3.4毫安
源（最大驱动电压= V
CC
-0.4V ）驱动的基础
或外部晶体管的栅极。为了操作的
在最佳效率外部开关晶体管，
两个输出状态与一个短瞬时启动
电流以快速放电碱或
开关晶体管的栅极。
开关电路
该开关电路包括两个比较器，
器Comp1和器Comp2 ，一个门U1 ，一个单稳态和
驱动输出。一般情况下，变频器的输出是"HIGH" ;该
外部开关晶体管导通。当前
倾斜上升在电感器，开关晶体管和
外部电流检测电阻。这个电压是
感测到比较器，器Comp2 ，在输入感。一旦
跨越感测电阻器的电流检测电压
超过28MV ，比较器Comp2 ，通过门U1 ，
触发再触发的单稳态和关闭
输出驱动级为1.7秒。电感放电
入储电容器。经过1.7秒的新收费
周期的开始，因此斜坡的输出电压。当
输出电压达到标称值和V
FB
得到超过300mV的输入电压，则
单稳态是从器Comp1被迫"on"通过门
U1，直到反馈电压低于300mV的。该
上述动作继续保持监管与
对反馈的阈值略有滞后。
READY探测器
就绪电路是一个再触发的195 s
单稳态，其被重新触发由每向下
调节比较器Comp1的动作。只要
调控发生时，输出READY是"HIGH" （高
阻抗100K到V
CC
） 。输出的短暂降
小于195 S间电压将被忽略。如果输出
电压低于标称值以上
195 S，输出READY变为"LOW" 。这可以用于
信号给该闪光单元具有照相机控制器
完全充电并准备使用。
第1期 - 2005年1月
半导体
4
QQ：2880707522 复制
