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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符Z型号页 > 首字符Z的型号第55页 > ZXSC410
ZXSC410
ZXSC420
电压模式升压转换器
描述
该ZXSC410是电压模式升压转换器采用SOT23-6封装。其优异的
负载和线路调整意味着整个电源范围为锂离子电池,
输出电压通常小于1 %变化。采用高效率
Zetex的开关晶体管允许的几十伏的输出电压取决于
选择晶体管。该ZXSC420包括电池低电压指示。此操作
通过指示当转换器不再能够维持规定
输出电压,而不是设置一个预先设定的阈值,从而使得它适合于
各种电池选项和负载电流。
特点
1.65V至8V电压范围
±1 %的典型输出调节
超过85 %的典型效率
输出电流高达300mA
4.5典型关断电流ZXSC410
调节输出ZXSC420结束
SOT23-6
订购信息
设备
ZXSC410E6TA
ZXSC420E6TA
REEL
SIZE
7”
7”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
3000台
应用
系统电源电池的便携式产品
LCD偏置
当地的电压转换
典型应用框图
L1
V
IN
ZHCS1000
D1
V
OUT
C1
Q1
U1
V
CC
DRIVE
STDN SENSE
GND
V
FB
FMMT617
R2
C2
ZXSC410
R1
R3
器件标识
C410 ZXSC410
C420 ZXSC420
第2期 - 2003年5月
1
半导体
ZXSC410
ZXSC420
绝对最大额定值
V
CC
DRIVE
EOR
STDN
V
FB
, SENSE
工作温度。
储存温度。
功耗
-0.3V到
-0.3V到
-0.3V到
-0.3V到
-0.3V到
-40 ° C至
-55°C至
450mW
+10V
V
CC
+ 0.3V
V
CC
+ 0.3V
(± 5.0V )或降低( V
CC
+ 0.3V)
(± 5.0V )或降低( V
CC
+ 0.3V)
+85°C
+125°C
* ( ZXSC420只)
* ( ZXSC410只)
电气特性
测试条件V
CC
= 3V , T = -40 ° C至85°C ,除非另有说明。
符号
参数
条件
电源参数
V
CC
Iq
1
范围
典型值
最大
单位
V
CC
范围
静态电流
关断电流
V
CC
= 8V
1.8
8
220
4.5
V
A
A
I
STDN
EFF
2
REF
TCO
REF
T
DRV
F
OSC
V
SENSE
I
SENSE
V
FB
I
FB 2
V
IH
V
IL
dV
LN
I
OUT 3
I
DRIVE
V
DRIVE
C
DRIVE
VOH
EOR
VOL
EOR
T
EOR
dI
LD
效率
参考宽容
参考温度有限公司
放电脉冲宽度
工作频率
50毫安& GT ;我
OUT
& GT ; 300毫安
1.8V & LT ; V
CC
& LT ; 8V
1.8V & LT ; V
CC
& LT ; 8V
-3.0
85
3.0
0.005
1.7
200
%
%
%/ C
s
千赫
输入参数
检测电压
检测输入电流
反馈电压
反馈输入电流
关闭高压
关闭低压
线路电压调整
V
FB
=0V;V
SENSE
=0V
T
A
= 25°C
V
FB
=0V;V
SENSE
=0V
22
-1
291
-1.2
1.5
0
0.5
1
28
-7
300
34
-15
309
-4.5
V
CC
0.55
V
V
%/V
mV
A
mV
A
输出参数
输出电流
晶体管的驱动电流
晶体管的电压驱动
MOSFET栅极驱动cpbty
EOR标志输出高
EOR标志输出低电平
EOR延迟时间
负载电流调节
I
EOR
= -300nA
I
EOR
= 1毫安
T
A
= 25°C
2.5
0
70
195
V
IN
& GT ; 2V ,V
OUT
= V
IN
V
DRIVE
= 0.7V
1.8V & LT ; V
CC
& LT ; 8V
300
2
0
300
V
CC
1.15
250
0.01
3.4
5
V
CC
-0.4
mA
mA
V
pF
V
V
s
%毫安
1
2
排除栅极/基极驱动电流。
3
I
FB
通常是一半的值在
3V
系统设备不规范,包括推荐的晶体管。
第2期 - 2003年5月
半导体
2
ZXSC410
ZXSC420
典型特征
第2期 - 2003年5月
3
半导体
ZXSC410
ZXSC420
设备描述
带隙基准
所有的阈值电压和内部电流衍生
从温度补偿带隙基准
电路与标称1.22V的参考电压。
STDN
关闭
VCC
方框图
动态驱动器输出
根据不同的输入信号,输出是任
“低”
or
??高?? 。
在高速状态下的电流2.5毫安
源(最大驱动电压= VCC - 0.4V )驱动的基础
或外部晶体管的栅极。为了操作的
在最佳效率外部开关晶体管,
两个输出状态与一个短瞬时启动
电流以快速放电碱或
开关晶体管的栅极。
开关电路
该开关电路包括两个比较器,
器Comp1和器Comp2 ,一个门U1 ,一个单稳态和
驱动输出。通常情况下,驱动输出为
“高” ;
外部开关晶体管导通。当前
倾斜上升在电感器,开关晶体管和
外部电流检测电阻。这个电压是
感测到比较器,器Comp2 ,在输入I
SENSE
。一旦
跨越感测电阻器的电流检测电压
超过20mV的,通过门U1比较器Comp2
触发再触发的单稳态和关闭
输出驱动阶段为2μs 。电感放电到
应用的负载。为2μs一个新的充电周期后
开始,从而抬高输出电压。当
输出电压达到标称值和V
FB
超过300mV的,单稳态的输入电压
被强制
“ON”时
从器Comp1通过门U1 ,直到
反馈电压低于300mV的。以上动作
继续维持调控。
调节探测器的EOR ,结束
EOR电路是可再触发单稳态120μs ,
这是重新触发每下调行动
的比较器COMP1 。只要调控需要
的地方, EOR产量为
“高”
(高阻抗, 100K ,以
V
CC
) 。少输出电压比的短暂降
120μs被忽略。当输出电压低于
时间超过120μs标称值,输出EOR云
“低” 。
这样做的原因发生通常是
进展缓慢下降输入电压从
放电的电池。因此,输出电压将
也开始缓慢下降。与EOR探测器,
电池可用于放电的最终结束,
有足够的时间离开了安全关机。
R3
R1
带隙
参考
偏置发生器
+
比较1
_
R2
+
比较2
_
U1
单稳态
2s
动态
DRIVE
DRIVE
GND V
FB
SENSE
图。 1 ZXSC410
图。 1 ZXSC420
第2期 - 2003年5月
半导体
4
ZXSC410
ZXSC420
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
名字
V
CC
GND
STDN / EOR
SENSE
V
FB
DRIVE
描述
电源电压1.8V到8V 。
关闭ZXSC410 /调节ZXSC420结束
电感电流检测输入。内部阈值电压设置为
28MV 。连接外部检测电阻器。
基准电压。内部阈值设置为300mV的。连
外部电阻网络来设置输出电压。
驱动器输出的外部开关晶体管。连接到基座或
外部开关晶体管的栅极。
应用信息
开关晶体管的选择
开关晶体管的选择有着重大的影响
在转换器的效率。为了获得最佳性能,
低伏的双极型晶体管
CE ( SAT )
和高增益
所需。在V
首席执行官
开关晶体管的也是
作为此看到的全部输出的重要参数
电压时,该晶体管被关断。 Zetex的
SuperSOT 晶体管是这是一个理想的选择
应用程序。
肖特基二极管的选择
作为与开关晶体管,肖特基整流器
二极管对转换效率有重大影响。一
具有低正向电压和快速肖特基二极管
恢复时间,应使用这种应用。
二极管应选择以使最大
正向额定电流大于或等于所述
最大峰值电流在电感器中,并且
最高反向电压大于或等于该
输出电压。 Zetex的ZHCS系列满足这些
需要。
组合设备
为了尽量减少外部元件数量捷特科
建议的ZX3CDBS1M832组合
NPN晶体管和肖特基二极管采用3mm x 2毫米
MLP封装。此装置推荐用于在使用中
空间有限的应用。
该IC还能够驱动的MOSFET。 Zetex的
建议ZXMNS3BM832组合低
阈值电压的N沟道MOSFET和肖特基
采用3mm二极管x2毫米MLP封装。该装置是
推荐用于空间有限的应用。
电感的选择
电感值,必须选择满足
整体的性能,成本和尺寸的要求
的解决方案。
电感器选择对一个显著影响
转换器的性能。对于应用
效率是关键的,与串联电阻的电感
为500m或更少应该被使用。
推荐电感的名单列在表
如下:
产品型号
制造
L
I
PK
R
DC
(A) ( )
CMD4D11-100MC墨田区
CMD4D11-220MC墨田区
LPO2506OB-103
ST2006103
Coilcraft公司
Standex
电子公司
10H 0.5 0.457
22H 0.4 0.676
10H 1.0 0.24
10H 0.6
0.1
峰值电流的定义
在一般情况下,我
PK
值必须被选择,以确保
开关晶体管,Q1是在充满饱和与
最大输出功率的条件下,假定
最坏情况下的输入电压和晶体管的增益下的所有
工作温度极限。
有一次,我
PK
被确定R的值
SENSE
可以
由下式确定:
RSENSE
=
VSENSE
IPK
第2期 - 2003年5月
5
半导体
ZXSC410
ZXSC420
电压模式升压转换器
描述
该ZXSC410是电压模式升压转换器采用SOT23-6封装。其优异的
负载和线路调整意味着整个电源范围为锂离子电池,
输出电压通常小于1 %变化。采用高效率
Zetex的开关晶体管允许的几十伏的输出电压取决于
选择晶体管。该ZXSC420包括电池低电压指示。此操作
通过指示当转换器不再能够维持规定
输出电压,而不是设置一个预先设定的阈值,从而使得它适合于
各种电池选项和负载电流。
特点
1.65V至8V电压范围
±1 %的典型输出调节
超过85 %的典型效率
输出电流高达300mA
4.5典型关断电流ZXSC410
调节输出ZXSC420结束
SOT23-6
订购信息
设备
ZXSC410E6TA
ZXSC420E6TA
REEL
SIZE
7”
7”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
3000台
应用
系统电源电池的便携式产品
LCD偏置
当地的电压转换
典型应用框图
L1
V
IN
ZHCS1000
D1
V
OUT
C1
Q1
U1
V
CC
DRIVE
STDN SENSE
GND
V
FB
FMMT617
R2
C2
ZXSC410
R1
R3
器件标识
C410 ZXSC410
C420 ZXSC420
第2期 - 2003年5月
1
半导体
ZXSC410
ZXSC420
绝对最大额定值
V
CC
DRIVE
EOR
STDN
V
FB
, SENSE
工作温度。
储存温度。
功耗
-0.3V到
-0.3V到
-0.3V到
-0.3V到
-0.3V到
-40 ° C至
-55°C至
450mW
+10V
V
CC
+ 0.3V
V
CC
+ 0.3V
(± 5.0V )或降低( V
CC
+ 0.3V)
(± 5.0V )或降低( V
CC
+ 0.3V)
+85°C
+125°C
* ( ZXSC420只)
* ( ZXSC410只)
电气特性
测试条件V
CC
= 3V , T = -40 ° C至85°C ,除非另有说明。
符号
参数
条件
电源参数
V
CC
Iq
1
范围
典型值
最大
单位
V
CC
范围
静态电流
关断电流
V
CC
= 8V
1.8
8
220
4.5
V
A
A
I
STDN
EFF
2
REF
TCO
REF
T
DRV
F
OSC
V
SENSE
I
SENSE
V
FB
I
FB 2
V
IH
V
IL
dV
LN
I
OUT 3
I
DRIVE
V
DRIVE
C
DRIVE
VOH
EOR
VOL
EOR
T
EOR
dI
LD
效率
参考宽容
参考温度有限公司
放电脉冲宽度
工作频率
50毫安& GT ;我
OUT
& GT ; 300毫安
1.8V & LT ; V
CC
& LT ; 8V
1.8V & LT ; V
CC
& LT ; 8V
-3.0
85
3.0
0.005
1.7
200
%
%
%/ C
s
千赫
输入参数
检测电压
检测输入电流
反馈电压
反馈输入电流
关闭高压
关闭低压
线路电压调整
V
FB
=0V;V
SENSE
=0V
T
A
= 25°C
V
FB
=0V;V
SENSE
=0V
22
-1
291
-1.2
1.5
0
0.5
1
28
-7
300
34
-15
309
-4.5
V
CC
0.55
V
V
%/V
mV
A
mV
A
输出参数
输出电流
晶体管的驱动电流
晶体管的电压驱动
MOSFET栅极驱动cpbty
EOR标志输出高
EOR标志输出低电平
EOR延迟时间
负载电流调节
I
EOR
= -300nA
I
EOR
= 1毫安
T
A
= 25°C
2.5
0
70
195
V
IN
& GT ; 2V ,V
OUT
= V
IN
V
DRIVE
= 0.7V
1.8V & LT ; V
CC
& LT ; 8V
300
2
0
300
V
CC
1.15
250
0.01
3.4
5
V
CC
-0.4
mA
mA
V
pF
V
V
s
%毫安
1
2
排除栅极/基极驱动电流。
3
I
FB
通常是一半的值在
3V
系统设备不规范,包括推荐的晶体管。
第2期 - 2003年5月
半导体
2
ZXSC410
ZXSC420
典型特征
第2期 - 2003年5月
3
半导体
ZXSC410
ZXSC420
设备描述
带隙基准
所有的阈值电压和内部电流衍生
从温度补偿带隙基准
电路与标称1.22V的参考电压。
STDN
关闭
VCC
方框图
动态驱动器输出
根据不同的输入信号,输出是任
“低”或“高” 。在高速状态下的电流2.5毫安
源(最大驱动电压= VCC - 0.4V )驱动的基础
或外部晶体管的栅极。为了操作的
在最佳效率外部开关晶体管,
两个输出状态与一个短瞬时启动
电流以快速放电碱或
开关晶体管的栅极。
开关电路
该开关电路包括两个比较器,
器Comp1和器Comp2 ,一个门U1 ,一个单稳态和
驱动输出。一般情况下,变频器的输出为“高” ;该
外部开关晶体管导通。当前
倾斜上升在电感器,开关晶体管和
外部电流检测电阻。这个电压是
感测到比较器,器Comp2 ,在输入I
SENSE
。一旦
跨越感测电阻器的电流检测电压
超过20mV的,通过门U1比较器Comp2
触发再触发的单稳态和关闭
输出驱动阶段为2μs 。电感放电到
应用的负载。为2μs一个新的充电周期后
开始,从而抬高输出电压。当
输出电压达到标称值和V
FB
超过300mV的,单稳态的输入电压
通过门U1从器Comp1逼“上” ,直到
反馈电压低于300mV的。以上动作
继续维持调控。
调节探测器的EOR ,结束
EOR电路是可再触发单稳态120μs ,
这是重新触发每下调行动
的比较器COMP1 。只要调控需要
的地方,产量提高采收率为“高” (高阻抗,以100K
V
CC
) 。少输出电压比的短暂降
120μs被忽略。当输出电压低于
时间超过120μs标称值,输出EOR云
“低” 。这样做的原因发生通常是
进展缓慢下降输入电压从
放电的电池。因此,输出电压将
也开始缓慢下降。与EOR探测器,
电池可用于放电的最终结束,
有足够的时间离开了安全关机。
R3
R1
带隙
参考
偏置发生器
+
比较1
_
R2
+
比较2
_
U1
单稳态
2s
动态
DRIVE
DRIVE
GND V
FB
SENSE
图。 1 ZXSC410
图。 1 ZXSC420
第2期 - 2003年5月
半导体
4
ZXSC410
ZXSC420
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
名字
V
CC
GND
STDN / EOR
SENSE
V
FB
DRIVE
描述
电源电压1.8V到8V 。
关闭ZXSC410 /调节ZXSC420结束
电感电流检测输入。内部阈值电压设置为
28MV 。连接外部检测电阻器。
基准电压。内部阈值设置为300mV的。连
外部电阻网络来设置输出电压。
驱动器输出的外部开关晶体管。连接到基座或
外部开关晶体管的栅极。
应用信息
开关晶体管的选择
开关晶体管的选择有着重大的影响
在转换器的效率。为了获得最佳性能,
低伏的双极型晶体管
CE ( SAT )
和高增益
所需。在V
首席执行官
开关晶体管的也是
作为此看到的全部输出的重要参数
电压时,该晶体管被关断。 Zetex的
SuperSOT 晶体管是这是一个理想的选择
应用程序。
肖特基二极管的选择
作为与开关晶体管,肖特基整流器
二极管对转换效率有重大影响。一
具有低正向电压和快速肖特基二极管
恢复时间,应使用这种应用。
二极管应选择以使最大
正向额定电流大于或等于所述
最大峰值电流在电感器中,并且
最高反向电压大于或等于该
输出电压。 Zetex的ZHCS系列满足这些
需要。
组合设备
为了尽量减少外部元件数量捷特科
建议的ZX3CDBS1M832组合
NPN晶体管和肖特基二极管采用3mm x 2毫米
MLP封装。此装置推荐用于在使用中
空间有限的应用。
该IC还能够驱动的MOSFET。 Zetex的
建议ZXMNS3BM832组合低
阈值电压的N沟道MOSFET和肖特基
采用3mm二极管x2毫米MLP封装。该装置是
推荐用于空间有限的应用。
电感的选择
电感值,必须选择满足
整体的性能,成本和尺寸的要求
的解决方案。
电感器选择对一个显著影响
转换器的性能。对于应用
效率是关键的,与串联电阻的电感
为500m或更少应该被使用。
推荐电感的名单列在表
如下:
产品型号
制造
L
I
PK
R
DC
(A) ( )
CMD4D11-100MC墨田区
CMD4D11-220MC墨田区
LPO2506OB-103
ST2006103
Coilcraft公司
Standex
电子公司
10H 0.5 0.457
22H 0.4 0.676
10H 1.0 0.24
10H 0.6
0.1
峰值电流的定义
在一般情况下,我
PK
值必须被选择,以确保
开关晶体管,Q1是在充满饱和与
最大输出功率的条件下,假定
最坏情况下的输入电压和晶体管的增益下的所有
工作温度极限。
有一次,我
PK
被确定R的值
SENSE
可以
由下式确定:
RSENSE
=
VSENSE
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    联系人:杨小姐
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联系人:刘先生
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