对产品线
Diodes公司
ZXMS6006DT8
60V双N沟道自保护增强模式
IntelliFET
MOSFET
超前信息
产品概述
连续的漏源电压
导通状态电阻
额定负载电流（V
IN
= 5V)
钳位能源
60V
100mΩ
2.8A
210mJ
特点和优点
紧凑型高功率耗散封装
低输入电流
逻辑电平输入（ 3.3V和5V ）
短路保护，自动重启
过电压保护器（有源钳位）
自动重启热关断
过电流保护
输入保护（ ESD ）
高持续电流额定值
绿色，符合RoHS （注1 ）
卤素和无锑。 （注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
说明与应用
该ZXMS6006DT8是一款双自保护低端MOSFET与
逻辑电平输入。它集成了过温，过电流，过
电压（有源钳位）和ESD保护的逻辑电平的功能。该
ZXMS6006DT8是一个理想的通用开关在3.3V驱动
在恶劣的环境中，标准或5V的微控制器
MOSFET是不够耐用。
灯驱动器
电机驱动器
继电器驱动器
电磁驱动器
机械数据
案例： SM - 8
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端：雾锡完成
重量： 0.117克（近似值）
SM-8
D1
D2
1
IN1
S1
IN1
IN2
D1
D1
D2
D2
顶视图
引脚输出
IN2
S2
S1
S2
顶视图
设备符号
订购信息
（注3）
产品
ZXMS6006DT8TA
注意事项：
记号
ZXMS6006D
卷尺寸（英寸）
7
胶带宽度（mm）
12
QUANTITY每卷
1,000
1.含有<900ppm溴，氯（ <1500ppm总）和<1000ppm锑化合物。
2.二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com
标识信息
销1
ZXMS
6006D
ZXMS6006D =产品型号标识代码
顶视图
IntelliFET
是Diodes公司的商标，在美国和其他司法管辖区在全球注册。
1 9
2010年12月
ZXMS6006DT8
文件编号： DS35143修订版1 - 2
www.diodes.com
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
ZXMS6006DT8
超前信息
功能框图
IntelliFET
是Diodes公司的商标，在美国和其他司法管辖区在全球注册。
2 9
2010年12月
ZXMS6006DT8
文件编号： DS35143修订版1 - 2
www.diodes.com
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
ZXMS6006DT8
超前信息
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
连续漏极 - 源极电压
漏源电压短路保护
连续输入电压
连续输入电流@ -0.2V
≤
V
IN
≤
6V
连续输入电流@V
IN
< -0.2V或V
IN
> 6V
脉冲漏电流@V
IN
= 3.3V （注6）
脉冲漏电流@V
IN
= 5V （注6）
连续源电流（体二极管） （注4 ）
脉冲源电流（体二极管）
松开单脉冲电感能量，
T
J
= 25 ° C，I
D
= 0.5A ，V
DD
= 24V
静电放电（人体模型）
带电器件模型
符号
V
DS
V
DS （ SC ）
V
IN
I
IN
I
DM
I
DM
I
S
I
SM
E
AS
V
ESD
V
清洁发展机制
价值
60
16
-0.5 ... +6
无极限
│I
IN
│≤2
11
13
2
12
210
4000
1000
单位
V
V
V
mA
A
A
A
A
mJ
V
V
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
在T功耗
A
= 25 ° C（注4 & 7 ）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（注4 & 8 ）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（注5 & 7 ）
线性降额因子
热阻，结到环境（注4 & 7 ）
热阻，结到环境（注4 & 8 ）
热阻，结到外壳（注5 & 7 ）
热阻，结到外壳（注9 ）
工作温度范围
存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
P
D
P
D
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJC
T
J
T
英镑
价值
1.16
9.28
1.67
13.3
2.13
17
108
75
58.7
26.5
-40到+150
-55到+150
单位
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
°C
4.装在25毫米x 25mm的单面1盎司重量的铜双通道器件表面分割下来1.6毫米FR4电路板中间，在静止空气条件。
5.对于安装在FR4 PCB双通道器件表面测量T≤ 10秒
6.重复rating25mm x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度= 300μS - 脉冲宽度有限的结温。参见瞬态热
阻抗曲线图。
7.对于与主动裸芯片的双设备。
8.对于在同等功率2有源芯片上运行的双通道器件。
从结点到漏针的安装面9热阻。
IntelliFET
是Diodes公司的商标，在美国和其他司法管辖区在全球注册。
3 9
2010年12月
ZXMS6006DT8
文件编号： DS35143修订版1 - 2
www.diodes.com
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
ZXMS6006DT8
超前信息
推荐工作条件
该ZXMS6006DT8进行了优化，与μC从3.3V和5V电源供电使用。
特征
输入电压范围
环境温度范围
高电平输入电压的MOSFET要上
低电平输入电压MOSFET处于关闭状态
外围供电电压（电压至该负载被称为）
符号
V
IN
T
A
V
IH
V
IL
V
P
民
0
-40
3
0
0
最大
5.5
125
5.5
0.7
16
单位
V
°C
V
V
V
热特性
最大功耗（ W）
I
D
漏电流（ A）
有限
10
由R
DS （ ON）
过电流保护限制
1ms
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
25
50
75
100
125
150
1有源芯片
2有源芯片
1
DC
1s
100ms
单脉冲
Tamb=25°C
100m
25X25X1.6mm FR4 10毫秒
单1盎司铜
一个活动模
S / C的保护限制
10m
1
10
V
DS
漏源极电压（ V）
温度（℃）
安全工作区
热阻（ ° C / W）
120
100
80
60
40
20
0
100
1m
10m 100m
1
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
25X25X1.6mm FR4
单1盎司铜
一个活动模
T
AMB
=25°C
D=0.5
降额曲线
最大功率（W）的
100
25X25X1.6mm FR4
单1盎司铜
一个活动模
单脉冲
T
AMB
=25°C
10
10
100
1k
1
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
脉冲宽度（S ）
脉冲宽度（S ）
瞬态热阻抗
脉冲功率耗散
IntelliFET
是Diodes公司的商标，在美国和其他司法管辖区在全球注册。
4 9
2010年12月
ZXMS6006DT8
文件编号： DS35143修订版1 - 2
www.diodes.com
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
ZXMS6006DT8
超前信息
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
静态特性
漏源电压钳
关机状态下漏电流
输入阈值电压
输入电流
输入电流而过热活跃
静态漏源导通电阻
连续漏电流（注4 & 8 ）
I
D
连续漏电流（注4 & 7 ）
电流限制（注10 ）
动态特性
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
过温保护
热过载跳闸温度（注11 ）
热迟滞（注11 ）
注意事项：
符号
V
DS （ AZ ）
I
DSS
V
IN（日）
I
IN
-
R
DS （ ON）
民
60
-
-
0.7
-
-
-
-
-
2.0
2.2
2.6
2.8
4
6
-
-
-
-
150
-
典型值
65
-
-
1
60
120
-
85
75
-
-
-
-
8
13
8.6
18
34
15
175
10
最大
70
1
2
1.5
100
200
400
125
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
A
V
μA
μA
mΩ
测试条件
I
D
= 10毫安
V
DS
= 12V, V
IN
= 0V
V
DS
= 36V, V
IN
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
IN
= +3V
V
IN
= +5V
V
IN
= +5V
V
IN
= + 3V ，我
D
= 1A
V
IN
= + 5V ，我
D
= 1A
V
IN
= 3V ;牛逼
A
= 25°C
V
IN
= 5V ;牛逼
A
= 25°C
V
IN
= 3V ;牛逼
A
= 25°C
V
IN
= 5V ;牛逼
A
= 25°C
V
IN
= +3V
V
IN
= +5V
A
I
D（ LIM ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
f
f
T
JT
f
f
A
μs
μs
μs
μs
°C
°C
V
DD
= 12V，我
D
= 1A ，V
GS
= 5V
-
-
10.漏极电流被限制，只有当器件处于饱和状态（见图'典型输出特性'） 。这使得在所使用的设备
完全的状态，而从目前的限干扰。该设备得到充分的保护在所有的漏极电流，作为低功耗产生的
外面的饱和使得电流限制是不必要的。
11.超温保护设计，防止在故障条件下设备的破坏。故障条件被视为“外部”正常
操作范围，所以这部分的目的不是要经受超温长时间..
IntelliFET
是Diodes公司的商标，在美国和其他司法管辖区在全球注册。
5 9
2010年12月
ZXMS6006DT8
文件编号： DS35143修订版1 - 2
www.diodes.com
Diodes公司
QQ：2880707522 复制
