对产品线
Diodes公司
ZXMS6004SG
60V N沟道自我保护的增强型
Intellifet MOSFET
摘要
连续漏源电压
导通状态电阻
额定负载电流（V
IN
= 5V)
钳位能源
60 V
500 mΩ
1.3 A
480mJ
描述
该ZXMS6004SG是一种自我保护的低边MOSFET与逻辑电平
输入。它集成了过温，过电流，过电压（有源
钳）和ESD保护的逻辑电平的功能。该ZXMS6004SG是
理想的通用开关在3.3V或5V驱动
在恶劣环境下的标准MOSFET的微控制器
没有足够坚固。
特点
紧凑型高功率耗散封装
低输入电流
逻辑电平输入（ 3.3V和5V ）
短路保护，自动重启
过电压保护器（有源钳位）
自动重启热关断
过电流保护
输入保护（ ESD ）
高持续电流额定值
S
S
D
IN
SOT223
订购信息
设备
零件标记
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
(mm)
12压花
QUANTITY每卷
ZXMS66004SGTA
ZXMS
6004S
3000台
第1期 - 2008年12月
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ZXMS6004SG
功能框图
D
过电压
保护
IN
ESD
保护
超温
保护
逻辑
过电流
保护
dv / dt的
局限性
S
应用信息
特别适合于负载具有高的浪涌电流，如灯和电机。
各类阻性，感性和容性负载的开关应用。
μC
兼容的电源开关， 12V和24V直流应用。
汽车评级。
替代机电继电器和分立电路。
线性模式能力 - 限流保护电路被设计为去激活在
低V
DS
尽量减少对国家的功耗。最大直流工作电流
因此，由封装/电路板相结合的散热能力，而不是确定
通过该保护电路。这不会损害该产品的能力的自我保护在低
V
DS
.
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ZXMS6004SG
绝对最大额定值
参数
连续漏极 - 源极电压
漏源电压短路保护
连续输入电压
连续输入电流
-0.2V≤V
IN
≤6V
V
IN
<-0.2V或V
IN
>6V
工作温度范围
存储温度范围
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
脉冲漏极电流@ V
IN
=3.3V
脉冲漏极电流@ V
IN
=5V
连续源电流（体二极管）
(a)
脉冲dource电流（体二极管）
松开单脉冲电感能量，
TJ = 25 ° C，I
D
= 0.5A ，V
DD
=24V
静电放电（人体模型）
带电器件模型
符号
V
DS
V
DS （ SC ）
V
IN
I
IN
无极限
│I
IN
│≤2
T
j
,
T
英镑
P
D
P
D
I
DM
I
DM
I
S
I
SM
E
AS
V
ESD
V
清洁发展机制
-40到+150
-55到+150
1.0
8.0
1.6
12.8
2
2.5
1
5
480
4000
1000
°C
°C
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
A
A
A
A
mJ
V
V
极限
60
36
-0.5 ... +6
单位
V
V
V
mA
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到外壳
(c)
笔记
Symbo
R
θJA
R
θJA
R
θJC
价值
125
83
39
单位
° C / W
° C / W
° C / W
（一）对于设备的表面安装在一个尺寸仅为15mm× 15毫米单面1盎司重量的铜对1.6毫米FR4板，在静止空气中
条件。
（二）对于器件表面安装在50毫米×50毫米单面2盎司重量的铜对1.6毫米FR4电路板在静止空气中
条件。
（三）从结点到漏针的安装表面热阻。
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ZXMS6004SG
推荐工作条件
该ZXMS6004SG进行了优化，与μC从3.3V和5V电源供电使用。
符号
V
IN
T
A
V
IH
V
IL
V
P
描述
输入电压范围
环境温度范围
高电平输入电压的MOSFET要上
低电平输入电压MOSFET处于关闭状态
外围供电电压（电压至该负载被称为）
民
0
-40
3
0
0
最大
5.5
125
5.5
0.7
36
单位
V
°C
V
V
V
特征
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ZXMS6004SG
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
静态特性
漏源电压钳
断态漏Ccrrent
断态漏电流
输入阈值电压
输入电流
输入电流
输入电流，同时在
温活跃
静态漏源导通状态
阻力
静态漏源导通状态
阻力
连续漏电流
(a)
连续漏cCurrent
(a)
符号
民
典型值
最大
单位
条件
V
DS （ AZ ）
I
DSS
I
DSS
V
IN（日）
I
IN
I
IN
60
65
70
500
1
V
nA
μA
V
μA
μA
μA
mΩ
mΩ
A
A
A
A
I
D
=10mA
V
DS
=12V, V
IN
=0V
V
DS
=36V, V
IN
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=1mA
V
IN
=+3V
V
IN
=+5V
V
IN
=+5V
V
IN
= + 3V ，我
D
=0.5A
V
IN
= + 5V ，我
D
=0.5A
V
IN
= 3V ;牛逼
A
=25°C
V
IN
= 5V ;牛逼
A
=25°C
V
IN
= 3V ;牛逼
A
=25°C
V
IN
= 5V ;牛逼
A
=25°C
V
IN
=+3V,
V
IN
=+5V
V
DD
= 12V，我
D
=0.5A,
V
GS
=5V
0.7
1
60
120
1.5
100
200
400
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
I
D
I
D
I
D
I
D
I
D（ LIM ）
I
D（ LIM ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
f
f
0.9
1.0
1.2
1.3
0.7
1
400
350
600
500
连续漏电流
(b)
连续漏电流
(b)
电流限制
电流限制
(c)
动态特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
注意事项：
1.7
2.2
5
10
45
15
A
A
μs
μs
μs
μs
（四）的漏极电流被限制，只有当器件处于饱和状态（见图'典型输出特性'） 。这
允许被使用在完全导通状态的装置，在不脱离电流限制干扰。该装置是完全
在所有的漏极电流保护，如饱和度之外产生的低功耗使得限流
不必要的。
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