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ZXMS6004DT8
60V N沟道自我保护的增强型
IntelliFET
MOSFET
摘要
连续漏源电压60 V
导通状态电阻
额定负载电流（V
IN
= 5V)
钳位能源
500 mΩ
1.2 A
210兆焦耳
描述
该ZXMS6004DT8是一款双自保护低端MOSFET
用逻辑电平输入。它集成了过温，过
电流，过电压（有源钳位）和静电放电保护的逻辑电平
每个独立通道的功能。该ZXMS6004DT8是
理想的通用开关在3.3V或5V驱动
在恶劣的环境中微控制器的标准在哪里
MOSFET是不够耐用。
SM8封装
特点
紧凑的双包
低输入电流
逻辑电平输入（ 3.3V和5V ）
短路保护，自动重启
过电压保护器（有源钳位）
自动重启热关断
过电流保护
输入保护（ ESD ）
高持续电流额定值
订购信息
设备
部分
标志
带尺寸
（英寸）
胶带宽度
(mm)
单位数量
REEL
ZXMS6004DT8TA
ZXMS
6004D
7
12压花
1000台
ZXMS6004DT8
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绝对最大额定值
参数
连续漏极 - 源极电压
漏源电压短路保护
连续输入电压
连续输入电流
-0.2V≤V
IN
≤6V
V
IN
<-0.2V或V
IN
>6V
工作温度范围
存储温度范围
在T功耗
A
= 25 ℃（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（一） （五）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（ B） （D ）
线性降额因子
脉冲漏极电流@ V
IN
= 3.3V （三）
脉冲漏极电流@ V
IN
= 5V （三）
连续源电流（体二极管） （一）
脉冲源电流（体二极管） （三）
松开单脉冲电感能量， TJ = 25 ° C，
I
D
= 0.5A ，V
DD
=24V
静电放电（人体模型）
带电器件模型
热阻
参数
结到环境（一）， （四）
结到环境（一）， （五）
结到环境（B ） （D ）
结到外壳（F ）
I
DM
I
DM
I
S
I
SM
E
AS
V
ESD
V
清洁发展机制
P
D
P
D
T
j
,
T
英镑
P
D
符号
V
DS
V
DS （ SC ）
V
IN
I
IN
无极限
│I
IN
│≤2
-40到+150
-55到+150
1.16
9.28
1.67
13.3
2.13
17
2
2.5
1
5
210
4000
1000
°C
°C
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
A
A
A
A
mJ
V
V
极限
60
36
-0.5 ... +6
单位
V
V
V
mA
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJC
价值
108
75
58.7
26.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于双通道器件表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB单面1盎司重量的铜分
倒在1.6毫米FR4板，中间在静止空气条件。
（ b）对于安装在FR4 PCB双通道器件表面在t测
≤
10sec
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02脉冲宽度= 300μS - 脉冲宽度有限的结
温度。请参阅瞬态热阻抗图。
（ d）对于以一种活性模具的双设备。
（五）对于在同等功率2有源芯片上运行双通道器件。
（六）从结点到焊接点的热电阻（在漏极引线的端部）
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推荐工作条件
该ZXMS6004DT8进行了优化，与μC从3.3V和5V电源供电使用。
符号
V
IN
T
A
V
IH
V
IL
V
P
描述
输入电压范围
环境温度范围
高电平输入电压的MOSFET要上
低电平输入电压MOSFET处于关闭状态
外围供电电压（电压至该负载被称为）
民
0
-40
3
0
0
最大
5.5
125
5.5
0.7
36
单位
V
°C
V
V
V
特征
最大功耗（ W）
I
D
漏电流（ A）
有限
由R
DS （ ON）
过电流保护限制
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
25
50
75
100
125
150
1有源芯片
2有源芯片
1
DC
1s
100ms
单脉冲
T
AMB
=25°C
请参见注释（一） （四）
10ms
1ms
100m
10m
S / C的保护限制
1
10
V
DS
漏源极电压（ V）
温度（℃）
安全工作区
热阻（ ° C / W）
120
100
80
D=0.5
T
AMB
=25°C
请参见注释（一） （四）
降额曲线
最大功率（W）的
100
单脉冲
T
AMB
=25°C
请参见注释（一） （四）
60
40
20
0
100
1m
10m 100m
1
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
10
10
100
1k
1
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
脉冲宽度（S ）
脉冲宽度（S ）
瞬态热阻抗
脉冲功率耗散
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电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
静态特性
符号
民
典型值
最大
单位
条件
漏源电压钳
关机状态下漏电流
关机状态下漏电流
输入阈值电压
输入电流
输入电流
输入电流，同时在
温活跃
静态漏源导通状态
阻力
静态漏源导通状态
阻力
连续漏电流（ A） （ E）
连续漏电流（ A） （ E）
连续漏电流（ A） （D ）
连续漏电流（ A） （D ）
电流限制（G ）
电流限制（G ）
动态特性
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
注意事项：
V
DS （ AZ ）
I
DSS
I
DSS
V
IN（日）
I
IN
I
IN
60
65
70
500
1
V
nA
uA
V
μA
μA
μA
mΩ
I
D
=10mA
V
DS
=12V, V
IN
=0V
V
DS
=36V, V
IN
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=1mA
V
IN
=+3V
V
IN
=+5V
V
IN
=+5V
V
IN
= + 3V ，我
D
=0.5A
0.7
1
60
120
1.5
100
200
220
R
DS （ ON）
400
600
R
DS （ ON）
350
500
mΩ
V
IN
= + 5V ，我
D
=0.5A
I
D
I
D
I
D
I
D
I
D（ LIM ）
I
D（ LIM ）
0.9
1.0
1.1
1.2
0.7
1
1.7
2.2
A
A
A
A
A
A
V
IN
= 3V ;牛逼
A
=25°C
V
IN
= 5V ;牛逼
A
=25°C
V
IN
= 3V ;牛逼
A
=25°C
V
IN
= 5V ;牛逼
A
=25°C
V
IN
=+3V,
V
IN
=+5V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
f
f
5
10
45
15
μs
μs
μs
μs
V
DD
= 12V，我
D
=0.5A,
V
GS
=5V
（克）的漏极电流只限于当器件处于饱和状态（见图'典型输出
特性'） 。这允许使用在完全导通状态的设备，而不干扰
电流限制。该设备得到充分的保护在所有的漏极电流，作为低功耗
外界产生饱和，使电流限制是不必要的。
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QQ：2880707522 复制
