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ZXMP4A16K
40V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
( BR ) DSS
= -40V ;
DS ( ON)
= 0.060
I
D
= -9.9A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低效益的导通电阻与快
开关速度。这使它们非常适用于高效率,低电压,
电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
DPAK封装
D
G
S
应用
直流 - 直流转换器
音频输出阶段
继电器和螺线管驱动
电机控制
订购信息
设备
ZXMP4A16KTC
带尺寸
(英寸)
13
胶带宽度
16mm
QUANTITY每卷
2500台
器件标识
ZXMP
4A16
引脚 - 顶视图
第1期 - 2006年3月
捷特科PLC 2006
1
www.zetex.com
ZXMP4A16K
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
V
GS
= -10V ;牛逼
A
=25°C
(b)
V
GS
= -10V ;牛逼
A
=70°C
(b)
V
GS
= -10V ;牛逼
A
=25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流(体二极管)
(b)
脉冲源电流(体二极管)
(c)
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
P
D
P
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
I
D
-9.9
-8.0
-6.6
-35
-10.1
-35
4.2
33.6
9.5
76
2.15
17.2
-55到+150
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
符号
V
DSS
V
GS
极限
-40
±20
单位
V
V
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
价值
30
13.2
58
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜,以
静止空气条件。
( b)对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
(三)重复评价50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB , D = 0.02脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最大
结温。
(四)对于器件表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
第1期 - 2006年3月
捷特科PLC 2006
2
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ZXMP4A16K
特征
第1期 - 2006年3月
捷特科PLC 2006
3
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ZXMP4A16K
电气特性(在T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿
电压
V
( BR ) DSS
-40
-1
100
-1.0
0.060
0.100
7.4
S
V
A
nA
V
I
D
= -250 A,V
GS
=0V
V
DS
=-40V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
=-250 A,
V
DS
=V
GS
V
GS
= -10V ,我
D
=-3.8A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-2.9A
V
DS
=-15V,I
D
=-3.8A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
零栅极电压漏极电流I
DSS
门体漏
I
GSS
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(*)
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
正向跨导
(*)()
g
fs
动态
()
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
() ()
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(*)
反向恢复时间
()
反向恢复电荷
()
V
SD
t
rr
Q
rr
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
965
180
158
pF
pF
pF
V
DS
=-20V, V
GS
=0V,
f=1MHz
4.0
6.0
36.8
17.1
16.5
29.6
2.8
8.1
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=-20V,V
GS
=-10V,
I
D
=-3.8A
V
DS
=-20V,V
GS
=-5V,
I
D
=-3.8A
V
DD
= -20V ,我
D
=-1A
R
G
=6.0 ,V
GS
=-10V
-0.89
29.8
37.2
-1.2
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C,I
S
=-3.8A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C,I
F
=-3.8A,
的di / dt = 100A / S
注意事项:
300μS 。占空比
2%.
(*)的测量脉冲条件下进行。宽度
( )的开关特性是独立的工作结温。
( )为设计辅助而已,不受生产测试。
第1期 - 2006年3月
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典型特征
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40V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
( BR ) DSS
= -40V ;
DS ( ON)
= 0.060
I
D
= -9.9A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低效益的导通电阻与快
开关速度。这使它们非常适用于高效率,低电压,
电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
DPAK封装
D
G
S
应用
直流 - 直流转换器
音频输出阶段
继电器和螺线管驱动
电机控制
订购信息
设备
ZXMP4A16KTC
带尺寸
(英寸)
13
胶带宽度
16mm
QUANTITY每卷
2500台
器件标识
ZXMP
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引脚 - 顶视图
第1期 - 2006年3月
捷特科PLC 2006
1
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ZXMP4A16K
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
V
GS
= -10V ;牛逼
A
=25°C
(b)
V
GS
= -10V ;牛逼
A
=70°C
(b)
V
GS
= -10V ;牛逼
A
=25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流(体二极管)
(b)
脉冲源电流(体二极管)
(c)
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
P
D
P
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
I
D
-9.9
-8.0
-6.6
-35
-10.1
-35
4.2
33.6
9.5
76
2.15
17.2
-55到+150
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
符号
V
DSS
V
GS
极限
-40
±20
单位
V
V
T
j
:T
英镑
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
价值
30
13.2
58
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜,以
静止空气条件。
( b)对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
(三)重复评价50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB , D = 0.02脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最大
结温。
(四)对于器件表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
第1期 - 2006年3月
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特征
第1期 - 2006年3月
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3
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ZXMP4A16K
电气特性(在T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿
电压
V
( BR ) DSS
-40
-1
100
-1.0
0.060
0.100
7.4
S
V
A
nA
V
I
D
= -250 A,V
GS
=0V
V
DS
=-40V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
=-250 A,
V
DS
=V
GS
V
GS
= -10V ,我
D
=-3.8A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-2.9A
V
DS
=-15V,I
D
=-3.8A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
零栅极电压漏极电流I
DSS
门体漏
I
GSS
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(*)
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
正向跨导
(*)()
g
fs
动态
()
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
() ()
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(*)
反向恢复时间
()
反向恢复电荷
()
V
SD
t
rr
Q
rr
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
965
180
158
pF
pF
pF
V
DS
=-20V, V
GS
=0V,
f=1MHz
4.0
6.0
36.8
17.1
16.5
29.6
2.8
8.1
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=-20V,V
GS
=-10V,
I
D
=-3.8A
V
DS
=-20V,V
GS
=-5V,
I
D
=-3.8A
V
DD
= -20V ,我
D
=-1A
R
G
=6.0 ,V
GS
=-10V
-0.89
29.8
37.2
-1.2
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C,I
S
=-3.8A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C,I
F
=-3.8A,
的di / dt = 100A / S
注意事项:
300μS 。占空比
2%.
(*)的测量脉冲条件下进行。宽度
( )的开关特性是独立的工作结温。
( )为设计辅助而已,不受生产测试。
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联系人:陈泽强
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23000
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755- 82556029/82532511
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联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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100%原装正品,可长期订货
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
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24+
21000
TO-252
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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TO-252
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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ZXMP4A16K
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32000
TO-252
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
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电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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39482
TO252(DPAK)
全新大量库存!样品可出!实单可谈!
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
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