ZXMP4A16G
40V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= -40V ，R
DS （ ON）
= 0.060 : I
D
= -6.4A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理
应用程序。
SOT223
特点
·
·
·
·
·
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT223封装
应用
·
·
·
·
DC- DC转换器
隔离开关
音频输出阶段
电机控制
引脚
订购信息
设备
ZXMP4A16GTA
ZXMP4A16GTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
顶视图
器件标识
·
ZXMP
4A16
第4期 - 2003年7月
1
半导体
ZXMP4A16G
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（ V
GS
= -10V;
(V
GS
= -10V;
(V
GS
= -10V ;牛逼
A
=25°C)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
(a)
(b)
符号
V
DSS
V
GS
T
A
=25°C)
(b)
T
A
=70°C)
(b)
(a)
I
D
极限
-40
20
-6.4
-5.1
-4.6
-21
-5.2
-21
2.0
16
3.9
31
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
θJA
R
θJA
价值
62.5
32.2
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05脉冲宽度有限的最高结温。
第4期 - 2003年7月
半导体
2
ZXMP4A16G
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
正向跨导
(1)(3)
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2)(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
V
SD
t
rr
Q
rr
-0.85
27.2
25.4
-1.2
V
ns
nC
T
J
= 25℃ ，我
S
=-3.4A,
V
GS
=0V
T
J
= 25℃ ，我
F
=-3A,
的di / dt = 100A / S
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
2.33
8.84
29.18
12.54
13.6
26.1
2.8
4.8
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=-20V,V
GS
=-10V,
I
D
=-3.8A
V
DS
=-20V,V
GS
=-5V,
I
D
=-3.8A
V
DD
= -20V ，我
D
=-1A
R
G
6 .0
,
V
GS
=-10V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1007
130
85
pF
pF
pF
V
DS
=-20V, V
GS
=0V,
f=1MHz
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
8.85
-1.0
0.060
0.100
S
-40
-1
100
V
A
nA
V
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-40V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = -250 A，V
DS
= V
GS
D
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
GS
= -10V ，我
D
=-3.8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.9A
V
DS
=-15V,I
D
=-3.8A
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度300μS 。占空比2 ％ 。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
半导体
4
(
第4期 - 2003年7月
ZXMP4A16G
40V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= -40V ，R
DS （ ON）
= 0.060 : I
D
= -6.4A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理
应用程序。
SOT223
特点
·
·
·
·
·
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT223封装
应用
·
·
·
·
DC- DC转换器
隔离开关
音频输出阶段
电机控制
引脚
订购信息
设备
ZXMP4A16GTA
ZXMP4A16GTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
顶视图
器件标识
·
ZXMP
4A16
第4期 - 2003年7月
1
半导体
ZXMP4A16G
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（ V
GS
= -10V;
(V
GS
= -10V;
(V
GS
= -10V ;牛逼
A
=25°C)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
(a)
(b)
符号
V
DSS
V
GS
T
A
=25°C)
(b)
T
A
=70°C)
(b)
(a)
I
D
极限
-40
20
-6.4
-5.1
-4.6
-21
-5.2
-21
2.0
16
3.9
31
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
θJA
R
θJA
价值
62.5
32.2
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05脉冲宽度有限的最高结温。
第4期 - 2003年7月
半导体
2
ZXMP4A16G
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
正向跨导
(1)(3)
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2)(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
V
SD
t
rr
Q
rr
-0.85
27.2
25.4
-1.2
V
ns
nC
T
J
= 25℃ ，我
S
=-3.4A,
V
GS
=0V
T
J
= 25℃ ，我
F
=-3A,
的di / dt = 100A / S
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
2.33
8.84
29.18
12.54
13.6
26.1
2.8
4.8
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=-20V,V
GS
=-10V,
I
D
=-3.8A
V
DS
=-20V,V
GS
=-5V,
I
D
=-3.8A
V
DD
= -20V ，我
D
=-1A
R
G
6 .0
,
V
GS
=-10V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1007
130
85
pF
pF
pF
V
DS
=-20V, V
GS
=0V,
f=1MHz
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
8.85
-1.0
0.060
0.100
S
-40
-1
100
V
A
nA
V
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-40V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = -250 A，V
DS
= V
GS
D
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
GS
= -10V ，我
D
=-3.8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.9A
V
DS
=-15V,I
D
=-3.8A
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度300μS 。占空比2 ％ 。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
半导体
4
(
第4期 - 2003年7月
ZXMP4A16G
40V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= -40V ，R
DS （ ON）
= 0.060 : I
D
= -6.4A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理
应用程序。
SOT223
特点
·
·
·
·
·
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT223封装
应用
·
·
·
·
DC- DC转换器
隔离开关
音频输出阶段
电机控制
引脚
订购信息
设备
ZXMP4A16GTA
ZXMP4A16GTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
顶视图
器件标识
·
ZXMP
4A16
第4期 - 2003年7月
1
半导体
ZXMP4A16G
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（ V
GS
= -10V;
(V
GS
= -10V;
(V
GS
= -10V ;牛逼
A
=25°C)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
(a)
(b)
符号
V
DSS
V
GS
T
A
=25°C)
(b)
T
A
=70°C)
(b)
(a)
I
D
极限
-40
20
-6.4
-5.1
-4.6
-21
-5.2
-21
2.0
16
3.9
31
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
θJA
R
θJA
价值
62.5
32.2
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05脉冲宽度有限的最高结温。
第4期 - 2003年7月
半导体
2
ZXMP4A16G
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
正向跨导
(1)(3)
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2)(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
V
SD
t
rr
Q
rr
-0.85
27.2
25.4
-1.2
V
ns
nC
T
J
= 25℃ ，我
S
=-3.4A,
V
GS
=0V
T
J
= 25℃ ，我
F
=-3A,
的di / dt = 100A / S
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
2.33
8.84
29.18
12.54
13.6
26.1
2.8
4.8
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=-20V,V
GS
=-10V,
I
D
=-3.8A
V
DS
=-20V,V
GS
=-5V,
I
D
=-3.8A
V
DD
= -20V ，我
D
=-1A
R
G
6 .0
,
V
GS
=-10V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1007
130
85
pF
pF
pF
V
DS
=-20V, V
GS
=0V,
f=1MHz
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
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8.85
-1.0
0.060
0.100
S
-40
-1
100
V
A
nA
V
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-40V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = -250 A，V
DS
= V
GS
D
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
GS
= -10V ，我
D
=-3.8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.9A
V
DS
=-15V,I
D
=-3.8A
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度300μS 。占空比2 ％ 。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
半导体
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(
第4期 - 2003年7月
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