ZXMP3F37N8
SO8 30V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
(V)
-30
R
DS （ ON）
()
0.025
@
V
GS
=-10V
0.041
@
V
GS
=-4.5V
I
D
(A)
-10.7
描述
从Zetex的新一代沟道MOSFET的设计，以减少导通状态
电阻（R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关性能使其成为理想的高
效率的电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低栅极驱动器
SO8封装
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
S
S
S
G
D
D
D
D
订购信息
设备
ZXMP3F37N8TA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
500
器件标识
ZXMP 3F37
第1期 - 2008年8月
Diodes公司2008年
1
www.zetex.com
www.diodes.com
ZXMP3F37N8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= -10V ;牛逼
A
=25°C
@ V
GS
= -10V ;牛逼
A
=70°C
@ V
GS
= -10V ;牛逼
A
=25°C
@ V
GS
= -10V ;牛逼
L
=25°C
漏电流脉冲
(c)
(b)
(b)
(b)
(a)
(d)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
-30
单位
V
V
V
±20
-8.5
-6.8
-6.4
-10.7
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
-39.5
-4.4
-39.5
1.56
12.5
2.8
22.2
4.4
35.4
-55到150
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
L
=25°C
线性降额因子
(a)
(b)
(d)
(c)
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
结到环境
交界处领导
注意事项：
(a)
(b)
(c)
(d)
对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止
空气状况。
安装在FR4 PCB测量在t
≤
10秒。
重复的评级25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉宽300US - 脉冲宽度有限的最高结
温度。
热电阻结点到焊接点（在漏极引线的端部） 。
符号
(a)
(b)
价值
80
45
28.26
单位
° C / W
° C / W
° C / W
R
θJA
R
θJA
R
θJL
(d)
第1期 - 2008年8月
Diodes公司2008年
2
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ZXMP3F37N8
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
门体漏
门极 - 源
电压
静态漏源
( )
导通状态电阻
*
前锋
( ) ()
跨
*
动态
()
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
分钟。
-30
典型值。
马克斯。
单位
V
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
GS
=±
20V, V
DS
=0V
I
D
= -250μA ，V
DS
=V
GS
V
GS
= -10V ，我
D
= -7.1A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -5.5A
V
DS
= -15V ，我
D
= -7.1A
-1.0
100
-1.3
-2.5
0.025
0.041
18.6
A
nA
V
S
输入电容
输出电容
反向传输
电容
开关
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
反向恢复时间
( )
() ()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1678
303
178
pF
pF
pF
V
DS
= -15V, V
GS
=0V
f=1MHz
导通延迟时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
3.5
4.9
44
28
31.6
4.3
6.2
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= -15V, V
GS
= -10V
I
D
= -7.1A
V
DD
= -15V, V
GS
= -10V
I
D
= -1A
R
G
6.0Ω,
*
V
SD
t
rr
Q
rr
()
-0.80
16.2
10
-1.2
V
ns
nC
I
S
= -1.7A ，V
GS
=0V
I
S
= -2.2A ，的di / dt = 100A / μs的
()
反向恢复电荷
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
（ ）的开关特性是独立的工作结温。
（ ）为设计辅助而已，不受生产测试
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SO8 30V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
(V)
-30
R
DS （ ON）
()
0.025
@
V
GS
=-10V
0.041
@
V
GS
=-4.5V
I
D
(A)
-10.7
描述
从Zetex的新一代沟道MOSFET的设计，以减少导通状态
电阻（R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关性能使其成为理想的高
效率的电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低栅极驱动器
SO8封装
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
S
S
S
G
D
D
D
D
订购信息
设备
ZXMP3F37N8TA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
500
器件标识
ZXMP 3F37
第1期 - 2008年8月
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1
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绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= -10V ;牛逼
A
=25°C
@ V
GS
= -10V ;牛逼
A
=70°C
@ V
GS
= -10V ;牛逼
A
=25°C
@ V
GS
= -10V ;牛逼
L
=25°C
漏电流脉冲
(c)
(b)
(b)
(b)
(a)
(d)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
-30
单位
V
V
V
±20
-8.5
-6.8
-6.4
-10.7
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
-39.5
-4.4
-39.5
1.56
12.5
2.8
22.2
4.4
35.4
-55到150
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
L
=25°C
线性降额因子
(a)
(b)
(d)
(c)
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
结到环境
交界处领导
注意事项：
(a)
(b)
(c)
(d)
对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止
空气状况。
安装在FR4 PCB测量在t
≤
10秒。
重复的评级25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉宽300US - 脉冲宽度有限的最高结
温度。
热电阻结点到焊接点（在漏极引线的端部） 。
符号
(a)
(b)
价值
80
45
28.26
单位
° C / W
° C / W
° C / W
R
θJA
R
θJA
R
θJL
(d)
第1期 - 2008年8月
Diodes公司2008年
2
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ZXMP3F37N8
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
门体漏
门极 - 源
电压
静态漏源
( )
导通状态电阻
*
前锋
( ) ()
跨
*
动态
()
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
分钟。
-30
典型值。
马克斯。
单位
V
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
GS
=±
20V, V
DS
=0V
I
D
= -250μA ，V
DS
=V
GS
V
GS
= -10V ，我
D
= -7.1A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -5.5A
V
DS
= -15V ，我
D
= -7.1A
-1.0
100
-1.3
-2.5
0.025
0.041
18.6
A
nA
V
S
输入电容
输出电容
反向传输
电容
开关
() ()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1678
303
178
pF
pF
pF
V
DS
= -15V, V
GS
=0V
f=1MHz
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
反向恢复时间
( )
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
3.5
4.9
44
28
31.6
4.3
6.2
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= -15V, V
GS
= -10V
I
D
= -7.1A
V
DD
= -15V, V
GS
= -10V
I
D
= -1A
R
G
6.0Ω,
*
V
SD
t
rr
Q
rr
()
-0.80
16.2
10
-1.2
V
ns
nC
I
S
= -1.7A ，V
GS
=0V
I
S
= -2.2A ，的di / dt = 100A / μs的
()
反向恢复电荷
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
（ ）的开关特性是独立的工作结温。
（ ）为设计辅助而已，不受生产测试
第1期 - 2008年8月
Diodes公司2008年
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