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ZXMP10A18K
100V DPAK P沟道增强型MOSFET
摘要
V
( BR ) DSS
-100
0.190 @ V
GS
= -6V
-5.2
R
DS ( ON)
( )
0.150 @ V
GS
= -10V
I
D
(A)
-5.9
描述
从Zetex的新一代沟道MOSFET采用了独特的
结构相结合的低导通电阻和快速的优点
开关,使其成为理想的高效率电源管理
应用程序。
D
G
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
DPAK封装
S
D
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
D
G
S
引脚 - 顶视图
订购信息
设备
ZXMP10A18KTC
带尺寸
(英寸)
13
胶带宽度
(mm)
16
QUANTITY
每卷
2,500
器件标识
ZXMP
10A18
第1期 - 2006年8月
捷特科PLC 2006
1
www.zetex.com
ZXMP10A18K
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=25°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=70°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流(体二极管)
(b)
脉冲源电流(体二极管)
(c)
在T功耗
AMB
= 25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
= 25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
= 25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
-100
± 20
-5.9
-4.7
-3.8
-21.1
-10
-21.1
4.3
34.4
10.2
81.3
2.17
17.4
-55到+150
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
单位
V
V
A
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
极限
29
12.3
57.6
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜,以
静止空气条件。
( b)对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
(三)重复评价50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB , D = 0.02脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最大
结温。
(四)对于器件表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
第1期 - 2006年8月
捷特科PLC 2006
2
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ZXMP10A18K
热特性
第1期 - 2006年8月
捷特科PLC 2006
3
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ZXMP10A18K
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(*)
正向跨导
(*)()
动态
()
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
() ()
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(*)
反向恢复时间
()
反向恢复电荷
()
V
SD
t
rr
Q
rr
-0.85
49
107
-0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C,I
S
= -3.5A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C,I
S
= -2.8A,
di/dt=100A/ms
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
4.9
6.8
33.9
17.9
26.9
3.9
10.2
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= -50V, V
GS
= -10V
I
D
= -2.8A
V
DD
= -50V ,我
D
= -1A
R
G
=6.0 , V
GS
= -10V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1055
90
76
pF
pF
pF
V
DS
= -50V, V
GS
=0V
f=1MHz
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
fs
6.0
-2.0
-100
-1
100
-4.0
0.150
0.190
S
V
A
nA
V
I
D
= -250 A,V
GS
=0V
V
DS
= -100V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= -250 A,V
DS
=V
GS
V
GS
= -10V ,我
D
= -2.8A
V
GS
= -6V ,我
D
= -2.4A
V
DS
= -15V ,我
D
= -2.8A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度300秒;占空比2 %
( )的开关特性是独立的工作结温。
( )为设计辅助而已,不受生产测试。
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捷特科PLC 2006
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典型特征
第1期 - 2006年8月
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100V DPAK P沟道增强型MOSFET
摘要
V
( BR ) DSS
-100
0.190 @ V
GS
= -6V
-5.2
R
DS ( ON)
( )
0.150 @ V
GS
= -10V
I
D
(A)
-5.9
描述
从Zetex的新一代沟道MOSFET采用了独特的
结构相结合的低导通电阻和快速的优点
开关,使其成为理想的高效率电源管理
应用程序。
D
G
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
DPAK封装
S
D
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
D
G
S
引脚 - 顶视图
订购信息
设备
ZXMP10A18KTC
带尺寸
(英寸)
13
胶带宽度
(mm)
16
QUANTITY
每卷
2,500
器件标识
ZXMP
10A18
第1期 - 2006年8月
捷特科PLC 2006
1
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ZXMP10A18K
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=25°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=70°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流(体二极管)
(b)
脉冲源电流(体二极管)
(c)
在T功耗
AMB
= 25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
= 25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
AMB
= 25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
P
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
-100
± 20
-5.9
-4.7
-3.8
-21.1
-10
-21.1
4.3
34.4
10.2
81.3
2.17
17.4
-55到+150
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
单位
V
V
A
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
极限
29
12.3
57.6
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜,以
静止空气条件。
( b)对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
(三)重复评价50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB , D = 0.02脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最大
结温。
(四)对于器件表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在
静止空气条件。
第1期 - 2006年8月
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热特性
第1期 - 2006年8月
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电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(*)
正向跨导
(*)()
动态
()
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
() ()
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(*)
反向恢复时间
()
反向恢复电荷
()
V
SD
t
rr
Q
rr
-0.85
49
107
-0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C,I
S
= -3.5A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C,I
S
= -2.8A,
di/dt=100A/ms
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
4.9
6.8
33.9
17.9
26.9
3.9
10.2
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= -50V, V
GS
= -10V
I
D
= -2.8A
V
DD
= -50V ,我
D
= -1A
R
G
=6.0 , V
GS
= -10V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1055
90
76
pF
pF
pF
V
DS
= -50V, V
GS
=0V
f=1MHz
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
fs
6.0
-2.0
-100
-1
100
-4.0
0.150
0.190
S
V
A
nA
V
I
D
= -250 A,V
GS
=0V
V
DS
= -100V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= -250 A,V
DS
=V
GS
V
GS
= -10V ,我
D
= -2.8A
V
GS
= -6V ,我
D
= -2.4A
V
DS
= -15V ,我
D
= -2.8A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
注意事项:
(*)的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度300秒;占空比2 %
( )的开关特性是独立的工作结温。
( )为设计辅助而已,不受生产测试。
第1期 - 2006年8月
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典型特征
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ZXMP10A18KTC
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    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
ZXMP10A18KTC
Zetex Semiconductors
22+
8047
原装原厂公司现货
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电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
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DIODES
1830+
74390
TO-252-3
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
ZXMP10A18KTC
DIODES/美台
2024+
9675
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优势现货,全新原装进口
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电话:0755-82578309/18898790342
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
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TO252
███全新原装正品,支持实单
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
ZXMP10A18KTC
DIODES/美台
2418+
5000
SOT-252
正规报关原装现货系列订货技术支持
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电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
ZXMP10A18KTC
DIODES
3438
2229+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
ZXMP10A18KTC
DIODES/美台
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10000
SOT-252
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-82731800
联系人:付先生
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TO252-3
只做原装正品
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
ZXMP10A18KTC
DIODES
2024
20918
TO252-3
原装现货上海库存,欢迎咨询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
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1922+
9825
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