ZXMN6A25DN8
双60V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 60V ，R
DS （ ON）
= 0.055
描述
; I
D
= 4.7A
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理
应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
电机控制
订购信息
设备
ZXMN6A25DN8TA
ZXMN6A25DN8TC
REEL
7
’‘
13’‘
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
引脚
器件标识
ZXMN
6A25D
顶视图
暂定发行B - 2003年6月
1
半导体
ZXMN6A25DN8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
（二） （四）
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
漏电流脉冲
(c)
(b)
（一） （四）
（二） （四）
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
（一） （五）
(c)
极限
60
20
4.7
3.7
3.6
22
3.5
22
1.25
10
1.8
14
2.1
17
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
（一） （四）
P
D
（二） （四）
P
D
T
j
:T
英镑
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
结到环境
结到环境
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t
10秒。
（一） （四）
（一） （五）
（二） （四）
符号
R
JA
R
JA
R
JA
价值
100
70
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
（ d）对于以一种活性模具的双设备。
（ e）对于与在相等功率两种活性模具运行的装置。
暂定发行B - 2003年6月
2
半导体
ZXMN6A25DN8
双60V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 60V ，R
DS （ ON）
= 0.055
描述
; I
D
= 4.7A
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理
应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
电机控制
订购信息
设备
ZXMN6A25DN8TA
ZXMN6A25DN8TC
REEL
7
’‘
13’‘
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
引脚
器件标识
ZXMN
6A25D
顶视图
暂定发行B - 2003年6月
1
半导体
ZXMN6A25DN8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
（二） （四）
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
漏电流脉冲
(c)
(b)
（一） （四）
（二） （四）
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
（一） （五）
(c)
极限
60
20
4.7
3.7
3.6
22
3.5
22
1.25
10
1.8
14
2.1
17
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
（一） （四）
P
D
（二） （四）
P
D
T
j
:T
英镑
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
结到环境
结到环境
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t
10秒。
（一） （四）
（一） （五）
（二） （四）
符号
R
JA
R
JA
R
JA
价值
100
70
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
（ d）对于以一种活性模具的双设备。
（ e）对于与在相等功率两种活性模具运行的装置。
暂定发行B - 2003年6月
2
半导体
ZXMN6A25DN8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=25°C
（二） （四）
@V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=70°C
（二） （四）
@V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=25°C
（一） （四）
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
(b)
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
AMB
=25°C
（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
（一） （五）
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
（二） （四）
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
:T
英镑
P
D
P
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
极限
60
20
5
4
3.8
24
3.4
24
1.25
10
1.8
14
2.1
17
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
（一） （四）
结到环境
（一） （五）
结到环境
（二） （四）
符号
R
JA
R
JA
R
JA
极限
100
70
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气中
条件。
（ b）对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最高结
温度。
（ d）对于以一种活性模具的双设备。
（ e）对于与在相等功率两种活性模具运行的装置。
第4期 - 2006年11月
捷特科PLC 2006
2
www.zetex.com
ZXMN6A25DN8
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(*)
正向跨导
(*)()
动态
()
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
() ()
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(*)
反向恢复时间
()
反向恢复电荷
()
V
SD
t
rr
Q
rr
0.85
22.0
21.4
0.95
V
ns
nC
T
J
=25°C,
I
S
=5.5A,V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=2.2A,
的di / dt = 100A / S
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
3.8
4.0
26.2
10.6
11.0
20.4
4.1
5.1
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=30V,V
GS
=5V,
I
D
=4.5A
V
DS
=30V,V
GS
=10V,
I
D
=4.5A
V
DD
= 30V ，我
D
=1A
RG6.0 ，V
GS
=10V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1063
104
64
pF
pF
pF
V
DS
=30V,
V
GS
=0V,f=1MHz
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
10.2
1.0
0.050
0.070
S
60
1.0
100
V
mA
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
=3.6A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3A
V
DS
=15V,I
D
=4.5A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
注意事项：
2% .
（*）的测量脉冲条件下进行。宽= 300秒。占空比
（ ）的开关特性是独立的工作结温。
（ ）为设计辅助而已，不受生产测试。
第4期 - 2006年11月
捷特科PLC 2006
4
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