对产品线
Diodes公司
ZXMN6A11G
60V N沟道增强型MOSFET
产品概述
I
D
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
T
A
= 25°C
4.4A
3.5A
特点和优点
开关速度快
低栅极驱动器
低输入电容
“绿色”成分，并符合RoHS标准（注1 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
120m @ V
GS
= 10V
60V
180mΩ @ V
GS
= 4.5V
机械数据
案例： SOT223
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0 （注1 ）
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端连接：下面请参阅图
码头：完成 - 雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
重量： 0.112克（近似值）
说明与应用
这种MOSFET的设计，以减少通态电阻
并同时保持出色的开关性能，使其成为理想的
高效率的电源管理应用。
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
不间断电源
SOT223
D
G
S
顶视图
引脚输出 - 热门
等效电路
订购信息
（注1 ）
产品
ZXMN6A11GTA
注意事项：
记号
见下文
卷尺寸（英寸）
7
胶带宽度（mm）
12
QUANTITY每卷
1,000
1. Diodes公司将“绿色”产品为那些符合RoHS标准，不含卤素和锑化合物;更多信息
关于Diodes公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到。用于包装的详细信息，请访问我们的网站。
标识信息
ZXMN
6A11
ZXMN =产品型号标识代码， 1号线
6A11 =产品型号标识代码， 2号线
ZXMN6A11G
文件编号： DS33556牧师5 - 2
1第8
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2010年10月
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对产品线
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ZXMN6A11G
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
符号
V
DSS
V
GS
（注3）
T
A
= 70 ℃（注3）
（注2 ）
（注4 ）
（注3）
（注4 ）
I
D
I
DM
I
S
I
SM
价值
60
±20
4.4
3.5
3.1
单位
V
V
GS
= 10V
漏电流脉冲
V
GS
= 10V
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
15.6
5
15.6
A
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功耗
线性降额因子
热阻，结到环境
热阻，结领导
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
（注2 ）
P
D
（注3）
（注2 ）
（注3）
（注5 ）
R
θJA
R
θJL
T
J,
T
英镑
价值
2.0
16
3.9
31
62.5
32.0
9.8
-55到+150
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
2.对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件;该装置是
在稳态条件下测量的操作时。
3.同注（2 ） ，除了设备测量在t
≤
10秒。
4.同注（2 ），除了该装置是脉冲的以D = 0.02和脉冲宽度300μS 。
从结点到焊接点5，热敏电阻（在漏极引线的端部） 。
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2010年10月
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ZXMN6A11G
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻（注6 ）
正向跨导（注6 & 7 ）
二极管的正向电压（注6 ）
反向恢复时间（注7 ）
反向恢复电荷（注7 ）
动态特性（注7 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷（注8 ）
总栅极电荷（注8 ）
门源费（注8 ）
栅 - 漏极电荷（注8 ）
导通延迟时间（注8 ）
导通上升时间（注8 ）
关断延迟时间（注8 ）
关断下降时间（注8）
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
60
1.0
典型值
0.105
0.150
4.9
0.85
21.5
20.5
330
35.2
17.1
3.0
5.7
1.25
0.86
1.95
3.5
8.2
4.6
最大
1.0
±100
3.0
0.120
0.180
0.95
单位
V
μA
nA
V
S
V
ns
nC
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
I
D
= 250μA ，V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 2A
V
DS
= 15V ，我
D
= 2.5A
I
S
= 2.8A ，V
GS
= 0V ，T
J
= 25°C
I
S
= 2.8A ，的di / dt = 100A / μs的
T
J
= 25°C
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
GS
= 4.5V
pF
nC
V
GS
= 10V
V
DS
= 15V
I
D
= 2.5A
ns
V
DD
= 30V ，我
D
= 2.5A,
R
G
= 6Ω, V
GS
= 10V
脉冲条件下测得6 。脉冲宽度
≤
300
μ
S;占空比
≤
2%.
7.辅助设计只，不受生产测试。
8.开关特性是独立的工作结温。
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2010年10月
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ZXMN6A11G
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=25°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=70°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
AMB
=25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
(b)
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
AMB
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
AMB
=25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
60
±20
4.4
3.5
3.1
15.6
5
15.6
2.0
16
3.9
31
-55到+150
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
单位
V
V
A
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
极限
62.5
32
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气中
条件。
（ b）对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
（三）重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结
温度。
第4期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
2
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电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(*)
正向跨导
(*)()
动态
()
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
() ()
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(*)
反向恢复时间
()
反向恢复电荷
()
V
SD
t
rr
Q
rr
0.85
21.5
20.5
0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= 2.8A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
S
= 2.5A,
的di / dt = 100A / S
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.95
3.5
8.2
4.6
3.0
5.7
1.25
0.86
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
= 15V, V
GS
= 5V
I
D
= 2.5A
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 2.5A
V
DD
= 30V ，我
D=
2.5A
R
G
6.0 , V
GS
= 10V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
330
35.2
17.1
pF
pF
pF
V
DS
= 40V, V
GS
=0V
f=1MHz
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
4.9
1.0
0.120
0.180
S
60
1.0
100
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
= 60V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
-VGS
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 2A
V
DS
= 15V ，我
D
= 2.5A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ ）的开关特性是独立的工作结温。
（ ）为设计辅助而已，不受生产测试。
第4期 - 2006年9月
捷特科PLC 2006
4
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