ZXMN6A11G
60V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 60V ;
DS （ ON）
= 0.14
描述
I
D
= 3.8A
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT223封装
SOT223
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
继电器和螺线管驱动
电机控制
订购信息
设备
ZXMN6A11GFTA
ZXMN6A11GFTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
器件标识
ZXMN
6A11
顶视图
第1期 - 2002年3月
1
ZXMN6A11G
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流V GS = 10V ; T A = 25°C （B ）
V GS = 10V ; T A = 70 ° C（ B）
V GS = 10V ; T A = 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T A功率耗散= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T A = 25 ° C功耗（二）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V DSS
V GS
ID
极限
60
20
3.8
3.0
2.7
10
5
10
2.0
16
3.9
31
-55到+150
单位
V
V
A
我DM
IS
我SM
PD
PD
T J ： T英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FRA PCB ， D = 0.05脉冲宽度= 10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
符号
R
θJA
R
θJA
价值
62.5
32
单位
° C / W
° C / W
第1期 - 2002年3月
2
ZXMN6A11G
电气特性
（在TA = 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
电阻（1）
正向跨导（ 3 ）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V SD
吨RR
Q RR
0.85
21.5
20.5
0.95
V
ns
nC
T J = 25 ° C， I S = 2.8A ，
V GS = 0V
T J = 25°C ， I F = 2.5A ，
的di / dt = 100A / μs的
吨D（上）
tr
吨D（关闭）
tf
Qg
Qg
Q GS
Q GD
1.95
3.5
8.2
4.6
3.0
5.7
1.25
0.86
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V DS = 15V ，V GS = 5V ，
I D = 2.5A
V DS = 15V ，V GS = 10V ，
I
D
=2.5A
（请参考测试电路）
V DD = 30V ， I D = 2.5A
R G = 6.0 ，V GS = 10V
（请参考测试电路）
国际空间站
OSS
RSS
330
35.2
17.1
pF
pF
pF
V DS = 40 V ，V GS = 0V ，
f=1MHz
V（ BR ） DSS
I DSS
我GSS
V GS （ TH）
R DS （ ON）
克FS
4.9
1.0
0.140
0.250
S
60
1
100
V
A
nA
V
I D = 250 A，V GS = 0V
V DS = 60V ，V GS = 0V
V GS = ± 20V ，V DS = 0V
I = 250 A，V DS = V GS
D
V GS = 10V ， I D = 4.4A
V GS = 4.5V ， I D = 3.8A
V DS = 15V ， I D = 2.5A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件。
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2002年3月
4
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