【ZXMN6A11DN860V N沟道增强型MOSFET摘要V（ BR ） DSS= 60V ; DS】,IC型号ZXMN6A11DN8TC,ZXMN6A11DN8TC PDF资料,ZXMN6A11DN8TC经销商,ic,电子元器件-51电子网

ZXMN6A11DN8

60V N沟道增强型MOSFET

摘要

（ BR ） DSS

= 60V ;

DS （ ON）

= 0.14

描述

= 2.7A

这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构

它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这

使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。

特点

低导通电阻

开关速度快

低门槛

低栅极驱动器

低调SO8封装

SO8

应用

直流 - 直流转换器

电源管理功能

隔离开关

电机控制

订购信息

设备

ZXMN6A11DN8TA

ZXMN6A11DN8TC

REEL

SIZE

7”

13”

TAPE

宽度

12mm

QUANTITY

每卷

500台

2500台

器件标识

ZXMN

6A11D

顶视图

第1期 - 2002年3月

ZXMN6A11DN8

绝对最大额定值

参数

漏源电压

门源电压

连续漏电流V GS = 10V ; T A = 25°C （B ）

V GS = 10V ; T A = 70 ° C（ B）

V GS = 10V ; T A = 25 ° C（一）

漏电流脉冲（三）

连续源电流（体二极管）（二）

脉冲源电流（体二极管）（三）

在T A功率耗散= 25 ° C（一）（四）

线性降额因子

在T A = 25 ° C（一）（五）功耗

线性降额因子

在T功率耗散A = 25 ° C（ B）（D ）

线性降额因子

工作和存储温度范围

符号

V DSS

V GS

极限

2.7

2.2

2.1

8.3

3.2

8.3

1.25

1.8

2.1

-55到+150

单位

我DM

我SM

T J ： T英镑

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

结到环境（一），（四）

结到环境（一），（五）

结到环境（B ）（D ）

符号

θJA

价值

100

单位

° C / W

笔记

（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件

（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。

（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05脉冲宽度为10μs = - 脉冲宽度有限的最高结温。

（ d）对于设备与一个主动裸芯片

（五）对于设备在与同等功率两个活动模运行。

第1期 - 2002年3月

ZXMN6A11DN8

特征

第1期 - 2002年3月

ZXMN6A11DN8

电气特性

（在TA = 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

门源阈值电压

静态漏源导通状态

电阻（1）

正向跨导（ 3 ）

动态

(3)

输入电容

输出电容

反向传输电容

SWITCHING(2)

(3)

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

源极 - 漏极二极管

二极管的正向电压（ 1 ）

反向恢复时间（ 3 ）

反向恢复电荷（ 3 ）

V SD

吨RR

Q RR

0.85

21.5

20.5

0.95

T J = 25 ° C， I S = 2.8A ，

V GS = 0V

T J = 25°C ， I F = 2.5A ，

的di / dt = 100A / μs的

吨D（上）

吨D（关闭）

Q GS

Q GD

1.95

3.5

8.2

4.6

3.0

5.7

1.25

0.86

V DS = 15V ，V GS = 5V ，

I D = 2.5A

V DS = 15V ，V GS = 10V ，

=2.5A

（请参考测试电路）

V DD = 15V ， I D = 2.5A

R G = 6.0 ，V GS = 10V

（请参考测试电路）

国际空间站

OSS

RSS

330

35.0

17.0

V DS = 40 V ，V GS = 0V ，

f=1MHz

V（ BR ） DSS

I DSS

我GSS

V GS （ TH）

R DS （ ON）

克FS

4.9

1.0

0.14

0.25

100

I D = 250μA ，V GS = 0V

V DS = 60V ，V GS = 0V

V GS = 20V ，V DS = 0V

I = 250 A，V DS = V GS

V GS = 10V ， I D = 4.4A

V GS = 4.5V ， I D = 3.8A

V DS = 15V ， I D = 2.5A

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件。

笔记

（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比

≤

2% .

（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。

（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。

第1期 - 2002年3月

ZXMN6A11DN8

典型特征

第1期 - 2002年3月

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