ZXMN6A09G
60V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 60V ;
DS （ ON）
= 0.045
描述
I
D
= 5.1A
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SOT223
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
继电器和螺线管驱动
电机控制
订购信息
设备
ZXMN6A09GTA
ZXMN6A09GTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
器件标识
ZXMN
6A09
顶视图
临时版本D - 2003年9月
1
半导体
ZXMN6A09G
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流（ V
GS
=10V;
(V
GS
=10V;
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
（一） （四）
(b)
符号
V
DSS
V
GS
T
A
=25°C)
(b)
T
A
=70°C)
(b)
(a)
I
D
极限
60
20
6.9
5.6
5.0
30.6
3.5
30.6
2.0
16
3.9
31
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
在T功耗
A
=25°C
（二） （四）
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
（一） （四）
结到环境
（二） （四）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
62.5
32.2
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02脉冲宽度= 300μS - 脉冲宽度有限的最高结温。
临时版本D - 2003年9月
半导体
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ZXMN6A09G
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导（ 3 ）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
0.85
26.3
26.6
0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=6.6A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=3.5A,
的di / dt = 100A / μs的
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
4.9
5.0
25.3
4.6
12.4
24.2
5.2
3.5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=15V,V
GS
=10V,
I
D
=3.5A
V
DD
= 15V ，我
D
=3.5A
R
G
6.0,
V
GS
=10V
（参考试验
电路）
V
DS
=15V,V
GS
=5V,
I
D
=3.5A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1407
121
59
pF
pF
pF
V
DS
=40 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
V
（ BR ） DSS
60
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
15
1.0
0.045
0.070
1
100
V
A
nA
V
S
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I = 250μA ，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= 10V ，我
D
=8.2A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=7.4A
V
DS
=15V,I
D
=8.2A
符号最小值。
典型值。
马克斯。
单位条件
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
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半导体
4
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