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ZXMN6A09DN8
双60V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 60V ;
DS （ ON）
=0.045
D
=5.2A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低效益的导通电阻与快
开关速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，
电源管理应用。
特点
SO8
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN6A09DN8TA
ZXMN6A09DN8TC
带尺寸
7”
13”
胶带宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
顶视图
器件标识
ZXMN
6A09D
临时版本D - 2001年8月
1
ZXMN6A09DN8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流（ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)(b)(d)
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C)(b)(d)
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)(a)(d)
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ℃（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（一） （五）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（ B） （D ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
60
20
5.2
4.1
3.9
17.6
3.5
15
1.25
10
1.81
14.5
2.16
17.3
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）， （四）
结到环境（一）， （五）
结到环境（B ） （D ）
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
100
69
58
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05脉冲宽度为10μs = - 脉冲宽度有限的最大
结温。
（ d）对于设备与一个主动裸芯片
（五）对于设备在与同等功率两个活动模运行。
临时版本D - 2001年8月
2
ZXMN6A09DN8
热特性
10
I
D
漏电流（ A）
R
DS （ ON）
极限
最大功耗（ W）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
20
40
60
80
100 120
140 160
一个活动模
两个有源芯片
1
DC
1s
100ms
单脉冲
T
AMB
=25 C
一个活动模
10ms
1ms
100s
100m
10m
100m
1
10
100
V
DS
漏源极电压（ V）
温度（℃）
安全工作区
110
T
AMB
=25 C
100
90
一个活动模
80
70
D=0.5
60
50
40
D=0.2
30
20
10
0
100 1m 10m 100m
降额曲线
热阻（ C / W ）
最大功率（W）的
100
单脉冲
T
AMB
=25 C
一个活动模
10
单脉冲
D=0.05
D=0.1
1
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
1
10
100
1k
脉冲宽度（S ）
脉冲宽度（S ）
瞬态热阻抗
脉冲功率耗散
临时版本D - 2001年8月
3
ZXMN6A09DN8
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导（ 3 ）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
0.85
26.3
26.6
0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=6.6A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=3.5A,
的di / dt = 100A / μs的
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
4.9
5.0
25.3
4.6
12.4
24.2
5.2
3.5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=15V,V
GS
=10V,
I
D
=3.5A
V
DD
= 15V ，我
D
=3.5A
R
G
=6.0, V
GS
=10V
（参考试验
电路）
V
DS
=15V,V
GS
=5V,
I
D
=3.5A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1407
121
59
pF
pF
pF
V
DS
=40 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
15
1.0
0.045
0.075
60
1
100
V
A
nA
V
S
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I = 250μA ，V
DS
= V
GS
D
符号最小值。
典型值。
马克斯。
单位条件。
V
GS
= 10V ，我
D
=8.2A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=7.4A
V
DS
=15V,I
D
=8.2A
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
临时版本D - 2001年8月
4
ZXMN6A09DN8
典型特征
中T = 25℃
T = 150℃
4V
3.5V
5V
5V
4V
3.5V
3V
I
D
漏电流（ A）
1
I
D
漏电流（ A）
10
10
3V
V
GS
1
2.5V
0.1
2.5V
0.1
2V
V
GS
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
V
DS
漏源极电压（ V）
V
DS
漏源极电压（ V）
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
10
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-50
0
I
D
漏电流（ A）
T = 150℃
V
GS
= 10V
I
D
= 12A
R
DS （ ON）
1
中T = 25℃
V
GS （ TH）
V
GS
= V
DS
I
D
= 250uA
0.1
2
3
4
V
DS
= 10V
5
50
100
150
V
GS
栅源电压（ V）
TJ结温（ ° C）
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
I
SD
反向漏电流（ A）
1
3V
3.5V
4V
10
V
GS
T = 150℃
1
0.1
5V
10V
中T = 25℃
中T = 25℃
0.1
1
10
I
D
漏电流（ A）
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
源极 - 漏极电压（ V）
1.2
临时版本D - 2001年8月
5
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