ZXMN6A07F
60V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
( BR ) DSS
= 60V ;
DS ( ON)
=0.4
描述
I
D
=1A
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率,低电压,电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23封装
SOT23
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
继电器和螺线管驱动
电机控制
订购信息
设备
ZXMN6A07FTA
ZXMN6A07FTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
器件标识
7N6
顶视图
第1期 - 2002年3月
1
ZXMN6A07F
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流V GS = 10V ; T A = 25°C (B )
V GS = 10V ; T A = 70 ° C( B)
V GS = 10V ; T A = 25 ° C(一)
漏电流脉冲(三)
连续源电流(体二极管) (二)
脉冲源电流(体二极管) (三)
在T A功率耗散= 25 ° C(一)
线性降额因子
在T A = 25 ° C功耗(二)
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V DSS
V GS
ID
极限
60
20
1.0
0.84
0.93
4
1
4
625
5
806
6.4
-55到+150
单位
V
V
A
我DM
IS
我SM
PD
PD
T J : T英镑
A
A
A
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境(一)
结到环境(二)
笔记
(一)对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在静止空气条件
( b)对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
(三)重复评价25毫米x 25mm的FR4 PC , D = 0.05 ,脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。是指瞬时
热阻抗曲线。
符号
R
θJA
R
θJA
价值
200
155
单位
° C / W
° C / W
第1期 - 2002年3月
2
ZXMN6A07F
电气特性
(在TA = 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
电阻(1)
正向跨导( 3 )
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压( 1 )
反向恢复时间( 3 )
反向恢复电荷( 3 )
V SD
吨RR
Q RR
0.8
20.5
21.3
0.95
V
ns
nC
T J = 25 ° C, I S = 0.45A ,
V GS = 0V
T J = 25°C , I F = 1.8A ,
的di / dt = 100A / μs的
吨D(上)
tr
吨D(关闭)
tf
Qg
Qg
Q GS
Q GD
1.8
1.4
4.9
2.0
1.65
3.2
0.67
0.82
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V DS = 30V ,V GS = 10V ,
I
D
=1.8A
V DS = 30V ,V GS = 5V ,
I D = 1.8A
V DD = 30V , I D = 1.8A
R G = 6.0Ω ,V GS = 10V
国际空间站
OSS
RSS
166
19.5
8.7
pF
pF
pF
V DS = 40 V ,V GS = 0V ,
f=1MHz
V( BR ) DSS
I DSS
我GSS
V GS ( TH)
R DS ( ON)
克FS
1.0
0.3
2.3
60
1
100
3.0
0.40
0.55
V
A
nA
V
S
I D = 250μA ,V GS = 0V
V DS = 60V ,V GS = 0V
V GS = ± 20V ,V DS = 0V
I = 250μA ,V DS = V GS
D
V GS = 10V , I D = 1.8A
V GS = 4.5V , I D = 1.3A
V DS = 15V , I D = 1.8A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件。
笔记
(1)脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
( 2 )开关特性是独立的工作结温。
( 3)设计辅助工具而已,不受生产测试。
第1期 - 2002年3月
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