【ZXMN3F31DN8SO8 30V双N沟道增强型MOSFET摘要V（ BR ） DSS30RDS 】,IC型号ZXMN3F31DN8TA,ZXMN3F31DN8TA PDF资料,ZXMN3F31DN8TA经销商,ic,电子元器件-51电子网

ZXMN3F31DN8

SO8 30V双N沟道增强型MOSFET

摘要

（ BR ） DSS

DS （ ON）

(Ω)

0.024 @ V

= 10V

0.039 @ V

= 4.5V

(A)

7.3

5.7

描述

从Zetex的新一代沟道MOSFET具有低导通

电阻可实现与4.5V栅极驱动。

特点

低导通电阻

4.5V栅极驱动能力

应用

DC- DC转换器

电源管理功能

负载开关

电机控制

背光照明

胶带宽度

(mm)

QUANTITY

每卷

500

订购信息

设备

ZXMN3F31DN8TA

带尺寸

（英寸）

器件标识

ZXMN

3F31D

第2期 - 2008年2月

捷特科PLC 2008

www.zetex.com

ZXMN3F31DN8

绝对最大额定值

参数

漏源电压

门源电压

连续漏电流@ V

=10; T

=25°C

(b)

@ V

=10; T

=70°C

(b)

@ V

=10; T

=25°C

(a)

漏电流脉冲

(c)

连续源电流（体二极管）

(b)

脉冲源电流（体二极管）

(c)

在T功耗

=25°C

（一）（四）

线性降额因子

在T功耗

=25°C

（一）（五）

线性降额因子

在T功耗

=25°C

（二）（四）

线性降额因子

工作和存储温度范围

, T

英镑

符号

DSS

极限

±20

7.3

5.9

5.7

3.5

1.25

1.8

2.1

-55到150

单位

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

结到环境

（一）（四）

结到环境

（一）（五）

结到环境

（二）（四）

交界处领导

(f)

符号

极限

100

单位

° C / W

注意事项：

（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气中

条件。

（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t

≤

10秒。

（三）重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300μS - 脉冲宽度有限的最高结

温度。

（ d）对于以一种活性模具的双设备。

（ e）对于与在相等功率两种活性模具运行的装置。

（六）从结点到焊接点的热阻抗（在漏极引线端）。

第2期 - 2008年2月

捷特科PLC 2008

www.zetex.com

ZXMN3F31DN8

热特性

第2期 - 2008年2月

捷特科PLC 2008

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ZXMN3F31DN8

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿

电压

零栅压漏

当前

门体漏

门极 - 源

电压

静态漏源

导通状态电阻

(*)

前锋

跨

(*)()

动态

()

输入电容

输出电容

反向传输

电容

开关

()()

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

闸漏极电荷

源极 - 漏极二极管

二极管的正向电压

(*)

反向恢复时间

()

0.82

4.8

1.2

= 25 ° C，I

= 1.7A,

=0V

=25

C，我

=2.2A

的di / dt = 100A / S

D（上）

D（关闭）

2.9

3.3

12.9

2.5

2.52

= 15V, V

= 10V

= 7A

= 15V ，我

= 1A

6.0Ω, V

=10V

国际空间站

OSS

RSS

608

132

= 15V, V

=0V

f=1MHz

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

16.5

1.0

0.5

100

3.0

0.024

0.039

μA

= 250μA ，V

=0V

= 30V, V

=0V

=±20V, V

=0V

= 250μA ，V

= 10V ，我

= 7.0A

= 4.5V ，我

= 6.0A

= 15V ，我

= 7A

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

反向恢复电荷

()

注意事项：

（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤2%.

（）为设计辅助而已，不受生产测试

（）的开关特性是独立的工作结温。

第2期 - 2008年2月

捷特科PLC 2008

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ZXMN3F31DN8

典型特征

第2期 - 2008年2月

捷特科PLC 2008

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ZXMN3F31DN8

SO8 30V双N沟道增强型MOSFET

摘要

（ BR ） DSS

DS （ ON）

()

0.024 @ V

= 10V

0.039 @ V

= 4.5V

(A)

7.3

5.7

描述

从Zetex的新一代沟道MOSFET具有低导通

电阻可实现与4.5V栅极驱动。

特点

低导通电阻

4.5V栅极驱动能力

应用

DC- DC转换器

电源管理功能

负载开关

电机控制

背光照明

胶带宽度

(mm)

QUANTITY

每卷

500

订购信息

设备

ZXMN3F31DN8TA

带尺寸

（英寸）

器件标识

ZXMN

3F31D

第1期 - 2008年1月

捷特科PLC 2008

www.zetex.com

ZXMN3F31DN8

绝对最大额定值

参数

漏源电压

门源电压

连续漏电流@ V

=10; T

=25°C

(b)

@ V

=10; T

=70°C

(b)

@ V

=10; T

=25°C

(a)

漏电流脉冲

(c)

连续源电流（体二极管）

(b)

脉冲源电流（体二极管）

(c)

在T功耗

=25°C

（一）（四）

线性降额因子

在T功耗

=25°C

（一）（五）

线性降额因子

在T功耗

=25°C

（二）（四）

线性降额因子

工作和存储温度范围

, T

英镑

符号

DSS

极限

±20

7.3

5.9

5.7

1.25

1.8

2.1

-55到150

单位

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

结到环境

（一）（四）

结到环境

（一）（五）

结到环境

（二）（四）

交界处领导

(f)

符号

极限

100

单位

° C / W

注意事项：

（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气中

条件。

（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t

≤

10秒。

（三）重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300μS - 脉冲宽度有限的最高结

温度。

（ d）对于以一种活性模具的双设备。

（ e）对于与在相等功率两种活性模具运行的装置。

（六）从结点到焊接点的热阻抗（在漏极引线端）。

第1期 - 2008年1月

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热特性

第1期 - 2008年1月

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电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿

电压

零栅压漏

当前

门体漏

门极 - 源

电压

静态漏源

导通状态电阻

(*)

前锋

跨

(*)()

动态

()

输入电容

输出电容

反向传输

电容

开关

()()

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

闸漏极电荷

源极 - 漏极二极管

二极管的正向电压

(*)

0.82

1.2

= 25 ° C，I

= 1.7A,

=0V

D（上）

D（关闭）

2.9

3.3

12.9

2.5

2.52

= 15V, V

= 10V

= 7A

= 15V ，我

= 1A

6.0, V

=10V

国际空间站

OSS

RSS

608

132

= 15V, V

=0V

f=1MHz

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

16.5

1.0

0.5

100

3.0

0.024

0.039

= 250μA ，V

=0V

= 30V, V

=0V

=±20V, V

=0V

= 250μA ，V

= 10V ，我

= 7.0A

= 4.5V ，我

= 6.0A

= 15V ，我

= 7A

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

注意事项：

（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤2%.

（）为设计辅助而已，不受生产测试

（）的开关特性是独立的工作结温。

第1期 - 2008年1月

捷特科PLC 2008

www.zetex.com

ZXMN3F31DN8

典型特征

第1期 - 2008年1月

捷特科PLC 2008