产品型号
ZXMN3F318DN8
30V SO8非对称双N沟道增强模式
MOSFET
摘要
设备
Q1
V
（ BR ） DSS
Q
G
（ NC ）
30
12.9
R
DS
（上）
(Ω)
0.024 @ V
GS
= 10V
0.039 @ V
GS
= 4.5V
0.035 @ V
GS
= 10V
I
D
(A)
7.3
5.7
6
4.8
Q2
30
9
0.055 @ V
GS
= 4.5V
描述
从Zetex的新一代双沟槽MOSFET具有低导通电阻可实现
低（ 4.5V ）的栅极驱动器
.
特点
低导通电阻
4.5V栅极驱动能力
薄型SOIC封装
应用
DC- DC转换器
SMPS
负载开关
电机控制
背光
Q2
Q1
订购信息
设备
带尺寸
（英寸）
胶带宽度
(mm)
QUANTITY
每卷
ZXMN3F318DN8TA
7
12
500
器件标识
ZXMN
3F318
引脚排列 - 顶视图
第1期 - 2008年3月
捷特科PLC 2008
1
www.zetex.com
ZXMN3F318DN8
绝对最大额定值
参数
符号
极限
Q1
极限
Q2
单位
漏源电压
栅源电压
连续漏电流V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25°C （B ）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 70 ° C（ B）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ℃（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（一） （五）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（ B） （D ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻
参数
V
DSS
V
GS
I
D
30
±
20
7.3
5.9
5.7
30
±
20
6
4.8
4.6
25
3.3
25
1.25
10
1.8
14
2.1
17
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
33
3.5
33
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
-55到+150
符号
价值
单位
结到环境（一）， （四）
结到环境（一）， （五）
结到环境（B ） （D ）
交界处领导（F ）
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJL
100
70
60
53
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面1盎司
铜，在静止空气条件。
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t
≤
10秒。
（三）重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉宽300US - 脉冲宽度有限的
最高结温。
（ d）对于以一种活性模具的双设备。
（ e）对于与在相等功率两种活性模具运行的装置。
（六）从结点到焊接点的热电阻（在漏极引线的端部） 。
第1期 - 2008年3月
捷特科PLC 2008
2
www.zetex.com
ZXMN3F318DN8
Q1电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
电阻（1）
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
30
0.5
100
1.0
3.0
0.024
V
μA
nA
V
Ω
ID = 250μA ， VGS = 0V
VDS = 30V ， VGS = 0V
VGS = ± 20V ， VDS = 0V
ID = 250μA ， VDS = VGS
VGS = 10V ，ID = 7.0A
0.039
正向跨导（1）（ 3）
动态（ 3 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关电源（2）（ 3）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
Ω
S
VGS = 4.5V ，ID = 6.0A
VDS = 15V ，ID = 7A
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
Q
rr
16.5
608
132
71
pF
pF
pF
VDS = 15V ， VGS = 0V
f=1MHz
2.9
3.3
16
8
12.9
2.5
2.52
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
VDD = 15V ， ID = 1A
RG
6.0Ω,
VGS = 10V
VDS = 15V ， VGS = 10V
ID = 7A
0.82
1.2
V
TJ = 25 ° C， IS = 1.7A ，
VGS=0V
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
(1)
(2)
(3)
12
4.8
ns
nC
TJ = 25 ° C， IS = 2.2A ，
di/dt=100A/s
脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%.
开关特性是独立的工作结温。
对于设计辅助工具而已，不受生产测试。
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捷特科PLC 2008
4
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产品型号
ZXMN3F318DN8
30V SO8非对称双N沟道增强模式
MOSFET
摘要
设备
Q1
V
（ BR ） DSS
Q
G
（ NC ）
30
12.9
R
DS
（上）
(Ω)
0.024 @ V
GS
= 10V
0.039 @ V
GS
= 4.5V
0.035 @ V
GS
= 10V
I
D
(A)
7.3
5.7
6
4.8
Q2
30
9
0.055 @ V
GS
= 4.5V
描述
从Zetex的新一代双沟槽MOSFET具有低导通电阻可实现
低（ 4.5V ）的栅极驱动器
.
特点
低导通电阻
4.5V栅极驱动能力
薄型SOIC封装
应用
DC- DC转换器
SMPS
负载开关
电机控制
背光
Q2
Q1
订购信息
设备
带尺寸
（英寸）
胶带宽度
(mm)
QUANTITY
每卷
ZXMN3F318DN8TA
7
12
500
器件标识
ZXMN
3F318
引脚排列 - 顶视图
第1期 - 2008年3月
捷特科PLC 2008
1
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ZXMN3F318DN8
绝对最大额定值
参数
符号
极限
Q1
极限
Q2
单位
漏源电压
栅源电压
连续漏电流V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25°C （B ）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 70 ° C（ B）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ℃（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（一） （五）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（ B） （D ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻
参数
V
DSS
V
GS
I
D
30
±
20
7.3
5.9
5.7
30
±
20
6
4.8
4.6
25
3.3
25
1.25
10
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
33
3.5
33
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
P
D
1.8
14
P
D
2.1
17
T
j
, T
英镑
-55到+150
符号
价值
单位
结到环境（一）， （四）
结到环境（一）， （五）
结到环境（B ） （D ）
交界处领导（F ）
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJL
100
70
60
53
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面1盎司
铜，在静止空气条件。
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t
≤
10秒。
（三）重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉宽300US - 脉冲宽度有限的
最高结温。
（ d）对于以一种活性模具的双设备。
（ e）对于与在相等功率两种活性模具运行的装置。
（六）从结点到焊接点的热电阻（在漏极引线的端部） 。
第1期 - 2008年3月
捷特科PLC 2008
2
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ZXMN3F318DN8
Q1电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
电阻（1）
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
30
0.5
100
1.0
3.0
0.024
V
μA
nA
V
Ω
ID = 250μA ， VGS = 0V
VDS = 30V ， VGS = 0V
VGS = ± 20V ， VDS = 0V
ID = 250μA ， VDS = VGS
VGS = 10V ，ID = 7.0A
0.039
正向跨导（1）（ 3）
动态（ 3 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关电源（2）（ 3）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
Ω
S
VGS = 4.5V ，ID = 6.0A
VDS = 15V ，ID = 7A
g
fs
16.5
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
608
132
71
pF
pF
pF
VDS = 15V ， VGS = 0V
f=1MHz
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
2.9
3.3
16
8
12.9
2.5
2.52
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
VDD = 15V ， ID = 1A
RG
6.0Ω,
VGS = 10V
VDS = 15V ， VGS = 10V
ID = 7A
V
SD
t
rr
Q
rr
0.82
1.2
V
TJ = 25 ° C， IS = 1.7A ，
VGS=0V
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
(1)
(2)
(3)
12
4.8
ns
nC
TJ = 25 ° C， IS = 2.2A ，
di/dt=100A/s
脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤
2%.
开关特性是独立的工作结温。
对于设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2008年3月
捷特科PLC 2008
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