ZXMN3B04N8
30V N沟道增强型MOSFET 2.5V栅极驱动
摘要
V
（ BR ） DSS
= 30V ，R
DS
(
on
)=0.025 ; I
D
= 8.9A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN3B04N8TA
ZXMN3B04N8TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
顶视图
器件标识
ZXMN
3B04
第2期 - 2004年5月
1
半导体
ZXMN3B04N8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=70°C
(b)
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
(b)
(b)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
30
12
8.9
7.3
7.2
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
(c)
45
4.5
45
2
16
3
24
-55到+150
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
价值
62.5
41.4
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在50毫米×50毫米的FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
（三）重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
第2期 - 2004年5月
半导体
2
ZXMN3B04N8
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
正向跨导
(1) (3)
动态
(3)
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
30
0.5
100
0.7
0.021
0.028
24
0.025
0.040
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V, V
DS
=0V
I = 250 A，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= 4.5V ，我
D
=7.2A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5.7A
S
V
DS
=15V,I
D
=7.2A
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
2480
318
184
pF
pF
pF
V
DS
=15V, V
GS
=0V,
f=1MHz
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
9
11.5
40
16.6
23.1
4.9
6.2
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DD
=15V, V
GS
=4.5V
I
D
=1A
R
G
6.0
,
V
DS
=15V,V
GS
=4.5V,
I
D
=7.2A
0.85
17.9
10
0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=8A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=3.2A,
的di / dt = 100A / S
Q
rr
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第2期 - 2004年5月
半导体
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30V N沟道增强型MOSFET 2.5V栅极驱动
摘要
V
（ BR ） DSS
= 30V ，R
DS
(
on
)=0.025 ; I
D
= 8.9A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN3B04N8TA
ZXMN3B04N8TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
顶视图
器件标识
ZXMN
3B04
第2期 - 2004年5月
1
半导体
ZXMN3B04N8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=70°C
(b)
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
(b)
(b)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
30
12
8.9
7.3
7.2
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
(c)
45
4.5
45
2
16
3
24
-55到+150
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
价值
62.5
41.4
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在50毫米×50毫米的FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
（三）重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
第2期 - 2004年5月
半导体
2
ZXMN3B04N8
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
正向跨导
(1) (3)
动态
(3)
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
30
0.5
100
0.7
0.021
0.028
24
0.025
0.040
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V, V
DS
=0V
I = 250 A，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= 4.5V ，我
D
=7.2A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5.7A
S
V
DS
=15V,I
D
=7.2A
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
2480
318
184
pF
pF
pF
V
DS
=15V, V
GS
=0V,
f=1MHz
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
9
11.5
40
16.6
23.1
4.9
6.2
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DD
=15V, V
GS
=4.5V
I
D
=1A
R
G
6.0
,
V
DS
=15V,V
GS
=4.5V,
I
D
=7.2A
0.85
17.9
10
0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=8A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=3.2A,
的di / dt = 100A / S
Q
rr
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第2期 - 2004年5月
半导体
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