ZXMN3A04K
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
(b)
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
P
D
T
j
, T
英镑
(a)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
30
±20
18.4
14.7
12.0
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
66
11.5
66
4.3
34.4
10.1
80.8
2.15
17.2
-55到+150
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
价值
29
12.3
58
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在测量FR4 PCB
10秒。
（三）重复评价50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ， D = 0.02脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
（四）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。
第1期 - 2004年2月
半导体
2
ZXMN3A04K
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
1.0
0.02
0.03
正向跨导
(1) (3)
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
5.2
6.1
38.1
20.2
19.9
ns
ns
ns
ns
nC
V
DS
= 15V, V
GS
= 5V
I
D
= 6.5A
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 6.5A
V
DD
= 15V ，我
D
= 1A
R
G
6.0
, V
GS
= 10V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1890
349
218
pF
pF
pF
V
DS
= 15V, V
GS
=0V
f=1MHz
g
fs
22.1
S
30
0.5
100
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
= 30V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250毫安，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 9.8A
V
DS
= 15V ，我
D
= 12.6A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
36.8
5.8
7.1
nC
nC
nC
V
SD
t
rr
Q
rr
0.85
18.4
11
0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= 6.8A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
S
= 2.3A,
的di / dt = 100A / S
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2004年2月
半导体
4
ZXMN3A04K
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
(b)
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
P
D
T
j
, T
英镑
(a)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
30
±20
18.4
14.7
12.0
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
66
11.5
66
4.3
34.4
10.1
80.8
2.15
17.2
-55到+150
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
价值
29
12.3
58
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在测量FR4 PCB
10秒。
（三）重复评价50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ， D = 0.02脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
（四）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。
第1期 - 2004年2月
半导体
2
ZXMN3A04K
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
1.0
0.02
0.03
正向跨导
(1) (3)
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
5.2
6.1
38.1
20.2
19.9
ns
ns
ns
ns
nC
V
DS
= 15V, V
GS
= 5V
I
D
= 6.5A
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 6.5A
V
DD
= 15V ，我
D
= 1A
R
G
6.0
, V
GS
= 10V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1890
349
218
pF
pF
pF
V
DS
= 15V, V
GS
=0V
f=1MHz
g
fs
22.1
S
30
0.5
100
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
= 30V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250毫安，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 9.8A
V
DS
= 15V ，我
D
= 12.6A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
36.8
5.8
7.1
nC
nC
nC
V
SD
t
rr
Q
rr
0.85
18.4
11
0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= 6.8A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
S
= 2.3A,
的di / dt = 100A / S
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2004年2月
半导体
4
ZXMN3A04K
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
(b)
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(d)
线性降额因子
工作和存储温度范围
P
D
T
j
, T
英镑
(a)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
30
±20
18.4
14.7
12.0
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
66
11.5
66
4.3
34.4
10.1
80.8
2.15
17.2
-55到+150
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
结到环境
(d)
符号
R
JA
R
JA
R
JA
价值
29
12.3
58
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在测量FR4 PCB
10秒。
（三）重复评价50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ， D = 0.02脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
（四）对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ，在静止空气条件。
第1期 - 2004年2月
半导体
2
ZXMN3A04K
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
1.0
0.02
0.03
正向跨导
(1) (3)
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
5.2
6.1
38.1
20.2
19.9
ns
ns
ns
ns
nC
V
DS
= 15V, V
GS
= 5V
I
D
= 6.5A
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 6.5A
V
DD
= 15V ，我
D
= 1A
R
G
6.0
, V
GS
= 10V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1890
349
218
pF
pF
pF
V
DS
= 15V, V
GS
=0V
f=1MHz
g
fs
22.1
S
30
0.5
100
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
= 30V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250毫安，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 9.8A
V
DS
= 15V ，我
D
= 12.6A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
36.8
5.8
7.1
nC
nC
nC
V
SD
t
rr
Q
rr
0.85
18.4
11
0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= 6.8A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
S
= 2.3A,
的di / dt = 100A / S
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2004年2月
半导体
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