ZXMN3A04DN8
双30V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 30V ;
DS （ ON）
= 0.02
描述
; I
D
= 8.5A
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN3A04DN8TA
ZXMN3A04DN8TC
REEL
7
’‘
13’‘
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
引脚
器件标识
ZXMN
3A04D
顶视图
第2期 - 2002年10月
1
ZXMN3A04DN8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流（ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)(b)(d)
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C)(b)(d)
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)(a)(d)
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ℃（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（一） （五）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（ B） （D ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
30
20
8.5
6.8
6.5
39
3.6
39
1.25
10
1.81
14.5
2.15
17.2
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）， （四）
结到环境（二） （五）
结到环境（B ） （D ）
笔记
（一）对于双通道器件表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB板覆盖单面盎司镀铜在静止空气条件。
（ b）对于安装在FR4 PCB双通道器件表面在t测
10秒。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
100
69
58
单位
° C / W
° C / W
° C / W
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02脉冲宽度= 300μS - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅Trnsient
热阻抗曲线。
（ d）对于以一种活性模具的双设备。
第2期 - 2002年10月
2
ZXMN3A04DN8
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导（ 3 ）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
符号
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位条件。
V
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I = 250μA ，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= 10V ，我
D
=12.6A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=10.6A
V
DS
=15V,I
D
=12.6A
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
Q
rr
0.5
100
1.0
0.02
0.03
22.1
1890
349
218
5.2
6.1
38.1
20.2
19.9
36.8
5.8
7.1
0.85
18.4
11
0.95
A
nA
V
S
pF
pF
pF
V
DS
=15V, V
GS
=0V,
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=15V,V
GS
=10V,
I
D
=6.5A
V
DS
=15V,V
GS
=5V,
I
D
=6.5A
V
DD
= 15V ，我
D
=1A
R
G
=6.0, V
GS
=10V
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=6.8A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=2.3A,
的di / dt = 100A / μs的
第2期 - 2002年10月
4
ZXMN3A04DN8
双30V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 30V ;
DS （ ON）
=0.025
I
D
=7.6A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
SO8
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN3A04DN8TA
ZXMN3A04DN8TC
带尺寸
7”
13”
胶带宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
顶视图
器件标识
ZXMN
3A04D
暂定发行A - 2001年8月
1
ZXMN3A04DN8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
符号
V
SS
V
GS
极限
30
20
7.6
6.0
5.8
25
2.5
25
1.25
10
1.8
14
2.1
17
-55到+150
单位
V
V
A
连续漏电流（ V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25 ° C） （B ） （D ）I
D
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C)(b)(d)
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)(a)(d)
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ℃（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（一） （五）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（ B） （D ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）， （四）
结到环境（一）， （五）
结到环境（B ） （D ）
符号
R
θJ
A
R
θJ
A
R
θJ
A
价值
100
70
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05脉冲宽度为10μs = - 脉冲宽度有限的最大
结温。请参阅Transcient热Inpedance图。
（ d）对于设备与一个主动裸芯片
（五）对于设备在与同等功率两个活动模运行。
暂定发行A - 2001年8月
2
ZXMN3A04DN8
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻（ 1 ）
正向跨导（ 3 ）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
20.5
41.5
0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=6A,
V
的s
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=6A,
的di / dt = 100A / μs的
t
（O N）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
5.5
8.7
33
8.5
19.4
35.7
5.5
7.0
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
S
=15V,V
的s
=10V,
I
D
=3.5A
V
S
=15V,V
的s
=5V,
I
D
=3.5A
V
D D
= 15V ，我
D
=6A
R
G
=6.0, V
的s
=10V
C
为s
C
OS s
C
RS s
1800
289
178
pF
pF
pF
V
S
=25V, V
的s
=0V,
f=1MHz
V
（ BR ） DSS
I
SS
I
摹SS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
17.5
1.0
0.02
0.03
30
0.5
100
V
A
nA
V
S
I
D
= 250μA ，V
的s
=0V
V
S
=30V, V
的s
=0V
V
的s
=±20V, V
DS
=0V
I = 250μA ，V
DS
= V
的s
D
符号最小值。
典型值。
马克斯。
单位条件。
V
的s
= 10V ，我
D
=12.6A
V
的s
= 4.5V ，我
D
=10.6A
V
S
=15V,I
D
=6A
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
暂定发行A - 2001年8月
3
ZXMN3A04DN8
包装尺寸
暗淡
单位为毫米
民
A
B
C
D
E
F
G
J
K
L
4.80
最大
4.98
英寸
民
0.189
最大
0.196
1.27 BSC
0.53 REF
0.36
3.81
1.35
0.10
5.80
0°
0.41
0.46
3.99
1.75
0.25
6.20
8°
1.27
0.05 BSC
0.02 REF
0.014
0.15
0.05
0.004
0.23
0°
0.016
0.018
0.157
0.07
0.010
0.24
8°
0.050
Zetex的PLC 。
田新路， Chadderton ，奥尔德姆， OL9-8NP ，英国。
电话： （ 44 ） 161 622 4422 （销售） ， （ 44 ） 161 622 4444 （一般查询）
传真： （ 44 ） 161 622 4420
捷特科有限公司
Streitfeldstrae 19
D- 81673慕尼黑
德国
筿： （ 49 ） 89 45 49 49 0
传真： （ 49 ） 89 45 49 49 49
Zetex的公司
315套房
700退伍军人纪念公路
哈帕克
美国
电话： （ 631 ） 360-2222
传真： （ 631 ） 360-8222
Zetex公司（亚洲）有限公司
3701-04都会广场第一
兴芳路，
葵芳
香港
电话： （ 852 ） 26100 611
传真： （ 852 ） 24250 494
这些是由支撑
代理商和分销商
主要国家的世界各地的
Zetex的PLC 2001年
www.zetex.com
本出版物发行大纲提供信息，仅这（除非同意由本公司书面） ，不得使用，应用或复制的
的任何顺序或合同或任何目的或形式部分被视为与有关产品或服务的表示。本公司保留
的权利，恕不另行通知更改规格，设计，价格或供应任何产品或服务的条件。
暂定发行A - 2001年8月
4
ZXMN3A04DN8
双30V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 30V ;
DS （ ON）
= 0.02
描述
; I
D
= 8.5A
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN3A04DN8TA
ZXMN3A04DN8TC
REEL
7
’‘
13’‘
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
引脚
器件标识
ZXMN
3A04D
顶视图
第2期 - 2002年10月
1
ZXMN3A04DN8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流（ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)(b)(d)
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C)(b)(d)
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)(a)(d)
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ℃（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（一） （五）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C（ B） （D ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
30
20
8.5
6.8
6.5
39
3.6
39
1.25
10
1.81
14.5
2.15
17.2
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）， （四）
结到环境（二） （五）
结到环境（B ） （D ）
笔记
（一）对于双通道器件表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB板覆盖单面盎司镀铜在静止空气条件。
（ b）对于安装在FR4 PCB双通道器件表面在t测
10秒。
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
100
69
58
单位
° C / W
° C / W
° C / W
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02脉冲宽度= 300μS - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅Trnsient
热阻抗曲线。
（ d）对于以一种活性模具的双设备。
第2期 - 2002年10月
2
ZXMN3A04DN8
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导（ 3 ）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
符号
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位条件。
V
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I = 250μA ，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= 10V ，我
D
=12.6A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=10.6A
V
DS
=15V,I
D
=12.6A
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
Q
rr
0.5
100
1.0
0.02
0.03
22.1
1890
349
218
5.2
6.1
38.1
20.2
19.9
36.8
5.8
7.1
0.85
18.4
11
0.95
A
nA
V
S
pF
pF
pF
V
DS
=15V, V
GS
=0V,
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
=15V,V
GS
=10V,
I
D
=6.5A
V
DS
=15V,V
GS
=5V,
I
D
=6.5A
V
DD
= 15V ，我
D
=1A
R
G
=6.0, V
GS
=10V
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=6.8A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=2.3A,
的di / dt = 100A / μs的
第2期 - 2002年10月
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