ZXMN3A02X8
30V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 30V ;
DS （ ON）
=0.025
I
D
=6.7A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理
应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN3A02X8TA
ZXMN3A02X8TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
器件标识
ZXMN
3A02
顶视图
第1期 - 2002年1月
1
ZXMN3A02X8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25°C （B ）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 70 ° C（ B）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
30
20
6.7
5.4
5.3
24
3.2
24
1.1
8.8
1.8
14.4
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
70
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最大
结温。
第1期 - 2002年1月
2
ZXMN3A02X8
特征
*对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
第1期 - 2002年1月
3
ZXMN3A02X8
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
1
0.025
0.035
22
30
1
100
V
A
nA
V
S
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = 250μA ，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= 10V ，我
D
=12A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=10.2A
V
DS
=10V,I
D
=12A
符号
分钟。
TYP 。 MAX 。单位条件。
静态漏源通态阻抗R
DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
3.9
5.5
35.0
7.6
14.5
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1400
209
120
g
fs
pF
pF
pF
V
DS
=25 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
nC
V
DS
=15V,V
GS
=5V,
I
D=5.5A
（请参考测试电路）
V
DS
=15V,V
GS
=10V,
I
D
=5.5A
（请参考测试电路）
V
DD
= 15V ，我
D
=5.5A
R
G
=6.2, V
GS
=10V
（请参考测试电路）
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
26.8
4.7
4.7
nC
nC
nC
V
SD
t
rr
Q
rr
17
8.3
0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=9A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=5.5A,
的di / dt = 100A / μs的
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2002年1月
4
ZXMN3A02X8
30V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 30V ;
DS （ ON）
=0.025
I
D
=6.7A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理
应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN3A02X8TA
ZXMN3A02X8TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
器件标识
ZXMN
3A02
顶视图
第1期 - 2002年1月
1
ZXMN3A02X8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25°C （B ）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 70 ° C（ B）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
30
20
6.7
5.4
5.3
24
3.2
24
1.1
8.8
1.8
14.4
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
70
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最大
结温。
第1期 - 2002年1月
2
ZXMN3A02X8
特征
*对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在
静止空气条件。
第1期 - 2002年1月
3
ZXMN3A02X8
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
1
0.025
0.035
22
30
1
100
V
A
nA
V
S
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = 250μA ，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= 10V ，我
D
=12A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=10.2A
V
DS
=10V,I
D
=12A
符号
分钟。
TYP 。 MAX 。单位条件。
静态漏源通态阻抗R
DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
3.9
5.5
35.0
7.6
14.5
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1400
209
120
g
fs
pF
pF
pF
V
DS
=25 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
nC
V
DS
=15V,V
GS
=5V,
I
D=5.5A
（请参考测试电路）
V
DS
=15V,V
GS
=10V,
I
D
=5.5A
（请参考测试电路）
V
DD
= 15V ，我
D
=5.5A
R
G
=6.2, V
GS
=10V
（请参考测试电路）
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
26.8
4.7
4.7
nC
nC
nC
V
SD
t
rr
Q
rr
17
8.3
0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=9A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=5.5A,
的di / dt = 100A / μs的
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2002年1月
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