【ZXMN2F30FHSOT23封装的20V N沟道增强型MOSFET摘要V（ BR ） DSS20R】,IC型号ZXMN2F30FH,ZXMN2F30FH PDF资料,ZXMN2F30FH经销商,ic,电子元器件-51电子网

ZXMN2F30FH

SOT23封装的20V N沟道增强型MOSFET

摘要

（ BR ） DSS

DS （ ON）

()

0.045 @ V

= 4.5V

0.065 @ V

= 2.5V

(A)

4.9

4.1

描述

从Zetex的新一代沟道MOSFET具有低导通

电阻实现低电压（2.5V ）的栅极驱动。

特点

低导通电阻

2.5V栅极驱动能力

SOT23封装

应用

降压/升压DC- DC转换器

负荷开关和开关电源

在便携式设备充电应用

电机控制

LED照明

订购信息

设备

ZXMN2F30FHTA

带尺寸

（英寸）

胶带宽度

(mm)

QUANTITY

每卷

3000

顶视图

器件标识

KNC

第1期 - 2008年1月

捷特科PLC 2008

www.zetex.com

ZXMN2F30FH

绝对最大额定值

参数

漏源电压

门源电压

连续漏电流@ V

=4.5; T

=25°C

(b)

@ V

=4.5; T

=70°C

(b)

@ V

=4.5; T

=25°C

(a)

漏电流脉冲

(c)

连续源电流（体二极管）

(b)

脉冲源电流（体二极管）

(c)

在T功耗

=25°C

(a)

线性降额因子

在T功耗

=25°C

(b)

线性降额因子

工作和存储温度范围

, T

英镑

符号

DSS

极限

±12

4.9

4.0

4.1

22.6

1.6

22.6

0.96

7.6

1.4

11.2

-55到150

单位

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

结到环境

(a)

结到环境

(b)

交界处领导

(d)

符号

极限

131

单位

° C / W

注意事项：

（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气中

条件。

（ b）对于安装在T≤ 5秒测定的FR4印刷电路板的设备的表面。

（三）重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300μS - 脉冲宽度有限的最高结

温度。

（四）从结点到焊接点的热电阻（在漏极引线的端部）。

第1期 - 2008年1月

捷特科PLC 2008

www.zetex.com

ZXMN2F30FH

热特性

第1期 - 2008年1月

捷特科PLC 2008

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ZXMN2F30FH

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿

电压

零栅压漏

当前

门体漏

门极 - 源

电压

静态漏源

导通状态电阻

(*)

前锋

跨

(*)()

动态

()

输入电容

输出电容

反向传输

电容

开关

()()

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

闸漏极电荷

源极 - 漏极二极管

二极管的正向电压

(*)

0.75

1.2

= 1.25A ，V

=0V

D（上）

D（关闭）

2.9

5.6

19.4

10.2

4.8

1.2

= 10V, V

= 4.5V

= 3.5A

= 10V, V

= 4.5V

= 1A

≈

6.0

国际空间站

OSS

RSS

452

102

= 10V, V

=0V

f=1MHz

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

8.6

0.6

0.9

100

1.5

0.045

0.065

= 250μA ，V

=0V

= 20V, V

=0V

=±12V, V

=0V

= 250μA ，V

= 4.5V ，我

= 2.5A

= 2.5V ，我

= 2.0A

= 10V ，我

= 3A

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

注意事项：

（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤2%.

（）为设计辅助而已，不受生产测试。

（）的开关特性是独立的工作结温。

第1期 - 2008年1月

捷特科PLC 2008

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ZXMN2F30FH

典型特征

=2.5V

=4.5V

第1期 - 2008年1月

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SOT23封装的20V N沟道增强型MOSFET

摘要

（ BR ） DSS

DS （ ON）

()

0.045 @ V

= 4.5V

0.065 @ V

= 2.5V

(A)

4.9

4.1

描述

从Zetex的新一代沟道MOSFET具有低导通

电阻实现低电压（2.5V ）的栅极驱动。

特点

低导通电阻

2.5V栅极驱动能力

SOT23封装

应用

降压/升压DC- DC转换器

负荷开关和开关电源

在便携式设备充电应用

电机控制

LED照明

订购信息

设备

ZXMN2F30FHTA

带尺寸

（英寸）

胶带宽度

(mm)

QUANTITY

每卷

3000

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器件标识

KNC

第1期 - 2008年1月

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ZXMN2F30FH

绝对最大额定值

参数

漏源电压

门源电压

连续漏电流@ V

=4.5; T

=25°C

(b)

@ V

=4.5; T

=70°C

(b)

@ V

=4.5; T

=25°C

(a)

漏电流脉冲

(c)

连续源电流（体二极管）

(b)

脉冲源电流（体二极管）

(c)

在T功耗

=25°C

(a)

线性降额因子

在T功耗

=25°C

(b)

线性降额因子

工作和存储温度范围

, T

英镑

符号

DSS

极限

±12

4.9

4.0

4.1

22.6

1.6

22.6

0.96

7.6

1.4

11.2

-55到150

单位

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

结到环境

(a)

结到环境

(b)

交界处领导

(d)

符号

极限

131

单位

° C / W

注意事项：

（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气中

条件。

（ b）对于安装在T≤ 5秒测定的FR4印刷电路板的设备的表面。

（三）重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300μS - 脉冲宽度有限的最高结

温度。

（四）从结点到焊接点的热电阻（在漏极引线的端部）。

第1期 - 2008年1月

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热特性

第1期 - 2008年1月

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电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿

电压

零栅压漏

当前

门体漏

门极 - 源

电压

静态漏源

导通状态电阻

(*)

前锋

跨

(*)()

动态

()

输入电容

输出电容

反向传输

电容

开关

()()

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

闸漏极电荷

源极 - 漏极二极管

二极管的正向电压

(*)

0.75

1.2

= 1.25A ，V

=0V

D（上）

D（关闭）

2.9

5.6

19.4

10.2

4.8

1.2

= 10V, V

= 4.5V

= 3.5A

= 10V, V

= 4.5V

= 1A

≈

6.0

国际空间站

OSS

RSS

452

102

= 10V, V

=0V

f=1MHz

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

8.6

0.6

0.9

100

1.5

0.045

0.065

= 250μA ，V

=0V

= 20V, V

=0V

=±12V, V

=0V

= 250μA ，V

= 4.5V ，我

= 2.5A

= 2.5V ，我

= 2.0A

= 10V ，我

= 3A

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

注意事项：

（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤2%.

（）为设计辅助而已，不受生产测试。

（）的开关特性是独立的工作结温。

第1期 - 2008年1月

捷特科PLC 2008

www.zetex.com

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典型特征

=2.5V

=4.5V

第1期 - 2008年1月

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产品speci fi cation

ZXMN2F30FH

SOT23封装的20V N沟道增强型MOSFET

摘要

（ BR ） DSS

DS （ ON）

()

0.045 @ V

= 4.5V

0.065 @ V

= 2.5V

(A)

4.9

4.1

描述

从TY新一代沟道MOSFET具有低导通

电阻实现低电压（2.5V ）的栅极驱动。

特点

低导通电阻

2.5V栅极驱动能力

SOT23封装

应用

降压/升压DC- DC转换器

负荷开关和开关电源

在便携式设备充电应用

电机控制

LED照明

订购信息

设备

ZXMN2F30FHTA

带尺寸

（英寸）

胶带宽度

(mm)

QUANTITY

每卷

3000

顶视图

器件标识

KNC

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

1第3

产品speci fi cation

ZXMN2F30FH

绝对最大额定值

参数

漏源电压

门源电压

连续漏电流@ V

=4.5; T

=25°C

(b)

@ V

=4.5; T

=70°C

(b)

@ V

=4.5; T

=25°C

(a)

漏电流脉冲

(c)

连续源电流（体二极管）

(b)

脉冲源电流（体二极管）

(c)

在T功耗

=25°C

(a)

线性降额因子

在T功耗

=25°C

(b)

线性降额因子

工作和存储温度范围

, T

英镑

符号

DSS

极限

±12

4.9

4.0

4.1

22.6

1.6

22.6

0.96

7.6

1.4

11.2

-55到150

单位

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

结到环境

(a)

结到环境

(b)

交界处领导

(d)

符号

极限

131

单位

° C / W

注意事项：

（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气中

条件。

（ b）对于安装在T≤ 5秒测定的FR4印刷电路板的设备的表面。

（三）重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300μS - 脉冲宽度有限的最高结

温度。

（四）从结点到焊接点的热电阻（在漏极引线的端部）。

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2 3

产品speci fi cation

ZXMN2F30FH

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿

电压

零栅压漏

当前

门体漏

门极 - 源

电压

静态漏源

导通状态电阻

(*)

前锋

跨

(*)()

动态

()

输入电容

输出电容

反向传输

电容

开关

()()

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

闸漏极电荷

源极 - 漏极二极管

二极管的正向电压

(*)

0.75

1.2

= 1.25A ，V

=0V

D（上）

D（关闭）

2.9

5.6

19.4

10.2

4.8

1.2

= 10V, V

= 4.5V

= 3.5A

= 10V, V

= 4.5V

= 1A

≈

6.0

国际空间站

OSS

RSS

452

102

= 10V, V

=0V

f=1MHz

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

8.6

0.6

0.9

100

1.5

0.045

0.065

= 250μA ，V

=0V

= 20V, V

=0V

=±12V, V

=0V

= 250μA ，V

= 4.5V ，我

= 2.5A

= 2.5V ，我

= 2.0A

= 10V ，我

= 3A

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

注意事项：

（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤2%.

（）为设计辅助而已，不受生产测试。

（）的开关特性是独立的工作结温。

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