ZXMN2B14FH
SOT23封装的20V N沟道增强型MOSFET
与低栅极驱动能力
摘要
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
( )
0.055 @ V
GS
= 4.5V
20
0.075 @ V
GS
= 2.5V
0.100 @ V
GS
= 1.8V
I
D
(A)
4.3
3.7
3.2
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的具有低导通
电阻实现低栅极驱动。
特点
低导通电阻
开关速度快
低栅极驱动能力
SOT23封装
D
G
S
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
S
D
G
订购信息
设备
ZXMN2B14FHTA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY每卷
顶视图
3,000
器件标识
2B4
第2期 - 2007年3月
捷特科PLC 2007
1
www.zetex.com
ZXMN2B14FH
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
AMB
= 25°C （B ）
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
AMB
= 70 ° C（ B）
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
AMB
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
AMB
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
AMB
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
20
±8
4.3
3.5
3.5
21
2.4
21
1
8
1.5
12
-55到+150
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
单位
V
V
A
热阻
参数
结到环境
结到环境
符号
R
JA
R
JA
极限
125
82
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气中
条件。
（ b）对设备表面安装在t 5秒测量的FR4 PCB 。
（三）重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结
温度。
第2期 - 2007年3月
捷特科PLC 2007
2
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ZXMN2B14FH
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(*)
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
0.4
20
1
100
1.0
0.055
0.075
0.100
正向跨导
(*) ()
动态
()
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
() ()
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(*)
反向恢复时间
()
反向恢复电荷
()
V
SD
t
rr
Q
rr
0.69
9.4
2.8
0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= 1.45A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
= 2.4A,
的di / dt = 100A / S
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
3.7
5.2
30
5.5
11
1.4
2.1
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 10V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 4.0A
V
DD
= 10V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 1A
R
G
≈
6.0
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
872
145
90
pF
pF
pF
V
DS
= 10V, V
GS
=0V
f=1MHz
g
fs
11
S
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
= 20V, V
GS
=0V
V
GS
=±8V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 3.5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 3A
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 2.6A
V
DS
= 10V ，我
D
= 3.5A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ ）的开关特性是独立的工作结温。
（ ）为设计辅助而已，不受生产测试。
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捷特科PLC 2007
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SOT23封装的20V N沟道增强型MOSFET
与低栅极驱动能力
摘要
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
( )
0.055 @ V
GS
= 4.5V
20
0.075 @ V
GS
= 2.5V
0.100 @ V
GS
= 1.8V
I
D
(A)
4.3
3.7
3.2
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的具有低导通
电阻实现低栅极驱动。
特点
低导通电阻
开关速度快
低栅极驱动能力
SOT23封装
D
G
S
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
S
D
G
订购信息
设备
ZXMN2B14FHTA
带尺寸
（英寸）
7
胶带宽度
(mm)
8
QUANTITY每卷
顶视图
3,000
器件标识
2B4
第2期 - 2007年3月
捷特科PLC 2007
1
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ZXMN2B14FH
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
AMB
= 25°C （B ）
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
AMB
= 70 ° C（ B）
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
AMB
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
AMB
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
AMB
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
20
±8
4.3
3.5
3.5
21
2.4
21
1
8
1.5
12
-55到+150
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
单位
V
V
A
热阻
参数
结到环境
结到环境
符号
R
JA
R
JA
极限
125
82
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气中
条件。
（ b）对设备表面安装在t 5秒测量的FR4 PCB 。
（三）重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结
温度。
第2期 - 2007年3月
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ZXMN2B14FH
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(*)
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
0.4
20
1
100
1.0
0.055
0.075
0.100
正向跨导
(*) ()
动态
()
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
() ()
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(*)
反向恢复时间
()
反向恢复电荷
()
V
SD
t
rr
Q
rr
0.69
9.4
2.8
0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= 1.45A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
= 2.4A,
的di / dt = 100A / S
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
3.7
5.2
30
5.5
11
1.4
2.1
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 10V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 4.0A
V
DD
= 10V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 1A
R
G
≈
6.0
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
872
145
90
pF
pF
pF
V
DS
= 10V, V
GS
=0V
f=1MHz
g
fs
11
S
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
= 20V, V
GS
=0V
V
GS
=±8V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 3.5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 3A
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 2.6A
V
DS
= 10V ，我
D
= 3.5A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ ）的开关特性是独立的工作结温。
（ ）为设计辅助而已，不受生产测试。
第2期 - 2007年3月
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产品speci fi cation
ZXMN2B14FH
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
AMB
= 25°C （B ）
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
AMB
= 70 ° C（ B）
@ V
GS
= 4.5V ;牛逼
AMB
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
AMB
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
AMB
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
20
±8
4.3
3.5
3.5
21
2.4
21
1
8
1.5
12
-55到+150
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
单位
V
V
A
热阻
参数
结到环境
结到环境
符号
R
JA
R
JA
极限
125
82
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气中
条件。
（ b）对设备表面安装在t 5秒测量的FR4 PCB 。
（三）重复评价 - 25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结
温度。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
2 3
产品speci fi cation
ZXMN2B14FH
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(*)
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
0.4
20
1
100
1.0
0.055
0.075
0.100
正向跨导
(*) ()
动态
()
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
() ()
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(*)
反向恢复时间
()
反向恢复电荷
()
V
SD
t
rr
Q
rr
0.69
9.4
2.8
0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= 1.45A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
= 2.4A,
的di / dt = 100A / S
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
3.7
5.2
30
5.5
11
1.4
2.1
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 10V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 4.0A
V
DD
= 10V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 1A
R
G
≈
6.0
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
872
145
90
pF
pF
pF
V
DS
= 10V, V
GS
=0V
f=1MHz
g
fs
11
S
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
= 20V, V
GS
=0V
V
GS
=±8V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 3.5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 3A
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 2.6A
V
DS
= 10V ，我
D
= 3.5A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ ）的开关特性是独立的工作结温。
（ ）为设计辅助而已，不受生产测试。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
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