ZXMN2A03E6
20V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 20V ;
DS （ ON）
= 0.055
I
D
= 4.6A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理
应用程序。
SOT23-6
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23-6封装
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN2A03E6TA
ZXMN2A03E6TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
引脚
器件标识
2A3
顶视图
第4期 - 2005年9月
1
ZXMN2A03E6
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V GS = 10V ; T A = 25°C （B ）
V GS = 10V ; T A = 70 ° C（ B）
V GS = 10V ; T A = 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T A功率耗散= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T A = 25 ° C功耗（二）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V DSS
V GS
ID
极限
20
12
4.6
3.7
3.7
16
2.7
16
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
单位
V
V
A
我DM
IS
我SM
PD
PD
T J ： T英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
70
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线。请参阅瞬态热阻抗曲线。
第4期 - 2005年9月
2
ZXMN2A03E6
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V（ BR ） DSS
I DSS
我GSS
V GS （ TH）
0.7
0.055
0.100
13
S
20
1
100
V
A
nA
V
I D = 250μA ，V GS = 0V
V DS = 20V ，V GS = 0V
V GS = 12V ，V DS = 0V
I = 250μA ，V DS = V GS
D
V GS = 4.5V ， I D = 7.2A
V GS = 2.5V ， I D = 4.6A
V DS = 10V ， I D = 7.2A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
条件。
静态漏源导通电阻R DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V SD
吨RR
Q RR
0.85
12
4.9
吨D（上）
tr
吨D（关闭）
tf
Qg
Q GS
Q GD
4.7
5.7
18.5
10.5
8.2
2.3
2.0
国际空间站
OSS
RSS
837
168
90
克FS
pF
pF
pF
V DS = 10 V ，V GS = 0V ，
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS = 10V ，V GS = 4.5V ，
I
D
=7.2A
V DD = 10V ， I D = 1A
R G = 6.0Ω ，V GS = 4.5V
0.95
V
ns
nC
T J = 25 ° C， I S = 4.1A ，
V GS = 0V
T J = 25°C ， I F = 1.9A ，
的di / dt = 100A / μs的
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第4期 - 2005年9月
4
QQ：2881677436 复制
