ZXMN2A03E6
20V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 20V ;
DS （ ON）
= 0.055
I
D
= 4.6A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理
应用程序。
SOT23-6
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23-6封装
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN2A03E6TA
ZXMN2A03E6TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
引脚
器件标识
2A3
顶视图
第4期 - 2005年9月
1
ZXMN2A03E6
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V GS = 10V ; T A = 25°C （B ）
V GS = 10V ; T A = 70 ° C（ B）
V GS = 10V ; T A = 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T A功率耗散= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T A = 25 ° C功耗（二）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V DSS
V GS
ID
极限
20
12
4.6
3.7
3.7
16
2.7
16
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
单位
V
V
A
我DM
IS
我SM
PD
PD
T J ： T英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
70
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线。请参阅瞬态热阻抗曲线。
第4期 - 2005年9月
2
ZXMN2A03E6
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V（ BR ） DSS
I DSS
我GSS
V GS （ TH）
0.7
0.055
0.100
13
S
20
1
100
V
A
nA
V
I D = 250μA ，V GS = 0V
V DS = 20V ，V GS = 0V
V GS = 12V ，V DS = 0V
I = 250μA ，V DS = V GS
D
V GS = 4.5V ， I D = 7.2A
V GS = 2.5V ， I D = 4.6A
V DS = 10V ， I D = 7.2A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
条件。
静态漏源导通电阻R DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V SD
吨RR
Q RR
0.85
12
4.9
吨D（上）
tr
吨D（关闭）
tf
Qg
Q GS
Q GD
4.7
5.7
18.5
10.5
8.2
2.3
2.0
国际空间站
OSS
RSS
837
168
90
克FS
pF
pF
pF
V DS = 10 V ，V GS = 0V ，
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS = 10V ，V GS = 4.5V ，
I
D
=7.2A
V DD = 10V ， I D = 1A
R G = 6.0Ω ，V GS = 4.5V
0.95
V
ns
nC
T J = 25 ° C， I S = 4.1A ，
V GS = 0V
T J = 25°C ， I F = 1.9A ，
的di / dt = 100A / μs的
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第4期 - 2005年9月
4
ZXMN2A03E6
20V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 20V ;
DS （ ON）
= 0.055
I
D
= 4.6A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理
应用程序。
SOT23-6
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23-6封装
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN2A03E6TA
ZXMN2A03E6TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
引脚
器件标识
2A3
顶视图
第4期 - 2005年9月
1
ZXMN2A03E6
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V GS = 10V ; T A = 25°C （B ）
V GS = 10V ; T A = 70 ° C（ B）
V GS = 10V ; T A = 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T A功率耗散= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T A = 25 ° C功耗（二）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V DSS
V GS
ID
极限
20
12
4.6
3.7
3.7
16
2.7
16
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
单位
V
V
A
我DM
IS
我SM
PD
PD
T J ： T英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
70
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线。请参阅瞬态热阻抗曲线。
第4期 - 2005年9月
2
ZXMN2A03E6
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V（ BR ） DSS
I DSS
我GSS
V GS （ TH）
0.7
0.055
0.100
13
S
20
1
100
V
A
nA
V
I D = 250μA ，V GS = 0V
V DS = 20V ，V GS = 0V
V GS = 12V ，V DS = 0V
I = 250μA ，V DS = V GS
D
V GS = 4.5V ， I D = 7.2A
V GS = 2.5V ， I D = 4.6A
V DS = 10V ， I D = 7.2A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
条件。
静态漏源导通电阻R DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V SD
吨RR
Q RR
0.85
12
4.9
吨D（上）
tr
吨D（关闭）
tf
Qg
Q GS
Q GD
4.7
5.7
18.5
10.5
8.2
2.3
2.0
国际空间站
OSS
RSS
837
168
90
克FS
pF
pF
pF
V DS = 10 V ，V GS = 0V ，
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS = 10V ，V GS = 4.5V ，
I
D
=7.2A
V DD = 10V ， I D = 1A
R G = 6.0Ω ，V GS = 4.5V
0.95
V
ns
nC
T J = 25 ° C， I S = 4.1A ，
V GS = 0V
T J = 25°C ， I F = 1.9A ，
的di / dt = 100A / μs的
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第4期 - 2005年9月
4
ZXMN2A03E6
20V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 20V ;
DS （ ON）
=0.055
D
=4.5A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低效益的导通电阻与快
开关速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，
电源管理应用。
特点
SOT23-6
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23-6封装
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN2A03E6TA
ZXMN2A03E6TC
带尺寸
7”
13”
胶带宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
顶视图
器件标识
2A3
临时版本C - 2001年11月
1
ZXMN2A03E6
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C(b)
V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=70°C(b)
V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C(a)
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
20
12
4.5
3.6
3.6
16
2.7
16
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
73
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最大
结温。
临时版本C - 2001年11月
2
ZXMN2A03E6
包装尺寸
b
e
L 2
PAD布局细节
E
E1
e1
D
a
水平基准
C
A
A2
A1
DIM毫米为
民
A
A1
A2
b
C
D
E
E1
L
e
e1
L
0.90
0.00
0.90
0.35
0.09
2.80
2.60
1.50
0.10
0.95 REF
1.90 REF
0°
英寸
民
0.35
0
0.035
0.014
0.0035
0.110
0.102
0.059
0.004
0.037 REF
0.074 REF
最大
0.057
0.006
0.051
0.019
0.008
0.118
0.118
0.069
0.002
最大
1.45
0.15
1.30
0.50
0.20
3.00
3.00
1.75
0.60
10°
0°
10°
Zetex的PLC 2001年
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传真： （ 49 ） 89 45 49 49 49
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传真： （ 631 ） 360 8222
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临时版本C - 2001年11月
4
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