ZXMN2A02X8
20V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 20V ;
DS （ ON）
= 0.02
描述
I
D
= 7.8A
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理
应用程序。
MSOP8
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN2A02X8TA
ZXMN2A02X8TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
引脚
器件标识
ZXMN
2A02
顶视图
第2期 - 2005年1月
1
ZXMN2A02X8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25°C （B ）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 70 ° C（ B）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
20
20
7.8
6.3
6.2
39
3.1
39
1.1
8.8
1.67
13.4
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
74.5
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线。请参阅瞬态热阻抗曲线。
第2期 - 2005年1月
2
ZXMN2A02X8
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
0.7
0.02
0.04
27
20
1
100
V
A
nA
V
S
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V, V
DS
=0V
I = 250μA ，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= 4.5V ，我
D
=11A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=8.4A
V
DS
=10V,I
D
=11A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
条件。
静态漏源通态阻抗R
DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
0.85
16.3
7.8
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
7.9
10
33.3
13.6
18.6
5.2
4.9
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1900
356
218
g
fs
pF
pF
pF
V
DS
=10 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
=10V,V
GS
=4.5V,
I
D
=11A
V
DD
= 10V ，我
D
=1A
R
G
=6.0, V
GS
=4.5V
0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=11.5A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=2.1A,
的di / dt = 100A / μs的
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第2期 - 2005年1月
4
ZXMN2A02X8
20V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 20V ;
DS （ ON）
=0.02
D
=7.6A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
MSOP8
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN2A02X8TA
ZXMN2A02X8TC
带尺寸
7”
13”
胶带宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
顶视图
器件标识
ZXMN
2A02
暂定发行A - 2001年9月
1
ZXMN2A02X8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25°C （B ）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 70 ° C（ B）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
20
12
7.6
6.1
6
27
3.1
27
1.1
8.8
1.8
14.4
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
70
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，
在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最大
结温。
暂定发行A - 2001年9月
2
ZXMN2A02X8
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
0.8
19.3
9.1
0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=11A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=5.5A,
的di / dt = 100A / μs的
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
6.9
12.2
32.5
11
18.6
4.1
5.1
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
=10V,V
GS
=4.5V,
I
D
=5.5A
V
DD
= 10V ，我
D
=5.5A
R
G
=6.0, V
GS
=5V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
2050
300
183
pF
pF
pF
V
DS
=15 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
27
0.7
0.02
0.04
20
1
100
V
A
nA
V
S
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V, V
DS
=0V
I = 250μA ，V
DS
= V
GS
D
符号最小值。
典型值。
马克斯。
单位条件。
V
GS
= 4.5V ，我
D
=11A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=8.4A
V
DS
=10V,I
D
=11A
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
暂定发行A - 2001年9月
3
ZXMN2A02X8
包装尺寸
暗淡
8 7
6 5
单位为毫米
民
最大
1.10
0.05
0.25
0.13
2.90
0.65
2.90
4.90
0.40
0°
0.15
0.40
0.23
3.10
BSC
3.10
BSC
0.70
6°
英寸
民
最大
0.043
0.002
0.010
0.005
0.114
0.0256
0.114
0.193
0.016
0°
0.006
0.016
0.009
0.122
BSC
0.122
BSC
0.028
6°
H
A
A1
B
θ°
A
PAD布局细节
Zetex的PLC 2001年
Zetex的PLC
田新路
Chadderton
奥尔德姆， OL9 8NP
英国
电话（ 44 ） 161 622 4422
传真： （ 44 ） 161 622 4420
捷特科有限公司
Streitfeldstrae 19
D- 81673慕尼黑
德国
筿： （ 49 ） 89 45 49 49 0
传真： （ 49 ） 89 45 49 49 49
Zetex的公司
315套房
700退伍军人纪念公路
哈帕克NY11788
美国
电话： （ 631 ） 360 2222
传真： （ 631 ） 360 8222
Zetex公司（亚洲）有限公司
3701-04都会广场第一
兴芳路
葵芳，香港
中国
电话： （ 852 ） 26100 611
传真： （ 852 ） 24250 494
由代理商和分销商的主要国家世界范围内的这些办事处的支持。
本出版物发行大纲提供信息，仅这（除非同意由本公司书面） ，不得使用，或应用
再现的任何顺序或合同或任何目的或形式部分被视为与该产品或服务的表示
关注。本公司保留不另行通知，以更改规格，设计，价格或供应任何产品的条件或右
服务。
有关最新的产品信息，请登录
www.zetex.com
暂定发行A - 2001年9月
4
G
E
1
2
3 4
eX6
C
D
B
C
L
e
E
H
L
°
A1
ZXMN2A02X8
20V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 20V ;
DS （ ON）
= 0.02
描述
I
D
= 7.8A
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理
应用程序。
MSOP8
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN2A02X8TA
ZXMN2A02X8TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
引脚
器件标识
ZXMN
2A02
顶视图
第2期 - 2005年1月
1
ZXMN2A02X8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25°C （B ）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 70 ° C（ B）
V
GS
= 10V ;牛逼
A
= 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T功耗
A
= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T功耗
A
= 25°C （B ）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
20
20
7.8
6.3
6.2
39
3.1
39
1.1
8.8
1.67
13.4
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
74.5
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线。请参阅瞬态热阻抗曲线。
第2期 - 2005年1月
2
ZXMN2A02X8
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
0.7
0.02
0.04
27
20
1
100
V
A
nA
V
S
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V, V
DS
=0V
I = 250μA ，V
DS
= V
GS
D
V
GS
= 4.5V ，我
D
=11A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=8.4A
V
DS
=10V,I
D
=11A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
条件。
静态漏源通态阻抗R
DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V
SD
t
rr
Q
rr
0.85
16.3
7.8
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
7.9
10
33.3
13.6
18.6
5.2
4.9
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
1900
356
218
g
fs
pF
pF
pF
V
DS
=10 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
=10V,V
GS
=4.5V,
I
D
=11A
V
DD
= 10V ，我
D
=1A
R
G
=6.0, V
GS
=4.5V
0.95
V
ns
nC
T
J
= 25 ° C，I
S
=11.5A,
V
GS
=0V
T
J
= 25 ° C，I
F
=2.1A,
的di / dt = 100A / μs的
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第2期 - 2005年1月
4
QQ：2881677436 复制
