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ZXMN10A11G

100V N沟道增强型MOSFET

摘要

（ BR ） DSS

= 100V ;

DS （ ON）

= 0.35

描述

= 2.4A

这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构

它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这

使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。

特点

低导通电阻

开关速度快

低门槛

低栅极驱动器

SOT223封装

SOT223

应用

直流 - 直流转换器

电源管理功能

继电器和螺线管驱动

电机控制

订购信息

设备

ZXMN10A11GTA

ZXMN10A11GTC

REEL

SIZE

7”

13”

TAPE

宽度

12mm

QUANTITY

每卷

1000个单位

4000台

引脚

器件标识

ZXMN

10A11

顶视图

ISSUE 5 - 2004年12月

半导体

ZXMN10A11G

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流V

= 10V ;牛逼

=25°C

(b)

= 10V ;牛逼

=70°C

(b)

= 10V ;牛逼

=25°C

(a)

漏电流脉冲

(c)

连续源电流（体二极管）

(b)

脉冲源电流（体二极管）

(c)

在T功耗

=25°C

(a)

线性降额因子

在T功耗

=25°C

(b)

线性降额因子

工作和存储温度范围

符号

DSS

极限

100

2.4

1.9

1.7

7.9

4.6

7.9

3.9

-55到+150

单位

英镑

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

结到环境

(a)

结到环境

(b)

笔记

（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件

（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。

（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅

瞬态热阻抗曲线。

符号

θJA

价值

62.5

单位

° C / W

ISSUE 5 - 2004年12月

半导体

ZXMN10A11G

特征

ISSUE 5 - 2004年12月

半导体

ZXMN10A11G

电气特性

（在TA = 25 ° C除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

门源阈值电压

静态漏源导通电阻

正向跨导

(3)

动态

(3)

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关

(2) (3)

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷

D（上）

D（关闭）

2.7

1.7

7.4

3.5

=50V, V

=5V,

=2.5A

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

源极 - 漏极二极管

二极管的正向电压

(1)

反向恢复时间

(3)

反向恢复电荷

(3)

0.85

0.95

= 25 ° C，I

=1.85A,

=0V

= 25 ° C，I

=1.0A,

的di / dt = 100A / μs的

5.4

1.4

1.5

=50V,V

=10V,

=2.5A

= 50V ，我

=1A

6.0

, V

=10V

国际空间站

OSS

RSS

274

=50 V, V

=0V,

f=1MHz

(1)

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

条件

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

100

2.0

4.0

0.35

0.45

= 250 A，V

=0V

=100V, V

=0V

=±20V, V

=0V

I = 250 A，V

= V

= 10V ，我

=2.6A

= 6V ，我

=1.3A

=15V,I

=2.6A

注意事项：

（1）脉冲条件下进行测定。宽度

≤

300μS 。占空比

≤

2% .

（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。

（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。

ISSUE 5 - 2004年12月

半导体

ZXMN10A11G

典型特征

ISSUE 5 - 2004年12月

半导体

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