对产品线
Diodes公司
ZXMN10A11G
超前信息
最大额定值
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
（注2 ）
T
A
= 70℃ （注2）
（注1 ）
（注3）
（注2 ）
（注3 ）
I
D
I
DM
I
S
I
SM
价值
100
±20
2.4
1.9
1.7
7.9
4.6
7.9
单位
V
V
A
A
A
A
特征
V
GS
= 10V
漏电流脉冲
V
GS
= 10V
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功耗
线性降额因子
热阻，结到环境
热阻，结领导
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
（注1 ）
P
D
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注4 ）
R
θ
JA
R
θ
JL
T
J
, T
英镑
价值
2.0
16
3.9
31
62.5
32.0
9.8
-55到150
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
1.对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件;该装置是
在稳态条件下测量的操作时。
2.同注（1 ），除了该装置测量在t
≤
10秒。
3.同注（1 ），除了该装置是脉冲为D = 0.02和脉冲宽度300μS 。该脉冲电流由最大结温限制。
从结点到焊点点4.热电阻（在漏极引线的一端）
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2第8
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2010年1月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
ZXMN10A11G
超前信息
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻（注5 ）
正向跨导（注5 & 6 ）
二极管的正向电压（注5 ）
反向恢复时间（注6 ）
反向恢复电荷（注6 ）
动态特性（注6 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷（注7 ）
总栅极电荷（注7 ）
门源费（注7 ）
栅 - 漏极电荷（注7 ）
导通延迟时间（注7 ）
导通上升时间（注7 ）
关断延迟时间（注7 ）
关断下降时间（注7 ）
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
100
2.0
典型值
4
0.85
26
30
274
21
11
3.5
5.4
1.4
1.5
2.7
1.7
7.4
3.5
最大
1
±100
4.0
0.35
0.45
0.95
单位
V
μA
nA
V
S
V
ns
nC
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
I
D
= 250μA ，V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.6A
V
GS
= 6V ，我
D
= 1.3A
V
DS
= 15V ，我
D
= 2.6A
I
S
= 1.85A ，V
GS
= 0V
I
F
= 1.0A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
GS
= 6.0V
V
GS
= 10V
V
DS
= 50V
I
D
= 2.5A
V
DD
= 50V, V
GS
= 10V
I
D
= 1A ，R
G
6.0Ω
脉冲条件下5.测定。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%
6.辅助设计只，不受生产测试。
7.开关特性是独立的工作结点温度。
ZXMN10A11G
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4 8
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2010年1月
Diodes公司
ZXMN10A11G
100V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 100V ;
DS （ ON）
= 0.35
描述
I
D
= 2.4A
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT223封装
SOT223
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
继电器和螺线管驱动
电机控制
订购信息
设备
ZXMN10A11GTA
ZXMN10A11GTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
引脚
器件标识
ZXMN
10A11
顶视图
ISSUE 5 - 2004年12月
1
半导体
ZXMN10A11G
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
(b)
V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C
(b)
V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
(b)
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
A
=25°C
(a)
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
(b)
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
100
20
2.4
1.9
1.7
7.9
4.6
7.9
2
16
3.9
31
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线。
符号
R
θJA
R
θJA
价值
62.5
32
单位
° C / W
° C / W
ISSUE 5 - 2004年12月
半导体
2
ZXMN10A11G
100V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 100V ;
DS （ ON）
= 0.6
描述
I
D
= 1.8A
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT223封装
SOT223
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
继电器和螺线管驱动
电机控制
订购信息
设备
ZXMN10A11GFTA
ZXMN10A11GFTC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
器件标识
ZXMN
10A11
顶视图
第1期 - 2002年3月
1
ZXMN10A11G
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流V GS = 10V ; T A = 25°C （B ）
V GS = 10V ; T A = 70 ° C（ B）
V GS = 10V ; T A = 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T A功率耗散= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T A = 25 ° C功耗（二）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V DSS
V GS
ID
极限
100
20
1.8
1.4
1.3
5.8
4.6
5.8
2
16
3.9
31
-55到+150
单位
V
V
A
我DM
IS
我SM
PD
PD
T J ： T英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FRA PCB ， D = 0.05脉冲宽度= 10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线。
符号
R
θJA
R
θJA
价值
62.5
32
单位
° C / W
° C / W
第1期 - 2002年3月
2
ZXMN10A11G
电气特性
（在TA = 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
电阻（1）
正向跨导（ 3 ）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V SD
吨RR
Q RR
0.85
26
30
0.95
V
ns
nC
T J = 25 ° C， I S = 1.85A ，
V GS = 0V
T J = 25°C ， I F = 1.0A ，
的di / dt = 100A / μs的
吨D（上）
tr
吨D（关闭）
tf
Qg
Qg
Q GS
Q GD
2.7
1.7
7.4
3.5
3
5.4
1.4
1.5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V DS = 50V ，V GS = 10V ，
I
D
=2.5A
V DS = 50V ，V GS = 5V ，
I D = 2.5A
V DD = 50V ， I D = 1A
R G = 6.0 ，V GS = 10V
国际空间站
OSS
RSS
274
21
11
pF
pF
pF
V DS = 50 V ，V GS = 0V ，
f=1MHz
V（ BR ） DSS
I DSS
我GSS
V GS （ TH）
R DS （ ON）
克FS
3.95
2.0
100
1
100
4.0
0.60
0.70
S
V
A
nA
V
I D = 250 A，V GS = 0V
V DS = 100V ，V GS = 0V
V GS = ± 20V ，V DS = 0V
I = 250 A，V DS = V GS
D
V GS = 10V ， I D = 2.6A
V GS = 6V ， I D = 1.3A
V DS = 15V ， I D = 2.6A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件。
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2002年3月
4
QQ：2881677436 复制
