ZXMN10A08E6
100V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 100V ;
DS （ ON）
= 0.4
I
D
= 1.5A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理
应用程序。
SOT23-6
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23-6封装
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN10A08E6TA
ZXMN10A08E6TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
器件标识
10A8
顶视图
第1期 - 2002年3月
1
ZXMN10A08E6
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V GS = 10V ; T A = 25°C （B ）
V GS = 10V ; T A = 70 ° C（ B）
V GS = 10V ; T A = 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T A功率耗散= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T A = 25 ° C功耗（二）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V DSS
V GS
ID
极限
100
20
1.5
1.2
1.21
5.3
2.5
5.3
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
单位
V
V
A
我DM
IS
我SM
PD
PD
T J ： T英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
73
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线图
第1期 - 2002年3月
2
ZXMN10A08E6
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V（ BR ） DSS
I DSS
我GSS
V GS （ TH）
2.0
0.40
0.60
5.0
S
100
0.5
100
V
A
nA
V
I D = 250 A，V GS = 0V
V DS = 100V ，V GS = 0V
V GS = 20V ，V DS = 0V
I = 250 A，V DS = V GS
D
V GS = 10V ， I D = 3.2A
V GS = 6V ， I D = 2.6A
V DS = 15V ， I D = 3.2A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件。
静态漏源导通电阻R DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V SD
吨RR
Q RR
0.87
27
32
吨D（上）
tr
吨D（关闭）
tf
Qg
Qg
Q GS
Q GD
3.4
2.2
8
3.2
4.2
7.7
1.8
2.1
国际空间站
OSS
RSS
405
28.2
14.2
克FS
pF
pF
pF
V DS = 50 V ，V GS = 0V ，
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V DS = 50V ，V GS = 10V ，
I
D
=1.2A
V DS = 50V ，V GS = 5V ，
I
D
=1.2A
V DD = 30V ， I D = 1.2A
R G = 6.0 ，V GS = 10V
0.95
V
ns
nC
T J = 25 ° C， I S = 3.2A ，
V GS = 0V
T J = 25°C ， I F = 1.2A ，
的di / dt = 100A / S
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2002年3月
4
ZXMN10A08E6
100V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 100V ;
DS （ ON）
= 0.25
描述
I
D
= 1.9A
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理
应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT23-6封装
SOT23-6
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN10A08E6TA
ZXMN10A08E6TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000台
10000台
引脚
器件标识
10A8
顶视图
ISSUE 5 - 2005年1月
1
半导体
ZXMN10A08E6
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V GS = 10V ; T A = 25°C （B ）
V GS = 10V ; T A = 70 ° C（ B）
V GS = 10V ; T A = 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T A功率耗散= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T A = 25 ° C功耗（二）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V DSS
V GS
ID
极限
100
20
1.9
1.5
1.5
8.6
2.5
8.6
1.1
8.8
1.7
13.6
-55到+150
单位
V
V
A
我DM
IS
我SM
PD
PD
T J ： T英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
113
73
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 5秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线图
ISSUE 5 - 2005年1月
半导体
2
ZXMN10A08E6
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V（ BR ） DSS
I DSS
我GSS
V GS （ TH）
2.0
0.25
0.30
5.0
S
100
0.5
100
V
A
nA
V
I D = 250 A，V GS = 0V
V DS = 100V ，V GS = 0V
V GS = 20V ，V DS = 0V
I = 250 A，V DS = V GS
D
V GS = 10V ， I D = 3.2A
V GS = 6V ， I D = 2.6A
V DS = 15V ， I D = 3.2A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件。
静态漏源导通电阻R DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V SD
吨RR
Q RR
0.87
27
32
吨D（上）
tr
吨D（关闭）
tf
Qg
Qg
Q GS
Q GD
3.4
2.2
8
3.2
4.2
7.7
1.8
2.1
国际空间站
OSS
RSS
405
28.2
14.2
克FS
pF
pF
pF
V DS = 50 V ，V GS = 0V ，
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V DS = 50V ，V GS = 10V ，
I
D
=1.2A
V DS = 50V ，V GS = 5V ，
I
D
=1.2A
V DD = 30V ， I D = 1.2A
R G
6.0
，V GS = 10V
0.95
V
ns
nC
T J = 25 ° C， I S = 3.2A ，
V GS = 0V
T J = 25°C ， I F = 1.2A ，
的di / dt = 100A / S
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度
=
300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
ISSUE 5 - 2005年1月
半导体
4
对产品线
Diodes公司
ZXMN10A08E6
最大额定值
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
价值
100
±20
1.9
1.5
1.5
8.6
2.5
8.6
单位
V
V
A
A
A
A
特征
（注2 ）
V
GS
= 10V牛逼
A
= 70℃ （注2）
（注1 ）
漏电流脉冲（注3 ）
连续源电流（体二极管） （注2 ）
脉冲源电流（体二极管） （注3 ）
热特性
特征
功耗
线性降额因子
功耗
线性降额因子
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
（注1 ）
P
D
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
1.1
8.8
1.7
13.6
113
73
-55到150
单位
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1.对于设备的表面上安装有高覆盖率的单面盎司镀铜25毫米x 25mm的FR4 PCB ，在静止空气条件。
2.对于安装在FR4 PCB设备表面测量在t
≤
5秒。
3.重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲电流300μS - 通过限制最高结温的脉冲宽度。是指瞬时
热阻抗曲线图
ZXMN10A08E6
文件编号DS31909启示录7 - 2
2第8
www.diodes.com
2009年10月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
ZXMN10A08E6
电气特性
特征
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征
栅极阈值电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
100
2
典型值
5.0
0.87
27
32
405
28.2
14.2
4.2
7.7
1.8
2.1
3.4
2.2
8
3.2
最大
0.5
±100
4
0.25
0.30
0.95
单位
V
μA
nA
V
S
V
ns
nC
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
DD
= 30V, V
GS
= 10V
I
D
= 1.2A ，R
G
6.0Ω
V
DS
= 50V, V
GS
= 10V
I
D
= 1.2A
V
DS
= 50V, V
GS
= 5V
I
D
= 1.2A
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
I
D
= 250μA ，V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.2A
V
GS
= 6V ，我
D
= 2.6A
V
DS
= 15V ，我
D
= 3.2A
I
S
= 3.2A ，V
GS
= 0V
I
F
= 1.2A ，的di / dt = 100A / μs的
静态漏源导通电阻（注4 ）
正向跨导（注4 & 6 ）
二极管的正向电压（注4 ）
反向恢复时间（注6 ）
反向恢复电荷（注6 ）
动态特性（
注6
)
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间（注5 ）
导通上升时间（注5 ）
关断延迟时间（注5 ）
关断下降时间（注5 ）
注意事项：
脉冲条件下测得的4 。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%
5.开关特性是独立的工作结点温度。
6.辅助设计只，不受生产测试。
ZXMN10A08E6
文件编号DS31909启示录7 - 2
4 8
www.diodes.com
2009年10月
Diodes公司
QQ：2881677436 复制
