ZXMN10A07Z
100V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 100V ，R
DS （ ON）
=0.7 ; I
D
=1.4A
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT89封装
SOT89
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN10A07ZTA
REEL
SIZE
7"
TAPE
宽度
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
引脚
器件标识
7N10
（ TOP VIEW ）
第6期 - 2004年5月
1
半导体
ZXMN10A07Z
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
(a)
(c)
(b)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
100
±20
1.4
单位
V
V
A
1.1
1.0
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
4.2
2.1
4.2
1.5
12
2.6
21
-55到+150
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
在T功耗
A
=25°C
(b)
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
价值
83.3
47.4
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
请参阅瞬态热阻抗曲线。
第6期 - 2004年5月
半导体
2
ZXMN10A07Z
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
正向跨导
(1) (3)
动态
(3)
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
100
1
100
2.0
0.7
0.9
1.6
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
= 100V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.5A
V
GS
= 6V ，我
D
= 1A
S
V
DS
= 15V ，我
D
= 1A
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
138
12
6
pF
pF
pF
V
DS
= 50V, V
GS
=0V
f=1MHz
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
1.8
1.5
4.1
2.1
2.9
0.7
1
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 50V, V
GS
= 10V
I
D
= 1A
T
j
= 25 ° C，I
S
= 1.5A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
= 1A,
的di / dt = 100A / S
V
DD
= 50V ，我
D
= 1A
R
G
6.0
, V
GS
= 10V
0.85
27
12
0.95
V
ns
nC
Q
rr
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第6期 - 2004年5月
半导体
4
ZXMN10A07Z
100V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 100V ，R
DS （ ON）
=0.7 ; I
D
=1.4A
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压电源管理应用。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT89封装
SOT89
应用
DC- DC转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMN10A07ZTA
REEL
SIZE
7"
TAPE
宽度
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
引脚
器件标识
7N10
（ TOP VIEW ）
第6期 - 2004年5月
1
半导体
ZXMN10A07Z
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C
(b)
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
(a)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
线性降额因子
工作和存储温度范围
T
j
, T
英镑
(a)
(c)
(b)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
100
±20
1.4
单位
V
V
A
1.1
1.0
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
4.2
2.1
4.2
1.5
12
2.6
21
-55到+150
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
在T功耗
A
=25°C
(b)
热阻
参数
结到环境
(a)
结到环境
(b)
符号
R
JA
R
JA
价值
83.3
47.4
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
请参阅瞬态热阻抗曲线。
第6期 - 2004年5月
半导体
2
ZXMN10A07Z
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
正向跨导
(1) (3)
动态
(3)
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
100
1
100
2.0
0.7
0.9
1.6
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
= 100V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.5A
V
GS
= 6V ，我
D
= 1A
S
V
DS
= 15V ，我
D
= 1A
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
138
12
6
pF
pF
pF
V
DS
= 50V, V
GS
=0V
f=1MHz
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
1.8
1.5
4.1
2.1
2.9
0.7
1
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 50V, V
GS
= 10V
I
D
= 1A
T
j
= 25 ° C，I
S
= 1.5A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
= 1A,
的di / dt = 100A / S
V
DD
= 50V ，我
D
= 1A
R
G
6.0
, V
GS
= 10V
0.85
27
12
0.95
V
ns
nC
Q
rr
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第6期 - 2004年5月
半导体
4
ZXMN10A07Z
100V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= 100V ;
DS （ ON）
= 1
I
D
= 1.15A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的结构
它结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这
使它们非常适用于高效率，低电压，电源管理
应用程序。
SOT89
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
SOT89封装
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
继电器和螺线管驱动
电机控制
订购信息
设备
ZXMN10A07ZTA
REEL
SIZE
7”
TAPE
宽度
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
器件标识
7N10
顶视图
第1期 - 2002年3月
1
ZXMN10A07Z
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
门源电压
连续漏电流V GS = 10V ; T A = 25°C （B ）
V GS = 10V ; T A = 70 ° C（ B）
V GS = 10V ; T A = 25 ° C（一）
漏电流脉冲（三）
连续源电流（体二极管） （二）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在T A功率耗散= 25 ° C（一）
线性降额因子
在T A = 25 ° C功耗（二）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V DSS
V GS
ID
极限
100
20
1.15
0.92
0.87
3.9
2.1
3.9
1.5
12
2.6
21
-55到+150
单位
V
V
A
我DM
IS
我SM
PD
PD
T J ： T英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境（一）
结到环境（二）
符号
R
θJA
R
θJA
价值
83.3
47.4
单位
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅
瞬态热阻抗曲线图
第1期 - 2002年3月
2
ZXMN10A07Z
电气特性
（在T
A
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
V（ BR ） DSS
I DSS
我GSS
V GS （ TH）
2.0
1.0
1.1
1.6
S
100
1.0
100
V
A
nA
V
I D = 250 A，V GS = 0V
V DS = 100V ，V GS = 0V
V GS = 20V ，V DS = 0V
I = 250 A，V DS = V GS
D
V GS = 10V ， I D = 1.5A
V GS = 6V ， I D = 1A
V DS = 15V ， I D = 1A
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件。
静态漏源导通电阻R DS （ ON）
(1)
正向跨导（1）（ 3）
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
SWITCHING(2)
(3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压（ 1 ）
反向恢复时间（ 3 ）
反向恢复电荷（ 3 ）
V SD
吨RR
Q RR
0.84
27
12
吨D（上）
tr
吨D（关闭）
tf
Qg
Q GS
Q GD
1.8
1.5
4.1
2.1
2.9
0.7
1.0
国际空间站
OSS
RSS
138
12
6
克FS
pF
pF
pF
V DS = 50 V ，V GS = 0V ，
f=1MHz
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS = 50V ，V GS = 10V ，
I
D
=1.0A
V DD = 50V ， I D = 1.0A
R G = 6.0 ，V GS = 10V
0.95
V
ns
nC
T J = 25 ° C， I S = 1.5A ，
V GS = 0V
T J = 25°C ， I F = 1.0A ，
的di / dt = 100A / μs的
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤
2% .
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2002年3月
4
QQ：2880707522 复制
