ZXMHN6A07T8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（ V
GS
= 1 0 V ;牛逼
A
= 2 5 ° C)
（二） （四）
(V
GS
= 1 0 V ;牛逼
A
= 7 0 ° C)
(V
GS
= 1 0 V ;牛逼
A
= 2 5 ° C)
（一） （四）
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
（二） （四）
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T总功率耗散
A
= 2 5 ° C
任何单个晶体管" on"
（一） （四）
“在'单晶体管
（二） （四）
“在'平均分配到两个晶体管
单个晶体管" on"
（一） （四）
“在'单晶体管
（二） （四）
（一） （五）
（一） （五）
（二） （四）
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
60
± 20
1.6
1.3
1.4
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
I
DM
I
S
I
SM
P
合计
9
1
9
1.1
1.4
1.6
W
W
W
上述2 5℃线性降额因子
(a)
8.8
11.2
13.2
R
日（ J- AMB ）
114
89
（一） （五）
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
“在'平均分配到两个晶体管
（一） （四）
（二） （四）
热阻 - 结到环境
单个晶体管" on"
单个晶体管" on"
° C / W
° C / W
° C / W
°C
“在'平均分配到两个晶体管
76
T
j
, T
英镑
-55到+ 150
工作和存储温度范围
（ a）为安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米的FR4印刷电路板具有高覆盖单面2盎司重量铜在静止空气条件下与一个设备
散热片分割成三个相等的区域，一个用于每一个漏极连接。
（二）对于器件表面安装在FR4 PCB在t = 10秒。
（三）重复评级50毫米×50毫米X 1.6毫米的FR4印刷电路板，占空比2％时，脉冲宽度300秒的静止空气条件下与散热器分割成三个
相等的面积，每一个漏极连接。
（ d）对于设备与一个有源裸片。
（五）对于任何两个模具不共享相同的漏极连接点。
第2期 - 2004年5月
半导体
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ZXMHN6A07T8
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1 )
正向跨导
动态
(3 )
(1 ) (3 )
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
Q
rr
60
1.0
100
1.0
3.0
0.3
0.45
2.3
V
A
nA
V
I
D
= 2 5 0 ，V
GS
= 0 V
V
DS
= 6 0 V , V
GS
= 0 V
V
GS
= ± 2 0 V , V
DS
= 0 V
I
D
= 2 5 0 ，V
DS
= V
GS
V
GS
= 1 0 V，I
D
= 1 . 8 A
V
GS
= 4 。 5 V，I
D
= 1 . 3 A
V
DS
1 = 5 V，I
D
= 1 . 8 A
S
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2 ) (3 )
166
20
9
pF
pF
pF
V
DS
= 4 0 V , V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1 )
反向恢复时间
(3 )
1.8
1.4
4.9
2.0
3.2
0.7
0.8
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 3 0 V , V
GS
= 1 0 V
I
D
= 1 . 8 A
V
DD
= 3 0 V，I
D
= 1 . 8 A
R
G
@
6 . 0
W,
V
GS
= 1 0 V
0.95
21
21
V
ns
nC
T
j
2 = 5 ° C，I
S
= 0 . 4 5 A,
V
GS
= 0 V
T
j
2 = 5 ° C，I
F
= 1 . 0 A,
的di / dt = 1 0 0 A / S
反向恢复电荷
(3 )
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第2期 - 2004年5月
半导体
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