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对产品线
Diodes公司
ZXMHC3A01N8
30V SO8互补增强型MOSFET的H桥
摘要
设备
V
( BR ) DSS
Q
G
R
DS ( ON)
125mΩ @ V
GS
= 10V
N沟道
30V
3.9nC
180mΩ @ V
GS
= 4.5V
210mΩ @ V
GS
= -10V
P沟道
-30V
5.2nC
330mΩ @ V
GS
= -4.5V
-1.6A
2.2A
-2.1A
I
D
T
A
= 25°C
2.7A
描述
这种新一代的互补MOSFET的H桥
具有低导通电阻可实现低栅极驱动。
P1G
P1S/P2S
P2G
特点
2× N + 2× P通道的SOIC封装
P1D/N1D
P2D/N2D
应用
直流电机控制
直流 - 交流逆变器
N1G
N2G
N1S/N2S
订购信息
设备
ZXMHC3A01N8TC
带尺寸
(英寸)
13
胶带宽度
(mm)
12
QUANTITY
每卷
2,500
器件标识
ZXMHC
3A01
问题1.0 - 2009年3月
Diodes公司
1
www.diodes.com
ZXMHC3A01N8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
@ V
GS
= 10V ;牛逼
L
=25°C
脉冲漏极电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
(c)
(b)
(b)
(b)
(a)
(f)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
N-
通道
30
±20
2.72
2.18
2.17
2.21
P-
通道
-30
±20
-2.06
-1.65
-1.64
-1.67
-8.84
-1.60
-8.84
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
11.7
1.60
11.7
0.87
6.94
1.36
10.9
0.90
7.19
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
连续源电流(体二极管)在T
A
=25°C
脉冲源电流(体二极管)在T
A
=25°C
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
L
=25°C
线性降额因子
(a)
(b)
(f)
(c)
工作和存储温度范围
-55到150
热阻
参数
结到环境
结到环境
结到环境
结到环境
交界处领导
注意事项:
(a)
对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在静止
空气条件下与散热器分离成两个相等的区域(每个漏极连接) ;该装置测量时
在稳态条件下与一种活性模操作。
相同的说明( a)所示,除了该装置测量在t
10秒。
相同的说明( a)所示,除了该装置是脉冲的以D = 0.02和脉宽300微秒。该脉冲电流被限定
最高结温。
对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜,在静止
空气条件下与散热器分离成两个相等的区域(每个漏极连接) ;该装置测量时
在稳态条件下与一种活性模操作。
对于安装在最小铜1.6毫米FR4 PCB ,在静止空气环境的设备表面;该装置测量时
在稳态条件下与一种活性模操作。
从结点到焊接点的热阻抗(在漏极引线的一端) ;该装置在稳态操作
条件有一个活跃的模具。
符号
(a)
(b)
(d)
(e)
价值
144
92
106
254
139
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJL
(f)
(b)
(c)
(d)
(e)
(f)
问题1.0 - 2009年3月
Diodes公司
2
www.diodes.com
ZXMHC3A01N8
热特性
10
R
DS ( ON)
10
R
DS ( ON)
有限
1
DC
1s
100ms
10ms
注(一)
单脉冲,T
AMB
=25°C
1ms
100us
-I
D
漏电流( A)
I
D
漏电流( A)
有限
1
DC
1s
100ms
10ms
注(一)
单脉冲,T
AMB
=25°C
1ms
100us
100m
100m
10m
10m
1
10
1
10
V
DS
漏源极电压( V)
N沟道安全工作区
140
120
100
80
60
40
20
0
100
1m
10m 100m
1
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
D=0.5
-V
DS
漏源极电压( V)
P沟道安全工作区
1.0
最大功耗( W)
热阻( ° C / W)
一个活动模
25 x 25mm的1盎司
任何一个
有源芯片
0.5
0.0
0
25
50
75
100
125
150
10
100
1k
脉冲宽度(S )
温度(℃)
瞬态热阻抗
100
一个活动模
单脉冲
T
AMB
=25°C
降额曲线
最大功率(W)的
10
1
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
脉冲宽度(S )
脉冲功率耗散
问题1.0 - 2009年3月
Diodes公司
3
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ZXMHC3A01N8
N沟道的电特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
STATIC
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
门体漏
门极 - 源
电压
静态漏源
(a)
导通状态电阻
前锋
(一) (三)
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
fs
3.5
1.0
30
0.5
V
A
nA
V
S
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
I
D
= 250μA ,V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V ,我
D
= 2.5A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 2.0A
V
DS
= 15V ,我
D
= 2.5A
±
100
3.0
0.125
0.180
动态
电容
(c)
输入电容
输出电容
反向传输
电容
开关
(二) (三)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
190
38
20
pF
pF
pF
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
(c)
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
1.7
2.3
6.6
2.9
ns
ns
ns
ns
V
DD
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 2.5A
R
G
6.0Ω,
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
反向恢复时间
(a)
(c)
(c)
Q
g
Q
gs
Q
gd
3.9
0.6
0.9
nC
nC
nC
V
DS
=15V, V
GS
= 10V
I
D
= 2.5A
V
SD
t
rr
Q
rr
17.7
13.0
0.95
V
ns
nC
I
S
= 1.25A ,V
GS
= 0V
I
S
= 2.5A ,的di / dt = 100A / μs的
反向恢复电荷
注意事项:
(一)脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
(二)开关特性是独立的工作结温。
(三)对设计辅助工具而已,不受生产测试
问题1.0 - 2009年3月
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4
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ZXMHC3A01N8
N沟道典型特征
I
D
漏电流( A)
I
D
漏电流( A)
10
T =25°
C
10V
7V
5V
4.5V
4V
3.5V
10
T =150°
C
10V
7V
5V
4.5V
4V
3.5V
1
V
GS
3V
1
V
GS
3V
2.5V
0.1
2.5V
0.1
2V
0.1
V
DS
漏源极电压( V)
1
10
0.1
V
DS
漏源极电压( V)
1
10
输出特性
10
1.6
输出特性
归一化
DS ( ON)
和V
GS ( TH)
I
D
漏电流( A)
V
DS
=10V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-50
0
V
GS
=10V
I
D
=2.5A
R
DS ( ON)
T =150°
C
1
V
GS ( TH)
V
GS
=V
DS
I
D
=250uA
T =25°
C
0.1
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
50
100
150
V
GS
栅源电压( V)
TJ结温( °
C)
典型的传输特性
归一化曲线V温度
R
DS ( ON)
漏源导通电阻
()
I
SD
反向漏电流( A)
2.5V
3V
3.5V
4V
V
GS
10
T =150°
C
1
4.5V
5V
7V
10V
1
0.1
T =25°
C
T =25°
C
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
I
D
漏电流( A)
1
10
导通电阻V漏极电流
V
SD
源极 - 漏极电压( V)
源极 - 漏极二极管正向电压
问题1.0 - 2009年3月
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    -
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