ZXMHC10A07T8
互补100V增强型MOSFET H桥
摘要
N沟道= V
（ BR ） DSS
= 100V ，R
DS （ ON）
= 0.7 ; I
D
= 1.4A
P沟道= V
（ BR ） DSS
= -100V ，R
DS （ ON）
= 1.0 ; I
D
= -1.3A
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
SM8
S
1
S
4
G
4
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
单SM - 8表面贴装封装
G
1
D
1
, D
2
D
3
, D
4
应用
单相直流风扇电机驱动器
G
2
S
2
S
3
G
3
订购信息
设备
ZXMHC10A07T8TA
ZXMHC10A07T8TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
引脚
器件标识
ZXMH
C10A7
第2期 - 2005年6月
1
半导体
ZXMHC10A07T8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
（二） （四）
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C
（二） （四）
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
（一） （四）
漏电流脉冲
(c)
(b)
符号
V
DSS
V
GS
I
D
N沟道
100
20
1.1
0.9
1.0
P沟道
-100
20
-0.9
-0.8
-0.8
-4.5
-2.2
-4.5
1.3
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
(c)
5.2
2.3
5.2
10.4
1.3
10.4
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（二） （四）
线性降额因子
工作和存储温度范围
-55到+150
热阻
参数
结到环境
（一） （四）
结到环境
（二） （四）
符号
R
JA
R
JA
价值
94.5
73.3
单位
° C / W
° C / W
笔记
（ a）对于一个器件表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米的FR4印刷电路板具有高覆盖性的单面2盎司铜，在静止空气条件下，用
散热片分成两个相等的区域1的每个漏极连接。
（ b）对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
（三）重复评级50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
请参阅transiennt热阻抗曲线。
（ d）对于设备与一个有源裸片。
第2期 - 2005年6月
半导体
2
ZXMHC10A07T8
N沟道
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
正向跨导
(1) (3)
动态
(3)
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
100
1
100
2.0
4.0
0.7
0.9
1.6
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=100V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.5A
V
GS
= 6V ，我
D
= 1.0A
S
V
DS
= 15V ，我
D
= 1.0A
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
138
12
6
pF
pF
pF
V
DS
= 60V, V
GS
=0V
f=1MHz
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
1.8
1.5
4.1
2.1
2.9
0.7
1.0
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 50V, V
GS
= 10V
I
D
= 1.0A
V
DD
= 50V ，我
D
= 1.0A
R
G
6.0 , V
GS
= 10V
0.95
27
12
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= 1.5A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
S
= 1.8A,
的di / dt = 100A / S
Q
rr
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第2期 - 2005年6月
半导体
4
ZXMHC10A07T8
P沟道
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
正向跨导
(1) (3)
动态
(3)
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
SD
t
rr
-100
-1.0
100
-2.0
-4.0
1
1.45
1.2
V
A
nA
V
I
D
= -250 A，V
GS
=0V
V
DS
= -100V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= -250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= -10V ，我
D
= - 0.6A
V
GS
= -6V ，我
D
= -0.5A
S
V
DS
= -15V ，我
D
= -0.6A
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
141
13.1
10.8
pF
pF
pF
V
DS
= -50V, V
GS
=0V
f=1MHz
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
1.6
2.1
5.9
3.3
1.6
3.5
0.6
1.6
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
= -50V, V
GS
= -5V
I
D
= -0.6A
V
DS
= -50V, V
GS
= -10V
I
D
= -0.6A
V
DD
= -50V ，我
D
= -1A
R
G
6.0 , V
GS
= -10V
-0.85
29
31
-0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= -0.75A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
S
= -0.9A,
的di / dt = 100A / S
Q
rr
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第2期 - 2005年6月
5
半导体
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