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ZXMD65P02N8
双路20V P沟道增强型MOSFET
摘要
V
（ BR ） DSS
= -20V ;
DS （ ON）
=0.050 ; I
D
=-5.1A
描述
这种新一代的Zetex的高密度的MOSFET采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMD65P02N8TA
ZXMD65P02N8TC
带尺寸
7”
13”
胶带宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
器件标识
ZXMD
65P02
顶视图
第1期 - 2004年7月
1
半导体
33
ZXMD65P02N8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流V
GS
= -4.5V ;牛逼
A
=25°C
（二） （四）
V
GS
= -4.5V ;牛逼
A
=70°C
（二） （四）
V
GS
= -4.5V ;牛逼
A
=25°C
（一） （四）
漏电流脉冲
（ C） （D ）
连续源电流（体二极管）
（二） （四）
脉冲源电流（体二极管）
（ C） （D ）
在T功耗
A
=25°C
（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（一） （五）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（二） （四）
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
极限
-20
±12
-5.1
-4.1
-4.0
-18
-3.1
-18
1.25
10
1.75
14
2.0
16
-55到+150
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
（一） （四）
结到环境
（一） （五）
结到环境
（二） （四）
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
100
71.4
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（ b）对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.05 ，脉冲宽度10秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
（ d）对于设备与一个有源裸片。
第1期 - 2004年7月
半导体
2
ZXMD65P02N8
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
(1)
正向跨导
(1)(3)
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
V
SD
t
rr
Q
rr
39.2
28.8
0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
=-2.9A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
F
=-2.9A,
的di / dt = 100A / μs的
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
6.6
29.9
57.9
63.2
20
1.8
10
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
=-10V,V
GS
=-4.5V
I
D
=-2.9A
V
DD
= -10V ，我
D
=-2.9A
R
G
=6.0, V
GS
=-5V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
960
480
240
pF
pF
pF
V
DS
=-15 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
V
（ BR ） DSS
-20
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
8.5
-0.7
0.050
0.080
-1
-100
V
A
nA
V
S
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
I = -250μA ，V
DS
=
D
V
GS
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.9A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-1.5A
V
DS
=-10V,I
D
=-2.9A
符号最小值。
典型值。
马克斯。
单位条件
注意事项：
（1）脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
（ 3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2004年7月
3
半导体
ZXMD65P02N8
包装尺寸
包装尺寸
MILLIMETERS
暗淡
民
A
A1
D
H
E
L
1.35
0.10
4.80
5.80
3.80
0.40
最大
1.75
0.25
5.00
6.20
4.00
1.27
民
0.053
0.004
0.189
0.228
0.150
0.016
最大
0.069
0.010
0.197
0.244
0.157
0.050
h
-
e
b
c
英寸
暗淡
民
最大
民
最大
1.27 BSC
0.33
0.19
0°
0.25
-
0.51
0.25
8°
0.50
-
0.050 BSC
0.013
0.008
0°
0.010
-
0.020
0.010
8°
0.020
-
MILLIMETERS
英寸
捷特科2004年PLC
欧洲
捷特科有限公司
Streitfeldstrae 19
D- 81673慕尼黑
德国
筿： （ 49 ） 89 45 49 49 0
传真： （ 49 ） 89 45 49 49 49
europe.sales@zetex.com
美洲
Zetex的公司
700退伍军人纪念高速公路
Hauppauge的，纽约州11788
美国
电话： （ 1 ） 631 360 2222
传真：（1） 631 360 8222
usa.sales@zetex.com
亚太地区
Zetex公司（亚洲）有限公司
3701-04都会广场第一
兴芳路葵芳
香港
电话： （ 852 ） 26100 611
传真： （ 852 ） 24250 494
asia.sales@zetex.com
公司总部
Zetex的PLC
兰斯当路， Chadderton
奥尔德姆， OL9 9TY
英国
电话（ 44 ） 161 622 4444
传真： （ 44 ） 161 622 4446
hq@zetex.com
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任何顺序或合同或任何目的或形式的部分被视为与相关的产品或服务的表示。公司
保留不另行通知，以更改规格，设计，价格或供应任何产品或服务的条件的权利。
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第1期 - 2004年7月
半导体
4
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推荐型号
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ZXTPS718MC
ZN448
ZCAT3618-2630D
ZC932TA
ZER-02V-S
Z8F012ASB020EC
ZB6AD25
ZR12D
ZPY130
ZLLS400
ZL30415GGF
ZMM55-C6V8
ZMM55C6V8
ZMM5222
ZMM55C-6V8
ZS160L
ZL60212TDD
ZRC400A01
ZMMC3V9
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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