ZXMD63N03X
双30V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
( BR ) DSS
= 30V ;
DS ( ON)
=0.135 ; I
D
=2.3A
描述
这种新一代的Zetex的高密度的MOSFET采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率,低电压,功率
管理应用程序。
MSOP8
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
D2
D1
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
G2
S2
G1
S1
引脚输出
订购信息
设备
ZXM63N03NXTA
ZXM63N03NXTC
带尺寸
(英寸)
7
13
胶带宽度
(mm)
12压花
12压花
QUANTITY
每卷
1,000
4,000
S1
G1
S2
G2
1
D1
D1
D2
D2
顶视图
器件标识
ZXM63N03
第1期 - 2005年10月
1
半导体
ZXMD63N03X
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流
(V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
= 25 ° C) (B ) (D )I
D
(V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=70°C)(b)(d)
漏电流脉冲( C) (D )
连续源电流(体二极管) (B ) (D )
脉冲源电流(体二极管) (三) (四)
在T功耗
A
= 25 ℃(一) (四)
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C(一) (五)
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C( B) (D )
线性降额因子
工作和存储温度范围
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
2.3
1.8
14
1.5
14
0.87
6.9
1.04
8.3
1.25
10
-55到+150
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
符号
V
DSS
V
GS
极限
30
±20
单位
V
V
热阻
参数
结到环境(一), (四)
结到环境(B ) (D )
结到环境(一), (五)
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
143
100
120
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在静止空气条件
( b)对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
(三)重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线。
( d)对于设备与一个有源裸片。
(五)对于设备在与同等功率两个活动模运行。
第1期 - 2005年10月
2
半导体
ZXMD63N03X
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
电阻(1)
正向跨导( 3 )
动态( 3 )
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关电源(2)( 3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压( 1 )
反向恢复时间( 3 )
反向恢复电荷( 3 )
V
SD
t
rr
Q
rr
16.9
9.5
0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C,I
S
=1.7A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C,I
F
=1.7A,
的di / dt = 100A / μs的
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
2.5
4.1
9.6
4.4
8
1.2
2
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
=24V,V
GS
=10V,
I
D
=1.7A
(请参考测试电路)
V
DD
= 15V ,我
D
=1.7A
R
G
=6.1, R
D
=8.7
(请参考测试电路)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
290
70
20
pF
pF
pF
V
DS
=25 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
fs
1.9
1.0
0.135
0.200
30
1
100
V
A
nA
V
S
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = 250μA ,V
DS
= V
GS
D
V
GS
= 10V ,我
D
=1.7A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=0.85A
V
DS
=10V,I
D
=0.85A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
注意事项:
(1)脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
2%
.
( 2 )开关特性是独立的工作结温。
( 3)设计辅助工具而已,不受生产测试。
第1期 - 2005年10月
4
半导体
ZXMD63N03X
双30V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
( BR ) DSS
= 30V ;
DS ( ON)
=0.135 ; I
D
=2.3A
描述
这种新一代的Zetex的高密度的MOSFET采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率,低电压,功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
MSOP8
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
订购信息
设备
ZXMD63N03XTA
ZXMD63N03XTC
带尺寸
(英寸)
7
13
胶带宽度(mm)
12毫米浮雕
12毫米浮雕
QUANTITY
每卷
1000个单位
4000台
顶视图
器件标识
ZXM63N03
暂定发行A - 1999年7月
33
ZXMD63N03X
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流( V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=25°C)(b)(d)
(V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=70°C)(b)(d)
漏电流脉冲( C) (D )
连续源电流(体二极管) (B ) (D )
脉冲源电流(体二极管) (三) (四)
在T功耗
A
= 25 ℃(一) (四)
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C(一) (五)
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C( B) (D )
线性降额因子
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
极限
30
±
20
2.3
1.8
14
1.5
14
0.87
6.9
1.04
8.3
1.25
10
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境(一), (四)
结到环境(B ) (D )
结到环境(一), (五)
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
143
100
120
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
(一)对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,
在静止空气条件
( b)对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
(三)重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。参见瞬态热
阻抗曲线图。
( d)对于设备与一个有源裸片。
(五)对于设备在与同等功率两个活动模运行。
暂定发行A - 1999年7月
34
ZXMD63N03X
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导( 3 )
动态( 3 )
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关电源(2)( 3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压( 1 )
反向恢复时间( 3 )
反向恢复电荷( 3 )
V
SD
t
rr
Q
rr
16.9
9.5
0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C,I
S
=1.7A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C,I
F
=1.7A,
的di / dt = 100A / μs的
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
2.5
4.1
9.6
4.4
8
1.2
2
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
=24V,V
GS
=10V,
I
D
=1.7A
(参考试验
电路)
V
DD
= 15V ,我
D
=1.7A
R
G
=6.1, R
D
=8.7
(参考试验
电路)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
290
70
20
pF
pF
pF
V
DS
=25 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
fs
1.9
1.0
0.135
0.200
30
1
100
V
A
nA
V
S
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
=± 20V, V
DS
=0V
I
D
= 250μA ,V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V ,我
D
=1.7A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=0.85A
V
DS
=10V,I
D
=0.85A
符号最小值。
典型值。
马克斯。
单位条件。
(1)脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
≤2%
.
( 2 )开关特性是独立的工作结温。
( 3)设计辅助工具而已,不受生产测试。
暂定发行A - 1999年7月
36
ZXMD63N03X
双30V N沟道增强型MOSFET
摘要
V
( BR ) DSS
= 30V ;
DS ( ON)
=0.135 ; I
D
=2.3A
描述
这种新一代的Zetex的高密度的MOSFET采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率,低电压,功率
管理应用程序。
MSOP8
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
D2
D1
应用
直流 - 直流转换器
电源管理功能
隔离开关
电机控制
G2
S2
G1
S1
引脚输出
订购信息
设备
ZXM63N03NXTA
ZXM63N03NXTC
带尺寸
(英寸)
7
13
胶带宽度
(mm)
12压花
12压花
QUANTITY
每卷
1,000
4,000
S1
G1
S2
G2
1
D1
D1
D2
D2
顶视图
器件标识
ZXM63N03
第1期 - 2005年10月
1
半导体
ZXMD63N03X
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流
(V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
= 25 ° C) (B ) (D )I
D
(V
GS
= 4.5V ;牛逼
A
=70°C)(b)(d)
漏电流脉冲( C) (D )
连续源电流(体二极管) (B ) (D )
脉冲源电流(体二极管) (三) (四)
在T功耗
A
= 25 ℃(一) (四)
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C(一) (五)
线性降额因子
在T功耗
A
= 25 ° C( B) (D )
线性降额因子
工作和存储温度范围
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
2.3
1.8
14
1.5
14
0.87
6.9
1.04
8.3
1.25
10
-55到+150
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
符号
V
DSS
V
GS
极限
30
±20
单位
V
V
热阻
参数
结到环境(一), (四)
结到环境(B ) (D )
结到环境(一), (五)
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJA
价值
143
100
120
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项:
(一)对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜,在静止空气条件
( b)对于在FR4印刷电路板的器件表面测量在t 10秒。
(三)重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线。
( d)对于设备与一个有源裸片。
(五)对于设备在与同等功率两个活动模运行。
第1期 - 2005年10月
2
半导体
ZXMD63N03X
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通状态
电阻(1)
正向跨导( 3 )
动态( 3 )
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关电源(2)( 3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压( 1 )
反向恢复时间( 3 )
反向恢复电荷( 3 )
V
SD
t
rr
Q
rr
16.9
9.5
0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C,I
S
=1.7A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C,I
F
=1.7A,
的di / dt = 100A / μs的
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
2.5
4.1
9.6
4.4
8
1.2
2
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
=24V,V
GS
=10V,
I
D
=1.7A
(请参考测试电路)
V
DD
= 15V ,我
D
=1.7A
R
G
=6.1, R
D
=8.7
(请参考测试电路)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
290
70
20
pF
pF
pF
V
DS
=25 V, V
GS
=0V,
f=1MHz
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
fs
1.9
1.0
0.135
0.200
30
1
100
V
A
nA
V
S
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
I = 250μA ,V
DS
= V
GS
D
V
GS
= 10V ,我
D
=1.7A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=0.85A
V
DS
=10V,I
D
=0.85A
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
注意事项:
(1)脉冲条件下进行测定。宽度= 300μS 。占空比
2%
.
( 2 )开关特性是独立的工作结温。
( 3)设计辅助工具而已,不受生产测试。
第1期 - 2005年10月
4
半导体