ZXMC4A16DN8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C)
（二） （四）
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
(b)
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
A
=25°C
（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（一） （五）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（二） （四）
线性降额因子
工作和存储温度范围
（一） （四）
（二） （四）
符号
V
DSS
V
GS
I
D
N沟道
40
20
P-信道均衡|
-40
20
单位
V
V
5.2
4.1
4.0
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
24
2.5
24
1.25
10
1.8
14
2.1
17
-55到+150
-4.7
-3.8
-3.6
-23
2.3
23
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
（一） （四）
结到环境
（一） （五）
结到环境
（二） （四）
符号
R
JA
R
JA
R
JA
价值
100
70
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。脉宽300US ， d< = 0.02 。请参阅瞬态热阻抗
图。
（ d）对于设备与一个有源裸片。
（五）对于设备在与同等功率两个活动模运行。
第1期 - 2004年11月
半导体
2
ZXMC4A16DN8
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导
(1) (3)
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
40
0.5
100
1.0
0.050
0.075
8.6
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=40V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250毫安，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 3.2A
S
V
DS
= 15V ，我
D
= 4.5A
西塞
科斯
CRSS
770
92
61
pF
pF
pF
V
DS
= 40V, V
GS
=0V
f=1MHz
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
3.3
4.7
29
14
17
2.5
3.8
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 30V, V
GS
= 10V
I
D
= 4.5A
V
DD
= 30V ，我
D
= 1A
R
G
6.0
, V
GS
= 10V
VSD
TRR
QRR
0.8
20
16
0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= 4.5A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
S
= 2.5A,
的di / dt = 100A / S
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
(
3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
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绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C)
（二） （四）
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
(b)
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
A
=25°C
（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（一） （五）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（二） （四）
线性降额因子
工作和存储温度范围
（一） （四）
（二） （四）
符号
V
DSS
V
GS
I
D
N沟道
40
20
P-信道均衡|
-40
20
单位
V
V
5.2
4.1
4.0
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
24
2.5
24
1.25
10
1.8
14
2.1
17
-55到+150
-4.7
-3.8
-3.6
-23
2.3
23
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
热阻
参数
结到环境
（一） （四）
结到环境
（一） （五）
结到环境
（二） （四）
符号
R
JA
R
JA
R
JA
价值
100
70
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
（一）对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（ b）对设备表面安装在t 10秒测得的FR4 PCB 。
（三）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。脉宽300US ， d< = 0.02 。请参阅瞬态热阻抗
图。
（ d）对于设备与一个有源裸片。
（五）对于设备在与同等功率两个活动模运行。
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半导体
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电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
门源阈值电压
静态漏源导通电阻
(1)
正向跨导
(1) (3)
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
(3)
符号
分钟。
典型值。
MAX 。单位条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
40
0.5
100
1.0
0.050
0.075
8.6
V
A
nA
V
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=40V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250毫安，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 3.2A
S
V
DS
= 15V ，我
D
= 4.5A
西塞
科斯
CRSS
770
92
61
pF
pF
pF
V
DS
= 40V, V
GS
=0V
f=1MHz
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
3.3
4.7
29
14
17
2.5
3.8
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 30V, V
GS
= 10V
I
D
= 4.5A
V
DD
= 30V ，我
D
= 1A
R
G
6.0
, V
GS
= 10V
VSD
TRR
QRR
0.8
20
16
0.95
V
ns
nC
T
j
= 25 ° C，I
S
= 4.5A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
S
= 2.5A,
的di / dt = 100A / S
笔记
（1）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300秒;占空比的2％。
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
(
3）设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2004年11月
半导体
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