ZXMC4559DN8
互补60V增强型MOSFET
摘要
N沟道V
（ BR ） DSS
= 60V ;
DS （ ON）
= 0.055 ; I
D
= 4.7A
P- V频道
（ BR ） DSS
= -60V ;
DS （ ON）
= 0.105 ; I
D
= -3.9A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
电机驱动
LCD背光
Q1 = N- CHANNEL
Q2 = P- CHANNEL
订购信息
设备
ZXMC4559DN8TA
ZXMC4559DN8TC
REEL
7
’‘
13’‘
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
引脚
器件标识
ZXMC
4559
顶视图
ISSUE 5 - 2005年5月
1
半导体
ZXMC4559DN8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25 C
（二） （四）
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25 C
（二） （四）
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25 C
漏电流脉冲
(c)
(b)
（一） （四）
符号N沟道
V
DSS
V
GS
I
D
60
20
4.7
3.7
3.6
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
22.2
3.4
22.2
P沟道
-60
20
-3.9
-2.8
-2.6
-18.3
-3.2
-18.3
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
（一） （四）
1.25
10
1.8
14
2.1
17
-55到+150
（一） （五）
（二） （四）
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
结到环境
结到环境
笔记
（一）对于双通道器件表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB板覆盖单面盎司镀铜在静止空气条件。
（ b）对于安装在FR4 PCB双通道器件表面在t测
10秒。
（一） （四）
（二） （五）
（二） （四）
符号
R
JA
R
JA
R
JA
价值
100
69
58
单位
° C / W
° C / W
° C / W
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
（ d）对于与主动裸芯片的装置。
（五）对于设备在与同等功率2有源芯片上运行。
ISSUE 5 - 2005年5月
半导体
2
ZXMC4559DN8
互补60V增强型MOSFET
摘要
N沟道V
（ BR ） DSS
= 60V ;
DS （ ON）
= 0.055 ; I
D
= 4.7A
P- V频道
（ BR ） DSS
= -60V ;
DS （ ON）
= 0.105 ; I
D
= -3.9A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
电机驱动
LCD背光
Q1 = N- CHANNEL
Q2 = P- CHANNEL
订购信息
设备
ZXMC4559DN8TA
ZXMC4559DN8TC
REEL
7
’‘
13’‘
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
引脚
器件标识
ZXMC
4559
顶视图
ISSUE 5 - 2005年5月
1
半导体
ZXMC4559DN8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25 C
（二） （四）
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25 C
（二） （四）
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25 C
漏电流脉冲
(c)
(b)
（一） （四）
符号N沟道
V
DSS
V
GS
I
D
60
20
4.7
3.7
3.6
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
22.2
3.4
22.2
P沟道
-60
20
-3.9
-2.8
-2.6
-18.3
-3.2
-18.3
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
（一） （四）
1.25
10
1.8
14
2.1
17
-55到+150
（一） （五）
（二） （四）
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
结到环境
结到环境
笔记
（一）对于双通道器件表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB板覆盖单面盎司镀铜在静止空气条件。
（ b）对于安装在FR4 PCB双通道器件表面在t测
10秒。
（一） （四）
（二） （五）
（二） （四）
符号
R
JA
R
JA
R
JA
价值
100
69
58
单位
° C / W
° C / W
° C / W
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
（ d）对于与主动裸芯片的装置。
（五）对于设备在与同等功率2有源芯片上运行。
ISSUE 5 - 2005年5月
半导体
2
ZXMC4559DN8
互补60V增强型MOSFET
摘要
N沟道V
（ BR ） DSS
= 60V ;
DS （ ON）
= 0.055 ; I
D
= 4.7A
P- V频道
（ BR ） DSS
= -60V ;
DS （ ON）
= 0.105 ; I
D
= -3.9A
描述
这种新一代的Zetex的TRENCH MOSFET的采用了独特的
结构相结合的低导通电阻的优点与快速切换
速度。这使它们非常适用于高效率，低电压，功率
管理应用程序。
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
SO8
应用
电机驱动
LCD背光
Q1 = N- CHANNEL
Q2 = P- CHANNEL
订购信息
设备
ZXMC4559DN8TA
ZXMC4559DN8TC
REEL
7
’‘
13’‘
TAPE
宽度
12mm
12mm
QUANTITY
每卷
500台
2500台
引脚
器件标识
ZXMC
4559
顶视图
ISSUE 5 - 2005年5月
1
半导体
ZXMC4559DN8
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25 C
（二） （四）
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25 C
（二） （四）
@V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25 C
漏电流脉冲
(c)
(b)
（一） （四）
符号N沟道
V
DSS
V
GS
I
D
60
20
4.7
3.7
3.6
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
22.2
3.4
22.2
P沟道
-60
20
-3.9
-2.8
-2.6
-18.3
-3.2
-18.3
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管） （三）
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
（一） （四）
1.25
10
1.8
14
2.1
17
-55到+150
（一） （五）
（二） （四）
工作和存储温度范围
热阻
参数
结到环境
结到环境
结到环境
笔记
（一）对于双通道器件表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB板覆盖单面盎司镀铜在静止空气条件。
（ b）对于安装在FR4 PCB双通道器件表面在t测
10秒。
（一） （四）
（二） （五）
（二） （四）
符号
R
JA
R
JA
R
JA
价值
100
69
58
单位
° C / W
° C / W
° C / W
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
（ d）对于与主动裸芯片的装置。
（五）对于设备在与同等功率2有源芯片上运行。
ISSUE 5 - 2005年5月
半导体
2
QQ：2881677436 复制
