ZXMC3F31DN8
绝对最大额定值
参数
符号
N-
通道
Q1
30
P-
通道
Q2
-30
单位
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
@ V
GS
= 10V ;牛逼
L
=25°C
漏电流脉冲
(c)
（二） （四）
（二） （四）
（二） （四）
（一） （四）
（一） （五）
（ F） （D ）
V
DSS
V
GS
I
D
V
V
A
±20
7.3
5.9
5.7
6.8
7.8
±20
5.3
4.3
4.1
4.9
5.7
23
3.2
23
1.25
10
1.8
14
2.1
17
2.35
19
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
33
3.5
33
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
L
=25°C
线性降额因子
（一） （四）
（一） （五）
（二） （四）
（ F） （D ）
（ C） （D ）
工作和存储温度范围
-55到150
热阻
参数
结到环境
结到环境
结到环境
交界处领导
注意事项：
(a)
(b)
(c)
(d)
(e)
(f)
对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止
空气状况。
安装在FR4 PCB测量在t
≤
10秒。
重复的评级25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉宽300US - 脉冲宽度有限的最高结
温度。
用于与一个主动裸芯片的装置。
为与在相同的功率两种活性模具运行的装置。
热电阻结点到焊接点（在漏极引线的端部） 。
符号
（一） （四）
（一） （五）
（二） （四）
价值
100
70
60
53
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJL
（ F） （D ）
第1期 - 2008年9月
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Q1 N沟道电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
门体漏
门极 - 源
电压
静态漏源
( )
导通状态电阻
*
前锋
( ) ()
跨
*
动态
()
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
=±
20V, V
DS
=0V
I
D
= 250μA ，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 7.0A
V
GS
= 4.5, I
D
= 6.0A
V
DS
= 15V ，我
D
= 7.0A
0.5
100
1.0
3.0
0.024
0.039
16.5
A
nA
V
S
输入电容
输出电容
反向传输
电容
开关
() ()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
608
132
72
pF
pF
pF
V
DS
= 15V, V
GS
=0V
f=1MHz
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
反向恢复时间
( )
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
2.9
3.3
16
8
12.9
2.5
2.52
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 7A
V
DD
= 15V, V
GS
=10V
I
D
= 1A
R
G
6.0Ω,
*
V
SD
t
rr
Q
rr
()
0.82
12
4.8
1.2
V
ns
nC
I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
I
S
= 2.2A ，的di / dt = 100A / μs的
()
反向恢复电荷
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
（ ）的开关特性是独立的工作结温。
（ ）为设计辅助而已，不受生产测试
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绝对最大额定值
参数
符号
N-
通道
Q1
30
P-
通道
Q2
-30
单位
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
@ V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C
@ V
GS
= 10V ;牛逼
L
=25°C
漏电流脉冲
(c)
（二） （四）
（二） （四）
（二） （四）
（一） （四）
（一） （五）
（ F） （D ）
V
DSS
V
GS
I
D
V
V
A
±20
7.3
5.9
5.7
6.8
7.8
±20
5.3
4.3
4.1
4.9
5.7
23
3.2
23
1.25
10
1.8
14
2.1
17
2.35
19
I
DM
I
S
I
SM
P
D
P
D
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
33
3.5
33
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
线性降额因子
在T功耗
L
=25°C
线性降额因子
（一） （四）
（一） （五）
（二） （四）
（ F） （D ）
（ C） （D ）
工作和存储温度范围
-55到150
热阻
参数
结到环境
结到环境
结到环境
交界处领导
注意事项：
(a)
(b)
(c)
(d)
(e)
(f)
对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止
空气状况。
安装在FR4 PCB测量在t
≤
10秒。
重复的评级25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉宽300US - 脉冲宽度有限的最高结
温度。
用于与一个主动裸芯片的装置。
为与在相同的功率两种活性模具运行的装置。
热电阻结点到焊接点（在漏极引线的端部） 。
符号
（一） （四）
（一） （五）
（二） （四）
价值
100
70
60
53
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJL
（ F） （D ）
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AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
门体漏
门极 - 源
电压
静态漏源
( )
导通状态电阻
*
前锋
( ) ()
跨
*
动态
()
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
=±
20V, V
DS
=0V
I
D
= 250μA ，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 7.0A
V
GS
= 4.5, I
D
= 6.0A
V
DS
= 15V ，我
D
= 7.0A
0.5
100
1.0
3.0
0.024
0.039
16.5
A
nA
V
S
输入电容
输出电容
反向传输
电容
开关
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
反向恢复时间
( )
() ()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
608
132
72
pF
pF
pF
V
DS
= 15V, V
GS
=0V
f=1MHz
导通延迟时间
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
2.9
3.3
16
8
12.9
2.5
2.52
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
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I
D
= 7A
V
DD
= 15V, V
GS
=10V
I
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G
6.0Ω,
*
V
SD
t
rr
Q
rr
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nC
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S
= 1.7A ，V
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S
= 2.2A ，的di / dt = 100A / μs的
()
反向恢复电荷
注意事项：
（*）的测量脉冲条件下进行。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
（ ）的开关特性是独立的工作结温。
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